Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCX79_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bcx79-datasheets-7949.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 10нА | ПНП | 80 @ 10 мА 1 В | 600 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д44Х10ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-lm7918ct-datasheets-7491.pdf | ТО-220-3 | 3 | НПН | Д44Х | ТО-220-3 | 80В | 8А | 80В | 8А | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33725_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC337 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800 мА | 100 нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА42_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta42-datasheets-1282.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА42 | СОТ-23-3 | 240мВт | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC369_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc369d27z-datasheets-5991.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC369 | ТО-92-3 | 625 МВт | 20 В | 1,5 А | 10 мкА ИКБО | ПНП | 85 @ 500 мА 1 В | 45 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC557 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА56_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta56-datasheets-1162.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА56 | СОТ-23-3 | 350мВт | 80В | 500 мА | 100 нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 200 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC63916_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc635d75z-datasheets-6043.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC639 | ТО-92-3 | 1 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR50_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bsr50d74z-datasheets-6083.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 45В | 1,5 А | 50на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 1,6 В @ 4 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC550_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC550 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC214L_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc214ll34z-datasheets-6550.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC214 | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 15на ИКБО | ПНП | 140 при 2 мА 5 В | 200 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc635d75z-datasheets-6043.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC635 | ТО-92-3 | 1 Вт | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА92_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta92-datasheets-1140.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА92 | СОТ-23-3 | 350мВт | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mmbt3904-datasheets-1082.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТ3904 | 350мВт | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА06_L98Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsa06d26z-datasheets-0969.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБТА06 | СОТ-23-3 | 350мВт | 80В | 500 мА | 100 нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD31CTF_SBDD001A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mjd31citu-datasheets-9661.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МЖД31 | Д-Пак | 1,56 Вт | 100 В | 3А | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В @ 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5030FRTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-3П-3 Полный пакет | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 1 | 800В | 800В | 6А | 1,1 кВ | 7В | 10 | 10 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 600 мА 5 В | 2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC546 | ТО-92-3 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC547 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS3702_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt3702-datasheets-9062.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS3702 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800 мА | 100на ИКБО | ПНП | 60 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D44C8 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-d44c8-datasheets-3414.pdf | ТО-220-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 6 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | ПРОКОНСУЛЬТИРУЙТЕСЬ В ОТДЕЛЕНИИ ПРОДАЖ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | Олово | е3 | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 1 | 60В | 100 В | 60В | 4А | 20 | 10 мкА | НПН | 20 @ 2А 1В | 40 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC639 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 100 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc635zl1g-datasheets-7985.pdf | 80В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 201мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | ТО-92 КОРПУС 29 СТИЛЬ 14 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | BC639 | 3 | Одинокий | 30 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 200 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1А | 200 МГц | 80В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||
| MPS3702_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt3702-datasheets-9062.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPS3702 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800 мА | 100на ИКБО | ПНП | 60 @ 50 мА 5 В | 100 МГц | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC560_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC560 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC327 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 800 мА | 100 нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC636_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc636ta-datasheets-6010.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC636 | ТО-92-3 | 1 Вт | 45В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC560C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC560 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 420 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC559_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC559 | ТО-92-3 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC558C_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC558 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 420 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC556_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC556 | ТО-92-3 | 500мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА |
