Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРФ БЮТ-транзисторы(1743)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальное напряжение проба | Минимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Коэффициент шума (дБ, тип@f) | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5007-Т1-А | КЛЭ | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СОТ-523 | 12 дБ | 125 МВт | 10 В | 65 мА | НПН | 80 @ 7 мА 3 В | 1,4 дБ @ 1 ГГц | 7 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2857 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/343 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 1,6 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n2857-datasheets-6474.pdf | ТО-72-3 Металлическая банка | 4 | 23 недели | 4 | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 200мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 12,5 дБ ~ 21 дБ при 450 МГц | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 15 В | 40 мА | 30 В | 3В | НПН | 30 при 3 мА 1 В | 4,5 дБ при 450 МГц | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5336-T1-AZ | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | ТО-243АА | 4 | Олово | 1,2 Вт | 12 дБ | СОТ-89 | 1,2 Вт | 12 В | 12 В | 100 мА | 20 В | 3В | НПН | 50 @ 20 мА 10 В | 1,8 дБ @ 1 ГГц | 6,5 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5066-И,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | неизвестный | 100мВт | 100мВт | 12 В | 12 В | 30 мА | НПН | 120 @ 10 мА 5 В | 1 дБ @ 500 МГц | 7 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5096-Р,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 1,4 дБ | 100мВт | 10 В | 15 мА | НПН | 50 @ 7 мА 6 В | 1,4 дБ @ 1 ГГц | 10 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ517 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-mrf517-datasheets-6351.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 13 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.75 | е0 | Оловянный свинец | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | 9 дБ ~ 10 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2,5 Вт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 20 В | 150 мА | 4000 МГц | 35В | НПН | 50 @ 60 мА 10 В | 4,5 пФ | 4 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1035МП | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-1035mp-datasheets-6361.pdf | 55FW-1 | 20 недель | нет | EAR99 | 125 Вт | 4 | 10 дБ ~ 10,5 дБ | 65В | 2,5 А | 2,5 А | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМИЛ10 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-umil10-datasheets-6381.pdf | 55 футов | 4 | 55 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 28 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | О-ЦРПМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 28 Вт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 30 В | 30 В | 1,5 А | НПН | 10 @ 200 мА 5 В | 100 МГц~400 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТХ11 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 650 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mmbth11-datasheets-6342.pdf | 25 В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТХ11 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 225 МВт | 650 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50 мА | 25 В | 25 В | 500мВ | 25 В | 50 мА | 650 МГц | 30 В | 3В | 60 | НПН | 60 @ 4 мА 10 В | 0,7пФ | |||||||||||||||||||||||||||||
| МС2206 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2206-datasheets-6398.pdf | М115 | 4 | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 7,5 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | Другие транзисторы | 10 дБ | КРЕМНИЙ | Одинокий | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 7,5 Вт | ФУНТ | 20 В | 20 В | 1А | 45В | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR720L3RHE6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-bfr720l3rhe6327xtsa1-datasheets-6400.pdf | СК-101, СОТ-883 | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 80мВт | НИЖНИЙ | БФР720 | 1 | 24 дБ | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | ЭМИТТЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80мВт | ВБ | 4,7 В | 4,7 В | 4В | 20 мА | 45000 МГц | 13В | НПН | 160 @ 13 мА 3 В | 0,5 дБ ~ 0,8 дБ при 1,8 ГГц ~ 6 ГГц | 45 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПШ81 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/centralsemiconductorcorp-mpsh81-datasheets-6402.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | 8541.21.00.75 | е0 | Оловянный свинец | 350 мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 50 мА | 600 МГц | 50 мА | ПНП | 60 при 5 мА 10 В | 0,85пФ | 600 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3357-Т1-А | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-243АА | 3 | Олово | 1,2 Вт | 10 дБ | 12 В | 100 мА | 20 В | 3В | НПН | 50 @ 20 мА 10 В | 1,8 дБ @ 1 ГГц | 6,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5415AF-ТД-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc5415aftde-datasheets-6429.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 3 | 9 дБ | 800мВт | 12 В | 12 В | 100 мА | 2В | 70 | НПН | 90 @ 30 мА 5 В | 1,1 дБ @ 1 ГГц | 6,7 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3585-T1B-А | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | 1,437803г | 3 | Олово | 200мВт | 9 дБ | 200мВт | 10 В | 10 В | 10 В | 35 мА | 20 В | 1,5 В | НПН | 50 @ 10 мА 6 В | 1,8 дБ при 2 ГГц | 10 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UTV005 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-utv005-datasheets-6308.pdf | 55 футов | 4 | 12 недель | 55 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 860 МГц | е0 | Оловянный свинец | 8 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | 11 дБ | О-ЦРПМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 24В | 45В | 750 мА | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 470–860 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4427 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4427-datasheets-6438.