Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC237_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc237tfr-datasheets-5958.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC237 | ТО-92-3 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15нА | НПН | 120 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД436 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd438-datasheets-7127.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 36 Вт | БД436 | 3 | Одинокий | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 32В | 200 мВ | 32В | 4А | 3 МГц | 32В | 5В | 40 | 100 мкА | ПНП | 40 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC182B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc182bd26z-datasheets-6551.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC182 | ТО-92-3 | 350 мВт | 50В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 40 @ 10 мкА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF1943RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjpf1943otu-datasheets-3208.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 50 Вт | 230В | 15А | 5 мкА ИКБО | ПНП | 55 @ 1А 5В | 30 МГц | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD117RLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd112rlg-datasheets-0450.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | Без галогенов | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD117 | 3 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 2В | 100В | 2А | 25 МГц | 100В | 5В | 500 | 20 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC560C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | -45В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 200мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | ПНП | 625 МВт | BC560 | Одинокий | 500мВт | 1 | ТО-92-3 | 250 МГц | 625 МВт | 45В | 45В | -250мВ | 250 мВ | 100 мА | 45В | 100 мА | -50В | -5В | 110 | 15на ИКБО | ПНП | 380 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 250 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTCM322TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 165 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxtcm322ta-datasheets-3134.pdf | 50В | 1,5 А | 3-PowerSMD, плоские выводы | 2 мм | 1 мм | 2 мм | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | КВАД | 260 | ZXTCM322 | 5 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 165 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 4А | 50В | 50В | 270 мВ | 50В | 4А | 165 МГц | 100В | 7,5 В | 25нА | НПН | 100 @ 2А 2В | 320 мВ при 200 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5846G0L | Электронные компоненты Panasonic | $5,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sc5846g0l-datasheets-3255.pdf | СОТ-723 | 100мВт | 2SC5846 | СССМини3-F2 | 100мВт | 50В | 50В | 300 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100 мкА | НПН | 180 @ 2 мА 10 В | 100 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ST5949 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 25 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2st5949-datasheets-3259.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 39,5 мм | 8,7 мм | 26,2 мм | 2 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 225 | 2СТ59 | 2 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | О-МБФМ-П2 | 25 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250В | 3В | 250В | 17А | 25 МГц | 250В | 6В | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STC5948 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 25 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stc5948-datasheets-3265.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | 2СТК | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 25 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250В | 250В | 17А | 25 МГц | 250В | 6В | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STC5200 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stc5200-datasheets-3266.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,2 мм | 26,4 мм | 5,2 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | 150 Вт | 2СТК | 3 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 230В | 3В | 230В | 15А | 30 МГц | 230В | 5В | 80 | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СТР1160 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2str1160-datasheets-3198.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,3 мм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 210 | 2СТР | 3 | Одинокий | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 430 мВ | 60В | 1А | 60В | 5В | 180 | 100на ИКБО | НПН | 180 @ 500 мА 2 В | 430 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN5551ZTA | Диодс Инкорпорейтед | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxtn5551zta-datasheets-3188.pdf | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | 3 | 17 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | ZXTN5551 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Ф3 | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 В | 160 В | 160 В | 600мА | 130 МГц | 180 В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1381ЕСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ksa1381estu-datasheets-8275.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 2SA1381 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 7 Вт | 150 МГц | 300В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 10 В | 150 МГц | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB0766GRL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sb0766grl-datasheets-3240.pdf | ТО-243АА | 1 Вт | 2SB0766 | МиниП3-Ф2 | 1 Вт | 50В | 50В | 400 мВ | 1А | 50В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 400 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF5200OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fjpf5200rtu-datasheets-3187.