Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СТ631К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st631k-datasheets-2992.pdf&product=stmicroelectronics-st631k-6325478 | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 12,5 Вт | СТ631 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 12,5 Вт | 120 В | 120 В | 1А | 120 В | 5В | 120 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ106 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-tip106g-datasheets-7300.pdf | -80В | -8А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | ПНП | 2 Вт | СОВЕТ10* | Одинокий | 2 Вт | 1 | ТО-220АБ | 8А | 2 Вт | 80В | 80В | 2В | 80В | 8А | 80В | 8А | 80В | 5В | 200 | 50 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2,5 В при 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 817-25 Э6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/infineontechnologies-bc817k25e6327htsa1-datasheets-0938.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,33 Вт | 330мВт | 170 МГц | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 170 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТН1802 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stn1802-datasheets-3008.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | СТН18 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 400 мВ | 3А | 150 МГц | 3А | 60В | 6В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 400 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ST83003 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st83003-datasheets-3009.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 40 Вт | СТ83 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 1,5 А | 700В | 12 В | 10 | 1 мА | НПН | 16 @ 350 мА 5 В | 500 мВ при 100 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC307B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 130 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc307bg-datasheets-7725.pdf | -45В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 280 МГц | ПНП | 350 мВт | BC307 | Одинокий | 500мВт | 1 | ТО-92-3 | 280 МГц | 350 мВт | 45В | 45В | -300мВ | 45В | 100 мА | 45В | 100 мА | 50В | 5В | 150 | 15нА | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 280 МГц | 250 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДКП52-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dcp521613-datasheets-7202.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | 4 | 14 недель | 7,994566мг | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДКП52 | 4 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1А | 1 Вт | 60В | 60В | -500мВ | 60В | 1А | 200 МГц | 60В | -5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| PN2907AG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2907arlra-datasheets-9507.pdf | -60В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | PN2907A | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 60В | -1,6 В | 1,6 В | 600мА | 200 МГц | 45нс | -60В | 5В | 75 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC550C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc549cg-datasheets-7916.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Содержит свинец | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | НПН | 625 МВт | BC550 | Одинокий | ТО-92-3 | 250 МГц | 625 МВт | 45В | 250 мВ | 600мВ | 100 мА | 45В | 100 мА | 50В | 5В | 100 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX34B | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-bdx34bg-datasheets-9797.pdf&product=onsemiconductor-bdx34b-6325449 | -80В | -10А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 1,8 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | нет | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 70 Вт | 240 | BDX34 | 3 | Одинокий | 30 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -10А | 80В | ТО-220АБ | 80В | 2,5 В | 80В | 10А | 3 МГц | -80В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 6 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -65°С | 300 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc547b-datasheets-2104.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 200мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | Нет | 300 МГц | НПН | 625 МВт | BC548 | Одинокий | 500мВт | 1 | ТО-92-3 | 300 МГц | 625 МВт | 30В | 30В | 300 мВ | 30В | 100 мА | 30В | 100 мА | 30В | 5В | 110 | 15нА | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC618 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-bc618rl1-datasheets-8037.pdf | 55В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Содержит свинец | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 4 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | BC618 | 3 | Одинокий | 30 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 1А | 55В | 1,1 В | 1А | 150 МГц | 80В | 12 В | 50нА | NPN – Дарлингтон | 10000 при 200 мА 5 В | 150 МГц | 1,1 В @ 200 мкА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ259 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 200°С ТДж | Масса | 3 (168 часов) | 90 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bf259-datasheets-2938.pdf&product=stmicroelectronics-bf259-6325452 | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 9,4 мм | 6,6 мм | 9,4 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | нет | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | БФ259 | Одинокий | 5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 90 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 1В | 300В | 100 мА | 90 МГц | 300В | 5В | 25 | 50на ИКБО | НПН | 25 @ 30 мА 10 В | 1 В при 6 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛАМПОЧКА39D-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bulb39d1-datasheets-2944.pdf&product=stmicroelectronics-bulb39d1-6325454 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Олово | Нет | НПН | 70 Вт | ЛАМПОЧКА39 | Одинокий | 70 Вт | 1 | Д2ПАК | 70 Вт | 450В | 450В | 4А | 450В | 4А | 800В | 9В | 100 мкА | НПН | 10 @ 10 мА 5 В | 1,1 В при 500 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA55 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsa55-datasheets-2945.pdf | -60В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | ПНП | 625 МВт | MPSA55 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 50 МГц | 625 МВт | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 60В | 500 мА | 60В | 4В | 100 | 100 нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3773 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2n3773-datasheets-2948.