RF BJT-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Контактное покрытие Радиационная закалка Код JESD-609 Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Максимальный переход температуры (Tj) Частота испытаний Выходная мощность Продукт увеличения пропускной способности Материал транзисторного элемента Конфигурация Применение транзистора Полярность/Тип канала Непрерывный ток коллектора Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Частота смены Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) hFE Мин. Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Макс. емкость коллектора-базы Коэффициент шума (дБ, тип@f)
MRF448 МРФ448 Технологические решения МАКОМ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 30 МГц Соответствует ROHS3 2001 г. /files/macomtechnologysolutions-mrf448-datasheets-3315.pdf 211-11, Стиль 2 Без свинца 4 20 недель 4 да EAR99 Нет 290 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 Одинокий 290 Вт 1 14 дБ 250 Вт УСИЛИТЕЛЬ НПН 16А 50В 50В 16А 100В 10 НПН 10 @ 5А 10В
MMBTH10LT1G ММБТХ10LT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) СМД/СМТ 650 МГц Соответствует ROHS3 2001 г. /files/onsemiconductor-mmbth10lt1g-datasheets-3284.pdf 25 В 4мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3,04 мм 1,11 мм 1,4 мм Без свинца 3 8 недель 4.535924г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Олово Нет е3 Без галогенов ДА 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 ММБТХ10 3 Одинокий 40 225 МВт 1 Другие транзисторы 150°С 650 МГц КРЕМНИЙ НПН 25 В 25 В 500мВ 25 В 100нА 650 МГц 30 В 60 НПН 60 @ 4 мА 10 В 0,7пФ
BFR92PE6327HTSA1 BFR92PE6327HTSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) СМД/СМТ 5 ГГц Соответствует ROHS3 1998 год /files/infineontechnologies-bfr92pe6327htsa1-datasheets-3145.pdf 15 В 45 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1 мм 1,3 мм Без свинца 3 8 недель Нет СВХК 3 да EAR99 Олово Нет е3 Не содержит галогенов 280мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ БФР92 280мВт 1 Другие транзисторы 10,5 дБ ~ 16 дБ 900 МГц КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ НПН 15 В 15 В 45 мА 5000 МГц 20 В 2,5 В 40 НПН 70 @ 15 мА 8 В 0,6пФ 1,4 дБ ~ 2 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.