| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Непрерывный ток коллектора | Частота (макс.) | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Количество терминалов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НЭСГ3031М14-Т3-А | РЕНЕСАС ЭЛЕКТРОНИКС КОРП. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | [объект объект] | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | 8541.21.00.95 | е6 | ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП РФ малый сигнал | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф4 | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,15 Вт | 0,035А | 4,3 В | КБ | 220 | 0,25пФ | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3046B96 | Корпорация Интерсил | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 14 | НЕ УКАЗАН | 5 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г14 | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,037А | 8В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | МС-012АБ | 8000 МГц | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128R | Корпорация Интерсил | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 16 | 125°С | НЕ УКАЗАН | 5 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | S-PQCC-N16 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,037А | 8В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | МО-220ВЭД-2 | 5500 МГц | 40 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128R96 | Корпорация Интерсил | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 16 | 125°С | НЕ УКАЗАН | 5 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | S-PQCC-N16 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,037А | 8В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | МО-220ВЭД-2 | 5500 МГц | 40 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3127R96 | Корпорация Интерсил | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Не соответствует требованиям RoHS | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 16 | 125°С | НЕ УКАЗАН | 5 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | S-PQCC-N16 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,037А | 8В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | МО-220ВЭД-2 | 8000 МГц | 40 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2857 | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | icon-pbfree нет | EAR99 | совместимый | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,2 Вт | 0,04А | 15 В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | ТО-72 | 1000 МГц | 30 | 1пФ | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ81 | Фэйрчайлд (ON Semiconductor) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | 150°С | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,35 Вт | 0,05А | 20 В | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | ТО-92 | 600 МГц | 60 | 0,85пФ | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 92П Е6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 150°С | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,28 Вт | 0,03 А | 15 В | ФУНТ | 5000 МГц | 70 | 0,6пФ | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 193 E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,58 Вт | 0,08А | 12 В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 8000 МГц | 70 | 1пФ | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФР 182 E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | EAR99 | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,035А | 12 В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 8000 МГц | 0,5пФ | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3096BZ | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3096bz-datasheets-9216.pdf | 8В | 65 мА | СОИК | 10 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 16 | 7 недель | Нет СВХК | 16 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НПН, ПНП | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 16 | 30 | 5 | БИП Малый сигнал общего назначения | 8 ГГц | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 150 мВт | МС-012АС | 8В | 500мВ | 8В | 65 мА | 8000 МГц | 40 | 12 В | 5,5 В | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3046BZ | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 | 125°С | -55°С | 8 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3046bz-datasheets-9112.pdf | 8В | 65 мА | СОИК | 8,75 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 14 | 2 недели | 14 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 14 | 30 | 150 мВт | 5 | Другие транзисторы | 8 ГГц | СЛОЖНЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 65 мА | 8 ГГц | 150 мВт | МС-012АБ | 12 В | 500мВ | 8В | 65 мА | 8000 МГц | 40 | 12 В | 5,5 В | 8 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||
| МРФ317 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Крепление на раму, винт | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 4 | Нет | НПН | 270 Вт | 1 | 10 дБ | 100 Вт | 35В | 35В | 12А | 65В | 4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМ5160 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/centralsemiconductor-cm5160-datasheets-9898.pdf | ТО-39-3 | Без свинца | 8 недель | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 3 | 1 Вт | 40В | 400 мА | 500 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2857 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductor-2n2857-datasheets-8341.pdf | ТО-72 | 4 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W4 | 1,9 ГГц | УСИЛИТЕЛЬ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 200мВт | 15 В | 15 В | 40 мА | 1000 МГц | 30 | 30 В | 2,5 В | 30 | 1пФ | 1,9 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3563 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/centralsemiconductor-pn3563-datasheets-6486.pdf | ТО-226-3 | 3 | 8 недель | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,6 Вт | 0,05А | ТО-92 | 12 В | 600 МГц | 20 | 1,7пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF10005 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Крепление на раму, винт | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 3 | Нет | НПН | 25 Вт | 1 | 10,3 дБ | 25 Вт | 55В | 55В | 1,25 мА | 55В | 3,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128B | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3128b-datasheets-0826.pdf | 12 В | 65 мА | СОИК | Содержит свинец | 16 | 16 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 16 | 30 | 5 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 150 мВт | МС-012АС | 15 В | 65 мА | 5500 МГц | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3127RZ | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 2 | 125°С | -55°С | 8 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3127rz-datasheets-8846.pdf | КФН ЭП | 16 | 5 недель | 16 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НПН | КВАД | 260 | 16 | 30 | 150 мВт | 5 | Другие транзисторы | 8 ГГц | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | 65 мА | 8 ГГц | 150 мВт | МО-220ВЭД-2 | 12 В | 8В | 65 мА | 8000 МГц | 40 | 12 В | 5,5 В | 8 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5109 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/centralsemiconductor-2n5109-datasheets-8469.pdf | ТО-39 | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 11 дБ | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 1,2 ГГц | УСИЛИТЕЛЬ | 400 мА | 1 Вт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 1 Вт | 20 В | 500мВ | 20 В | 400 мА | 1200 МГц | 40В | 3В | 70 | 3,5 пФ | 1,2 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128RZ96 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 2 | 125°С | -55°С | 5,5 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3128rz96-datasheets-4017.pdf | КФН ЭП | 16 | 16 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.75 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ПНП | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 16 | 40 | 150 мВт | 5 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 5,5 ГГц | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | 65 мА | 5,5 ГГц | 150 мВт | МО-220ВЭД-2 | 15 В | 8В | 65 мА | 5500 МГц | 40 | 12 В | 5,5 В | 5,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5770 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/centralsemiconductor-2n5770-datasheets-2261.pdf | ТО-92 | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | 900 МГц | УСИЛИТЕЛЬ | 50 мА | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 625 МВт | 15 В | 400мВ | 15 В | 50 мА | 900 МГц | 50 | 30 В | 3В | 20 | 1,7пФ | 900 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФГ90 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/centralsemiconductor-bfy90-datasheets-9453.pdf | ТО-72-4 | Без свинца | 4 | 12 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | 200°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 23 дБ | Не квалифицирован | О-MBCY-W4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 200мВт | 15 В | 25 мА | 1300 МГц | 1,5 пФ | 1,4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ5812Р2 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/microsemi-mrf5812r2-datasheets-9420.pdf | СОИК | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 1,25 Вт | 15 В | 200 мА | 5000 МГц | 50 | 30 В | 2пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3128BZ96 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 | 125°С | -55°С | 5,5 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3128bz96-datasheets-5509.pdf | СОИК | 16 | 16 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ПНП | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 16 | 30 | 150 мВт | 5 | Другие транзисторы | 5,5 ГГц | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | 65 мА | 5,5 ГГц | 150 мВт | МС-012АС | 15 В | 8В | 65 мА | 5500 МГц | 40 | 12 В | 5,5 В | 5,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2731-20 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Масса | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemi-273120-datasheets-5309.pdf | 32 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 2 | 8,2 дБ | 70 Вт | 65В | 65В | 1,85 А | 3,1 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2731-100М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Масса | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemi-2731100m-datasheets-4102.pdf | 2 | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 9,4 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 3,1 ГГц | СБ | 575 Вт | 65В | 65В | 15А | 3,1 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2729-125 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Масса | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/microsemi-2729125-datasheets-0578.pdf | 32 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 2 | 9,5 дБ | 2,9 ГГц | 350 Вт | 65В | 56В | 15А | 65В | 2,9 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2729-170 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemi-2729170-datasheets-9586.pdf | 20 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 3 | 8,6 дБ | 570 Вт | 65В | 17А | 2,9 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3096B96 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3096b96-datasheets-9225.pdf | 8В | 65 мА | СОИК | Содержит свинец | 16 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 150°С | 5 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 5 ЭЛЕМЕНТОВ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН И ПНП | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 150 мВт | МС-012АС | 15 В | 65 мА | 8000 МГц | 40 | 0,5 В | 5,5 ГГц |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.