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 39,3 мм | 26 мм | 8,92 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2Н37 | 2 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 140 В | 4В | 140 В | 16А | 160 В | 7В | 5 | 10 мА | НПН | 15 @ 8А 4В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5172_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2n5172d27z-datasheets-5920.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н5172 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA18 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 100 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-mpsa18rlra-datasheets-9548.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 160 МГц | НПН | 625 МВт | MPSA18 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 100 МГц | 625 МВт | 45В | 45В | 80мВ | 45В | 200 мА | 45В | 200 мА | 45В | 6,5 В | 500 | 50на ИКБО | НПН | 500 @ 10 мА 5 В | 160 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛ72 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stl72-datasheets-2960.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | 1 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | СТЛ72 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 400В | 500мВ | 1А | 700В | 9В | 5 | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 500 мВ при 80 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STSA851-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 3 (168 часов) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stsa851-datasheets-0985.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | СТСА851 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 130 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5А | 60В | 60В | 60В | 5А | 130 МГц | 150 В | 7В | 150 | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 2А 1В | 450 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX117-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx112-datasheets-8410.pdf&product=stmicroelectronics-stx117ap-6325463 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,8 мм | 4,5 мм | 3,8 мм | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 0,0067. | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | STX117 | 3 | Одинокий | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,2 Вт | 100В | 2,5 В | 100В | 2А | 100В | 5В | 500 | 2мА | ПНП | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В @ 8 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STN888 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stn888-datasheets-2965.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,8 мм | 3,5 мм | Без свинца | 4 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | STN888 | 4 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 5А | 30В | 30В | 1,2 В | 30В | 5А | 45В | 6В | 120 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 1 В | 1,2 В при 500 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5401 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-2n5401rlra-datasheets-9523.pdf | -150 В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Содержит свинец | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | 300 МГц | ПНП | 625 МВт | 2Н5401 | Одинокий | 625 МВт | ТО-92-3 | 400 МГц | 625 МВт | 150 В | 500мВ | 500мВ | 600мА | 150 В | 600мА | -160В | 5В | 60 | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6523 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-mps6523-datasheets-2805.pdf | -25В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | ПНП | 625 МВт | MPS6523 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 25 В | 500мВ | 25 В | 100 мА | 25 В | 100 мА | 45В | 4В | 300 | 50на ИКБО | ПНП | 300 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП 54-16 E6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp54e6327htsa1-datasheets-1680.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | да | EAR99 | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP54 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,5 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD1328-RT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-msd1328st1g-datasheets-2500.pdf | 20 В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 20 В | 400 мВ | 20 В | 500 мА | 25 В | 12 В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 400 мВ при 20 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX34C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bdx34btu-datasheets-5810.pdf | -100В | -10А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 1,8 г | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | ПНП | 70 Вт | 240 | BDX34 | 3 | Одинокий | 30 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10А | 100В | ТО-220АБ | 100В | 2,5 В | 100В | 10А | 3 МГц | -100В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 6 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ101 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-tip107tu-datasheets-0970.pdf | 80В | 8А | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 2 Вт | 240 | СОВЕТ10* | 3 | Одинокий | 30 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 8А | ТО-220АБ | 80В | 2,5 В | 8А | 80В | 5В | 200 | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2,5 В при 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ5089 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmbt5088-datasheets-4432.pdf | 25 В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,2 мм | 1,3 мм | Без свинца | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | Нет | 50 МГц | НПН | 350 мВт | ММБТ5089 | Одинокий | 350 мВт | 1 | 150°С | СОТ-23 | 50 МГц | 350 мВт | 25 В | 25 В | 500мВ | 25 В | 100 мА | 25 В | 100 мА | 30В | 4,5 В | 400 | 50на ИКБО | НПН | 400 @ 100 мкА 5 В | 50 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСКТ817-25LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsct81740lt1g-datasheets-2569.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Нет | 225 МВт | НСКТ817 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 225 МВт | 45В | 700мВ | 500 мА | 45В | 500 мА | 50В | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА |