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 10 дБ | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | 1 Вт | 500 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 400 мА | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 20 В | 500мВ | 20 В | 400 мА | 500 МГц | 40В | 2В | 10 | НПН | 10 @ 100 мА 5 В | 4пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СД1536-08 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-sd153608-datasheets-6310.pdf | М105 | 2 | 3 | нет | EAR99 | Нет | 1,15 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 292 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | Другие транзисторы | 8,4 дБ | С-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 65В | 65В | 10А | 1025 МГц | 65В | НПН | 5 @ 100 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH3134-75S | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/macomtechnologysolutions-ph313475s-datasheets-6313.pdf | Металл | 2 | 2 | да | С ЭМИТТЕРНЫМИ БАЛЛАСТИЧНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ | 75 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 7,5 дБ | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 75 Вт | СБ | 65В | 65В | 8,9А | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЕ202930-А | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СК-70, СОТ-323 | 3 | Нет | 150 мВт | 13,5 дБ | 150 мВт | 6В | 6В | 100 мА | 9В | НПН | 85 при 5 мА 5 В | 1,15 дБ @ 1 ГГц | 11 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10А030 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шпилька | Крепление шпильки | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-10a030-datasheets-6265.pdf | 55 футов | 13 недель | 55 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Олово | НПН | 13 Вт | 13 Вт | 1 | 7,8 дБ ~ 8,5 дБ | 55 футов | 13 Вт | 24В | 24В | 1,5 А | 24В | 1,5 А | 3,5 В | НПН | 20 @ 200 мА 5 В | 2,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ586Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 1 Вт | 2 | 13,5 дБ | ТО-39 | 1 Вт | 17В | 200 мА | 17В | 200 мА | НПН | 40 @ 50 мА 5 В | 3 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПР175 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-tpr175-datasheets-6277.pdf | 55CX | 2 | 55 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 290 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 8 дБ ~ 9 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 290 Вт | ФУНТ | 55В | 55В | 9А | НПН | 10 @ 20 мА 5 В | 1,03–1,09 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПР1000 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-tpr1000-datasheets-6283.pdf | 55КВ | 4 | 55 | нет | EAR99 | Нет | 1,09 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 2,9 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 6 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | НПН | 2900 Вт | ФУНТ | 65В | 65В | 80А | НПН | 10 @ 1А 5В | 1,09 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМЕ375А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 1,15 ГГц | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-dme375a-datasheets-6286.pdf | 55AW | Без свинца | 2 | 22 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 875 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 875 Вт | 1 | 6,5 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | 375 Вт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 55В | 55В | 30А | 4В | НПН | 10 @ 300 мА 5 В | 1025 ГГц~1,15 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 10А015 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Шпилька | Крепление шпильки | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-10a015-datasheets-6288.pdf | 55 футов | 4 | 13 недель | 55 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е0 | 6 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | 9 дБ ~ 9,5 дБ | Не квалифицирован | О-ЦРПМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 6 Вт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 24В | 24В | 750 мА | 2700 МГц | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 2,7 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МАПР-002731-115М00 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/macomtechnologysolutions-mapr002731115m00-datasheets-6294.pdf | 2 | EAR99 | 115 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | 1 | 8,06 дБ ~ 8,45 дБ | Не квалифицирован | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | БАЗА | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 115 Вт | СБ | 65В | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2203 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2203-datasheets-6296.pdf | М220 | Без свинца | 4 | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 5 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | 10,8 дБ ~ 12,3 дБ | 600мВт | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ЭМИТТЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 5 Вт | ФУНТ | 18В | 20 В | 20 В | 300 мА | 50В | НПН | 120 @ 100 мА 5 В | 1,09 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МС2204 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-ms2204-datasheets-6299.pdf | М115 | 4 | 4 | нет | EAR99 | Нет | 1,09 ГГц | е0 | Оловянный свинец | 600мВт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 10,8 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ЭМИТТЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ФУНТ | 20 В | 20 В | 300 мА | 50В | НПН | 15 @ 100 мА 5 В | 5пФ | 1,09 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT4S300U(TE85L,O,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СК-82А, СОТ-343 | 4 | 12 недель | НИЗКИЙ ШУМ | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 16,9 дБ | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ-ГЕРМАНСКИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 мВт | КА Б | 26500 МГц | 4В | 50 мА | НПН | 200 @ 10 мА 3 В | 0,27пФ | 0,55 дБ @ 2 ГГц | 26,5 ГГц |
