Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC807-40W РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 30 | 200мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AC847BWQ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-70, СОТ-323 | 3 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200мВт | 300 МГц | 45В | 100 мА | 20на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848BW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-bc847bw7f-datasheets-3258.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 3 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 30 В | 100 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 200 | 20на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-16 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 24 недели | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.21.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 100 МГц | 45В | 500 мА | 200на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC549A A1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 500мВт | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CW РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc850cwrfg-datasheets-9056.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 200мВт | 45В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС338-25 А1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc33716a1g-datasheets-8984.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 625 МВт | 25 В | 800 мА | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856B-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-bc856bhf-datasheets-9015.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 260 | 30 | 250 мВт | 65В | 65В | 650 мВ | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 @ 2,2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС337-25 А1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc33716a1g-datasheets-8984.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 625 МВт | 45В | 800 мА | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858B-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-bc858ahf-datasheets-9017.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 260 | 30 | 30 В | 100 мА | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 @ 2,2 мА 5 В | 100 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС338-16 А1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc33716a1g-datasheets-8984.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 625 МВт | 25 В | 800 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848AW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-bc847bw7f-datasheets-3258.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 3 | 15 недель | 6,010099мг | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 30 В | 100 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 110 | 20на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС338-40 А1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc33716a1g-datasheets-8984.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 625 МВт | 25 В | 800 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC550C A1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857B-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-bc858ahf-datasheets-9017.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 260 | 30 | 250 мВт | 45В | 650 мВ | 100 мА | ПНП | 125 @ 2,2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС337-16 А1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bc33716a1g-datasheets-8984.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 625 МВт | 45В | 800 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-16 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 24 недели | СОТ-23 | 300мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 24 недели | СОТ-23 | 300мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856A-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-bc858ahf-datasheets-9017.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 260 | 30 | 250 мВт | 65В | 650 мВ | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 125 @ 2,2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC550B A1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847AM, 315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-bc847235-datasheets-1123.pdf | СК-101, СОТ-883 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | НИЖНИЙ | 260 | BC847 | 3 | Одинокий | 40 | 250 мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 24 недели | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 8541.21.00.95 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 300мВт | 100 МГц | 45В | 500 мА | 200на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1832-GR,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 16 недель | Серебро, Олово | 100мВт | ССМ | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 150 мА | 50В | 150 мА | 50В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 2 мА 6 В | 80 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848CW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-bc847bw7f-datasheets-3258.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | 3 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 600мВ | 30 В | 100 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 20на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| СММБТ2369LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mmbt2369alt1g-datasheets-3103.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 225 МВт | 15 В | 250 мВ | 200 мА | 18нс | 12нс | 40В | 400 нА | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858A-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-bc858ahf-datasheets-9017.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 260 | 30 | 250 мВт | 30 В | 650 мВ | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 125 @ 2,2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858C-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/comchiptechnology-bc858ahf-datasheets-9017.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 260 | 30 | 250 мВт | 30 В | 650 мВ | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547A A1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,5 Вт | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547B A1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 24 недели | ТО-92 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП31А-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/microcommercialco-tip31bbp-datasheets-4114.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ31 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 3 МГц | 60В | 3А | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А |