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50 Вт | ТО-220АБ | 30 МГц | 250В | 17А | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 30 МГц | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД711 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd708-datasheets-3494.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 75 Вт | БД711 | 3 | Одинокий | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100В | 1В | 100В | 12А | 3 МГц | 100В | 5В | 1 В | 40 | 100 мА | НПН | 15 @ 4А 4В | 1 В при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC212LB_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bc212lbd74z-datasheets-6130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BC212 | ТО-92-3 | 350 мВт | 50В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 60 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ642Д2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bul642d2g-datasheets-9612.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННАЯ ЭФФЕКТИВНАЯ СЕТЬ ПРОТИВОНАСЫЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | 75 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 13 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | ТО-220АБ | 440В | 1,5 В | 1,5 В | 3А | 13 МГц | 3А | 825В | 11В | 16 | 200 мкА | НПН | 16 @ 500 мА 1 В | 1,5 В при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3503ЕСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sc3503dstu-datasheets-3164.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 2SC3503 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 7 Вт | 150 МГц | 300В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 10 В | 150 МГц | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2161G0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sa2161g0l-datasheets-3173.pdf | СК-89, СОТ-490 | 125 МВт | 2SA2161 | ССМини3-F3 | 125 МВт | 12 В | 12 В | 250 мВ | 500 мА | 12 В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 10 мА 2 В | 200 МГц | 250 мВ при 10 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF5200RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjpf5200rtu-datasheets-3187.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50 Вт | ТО-220АБ | 30 МГц | 250В | 17А | 5 мкА ИКБО | НПН | 55 @ 1А 5В | 30 МГц | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУ900ТП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bu900tp-datasheets-3194.pdf | СОТ-82 | 3 | 3 | неизвестный | НПН | 55 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | БУ900 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55 Вт | 370В | 4В | 5А | 13В | 7000 | 100 мкА | NPN — Трилинтон, провод Зенера | 7000 @ 1А 5В | 4 В при 3 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD0874GRL | Электронные компоненты Panasonic | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/panasonicelectroniccomComponents-2sd0874grl-datasheets-3202.pdf | ТО-243АА | 1 Вт | 2SD0874 | МиниП3-Ф2 | 1 Вт | 50В | 50В | 400 мВ | 1А | 50В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 400 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZX3CD3S1M832TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zx3cd3s1m832ta-datasheets-3204.pdf | -20В | -3,5 А | 8-ВДФН Открытая площадка | 3 мм | 1 мм | 2 мм | Без свинца | 10 | 832 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 3 Вт | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | ZX3CD3S1M832 | 10 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-PQFP-F10 | 190 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт | 40В | 40В | 370 мВ | 3А | 190 МГц | 50В | -7,5 В | 25нА | PNP + диод (изолированный) | 60 @ 1,5 А 2 В | 370 мВ при 250 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJPF1943OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fjpf1943otu-datasheets-3208.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | 50 Вт | 230В | 15А | 5 мкА ИКБО | ПНП | 80 @ 1А 5В | 30 МГц | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZX3CD2S1M832TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zx3cd2s1m832ta-datasheets-3128.pdf | -20В | -3,5 А | 3 мм | 1 мм | 2 мм | Без свинца | 10 | 832 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП | 3 Вт | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 10 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-PQFP-F10 | 180 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 300 мВ | 3,5 А | 180 МГц | 15 | 25 В | -7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCX56-16-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dcx561613-datasheets-3024.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,48 мм | 4 | 9 недель | 51,993025мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | DCX56 | 4 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 80В | 1А | 200 МГц | 100В | 5В | 63 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3503ФСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sc3503dstu-datasheets-3164.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 2SC3503 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 7 Вт | 150 МГц | 300В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 10 мА 10 В | 150 МГц | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmbt3904t-datasheets-9620.pdf | СК-89, СОТ-490 | 1,7 мм | 780 мкм | 980 мкм | Без свинца | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | Нет | 100 МГц | НПН | 250 мВт | ММБТ3904 | Одинокий | 250 мВт | 1 | СОТ-523Ф | 300 МГц | 250 мВт | 40В | 40В | 300 мВ | 40В | 200 мА | 40В | 200 мА | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА |
