Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Напряжение запуска | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4617EBTLR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-2sc4617ebtlr-datasheets-9901.pdf | СК-89, СОТ-490 | 1,6 мм | 700 мкм | 860 мкм | Без свинца | 3 | 9 недель | 3 | EAR99 | 100 МГц | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2SC4617 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 мА | 50В | 50В | 400мВ | 50В | 150 мА | 180 МГц | 60В | 7В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1 мА 6 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3791 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3792pbfree-datasheets-7911.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 60В | 10А | ПНП | 50 @ 1А 2В | 4 МГц | 1 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXT3904 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cxt3904trpbfree-datasheets-9233.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 300 МГц | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6545 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6545pbfree-datasheets-9926.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 400В | 8А | НПН | 7 @ 5А 3В | 28 МГц | 5 В при 2 А, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP1943RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjp1943rtu-datasheets-9933.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 80 Вт | Одинокий | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | ТО-220АБ | 230В | 230В | 15А | 30 МГц | -230В | -5В | 55 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 55 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6055 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6055pbfree-datasheets-9836.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 22 недели | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100 Вт | 4 МГц | 60В | 8А | 500 мкА | НПН | 750 @ 4А 3В | 4 МГц | 3 В при 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX949 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx949-datasheets-9843.pdf | -30В | -4,5А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX949 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -4,5А | 1,58 Вт | 30В | 30В | 4,5 А | 100 МГц | 50В | -6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 1В | 320 мВ при 300 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ1203Е | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul1203e-datasheets-9848.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 100 Вт | БУЛ1203 | 3 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 550В | 550В | 5А | 1,2 кВ | 9В | 10 | 100 мкА | НПН | 9 @ 2А 5В | 1,5 В при 1 А, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX1149A | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 135 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx1149a-datasheets-9851.pdf | -25В | -3А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX1149A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 135 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -3А | 25 В | 25 В | -200мВ | 25 В | 3А | 135 МГц | 30В | -5В | 100нА | ПНП | 250 @ 500 мА 2 В | 300 мВ при 70 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| MJW21194G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjw21194g-datasheets-9856.pdf | 250 В | 16А | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 200 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 В | 1,4 В | 250 В | 16А | 4 МГц | 400В | 5В | 20 | 100 мкА | НПН | 20 @ 8А 5В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6052 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6052pbfree-datasheets-9783.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 100В | 12А | 1 мА | ПНП | 750 @ 6А 3В | 4 МГц | 3 В @ 120 мА, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ39Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul39d-datasheets-9790.pdf | 450В | 4А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 70 Вт | БУЛ39 | 3 | Одинокий | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 450В | 1,1 В | 450В | 4А | 850В | 9В | 4 | 100 мкА | НПН | 10 @ 10 мА 5 В | 1,1 В при 500 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ11028G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mj11032g-datasheets-8829.pdf | 50В | 50А | ТО-204АЭ | Без свинца | 2 | 2 недели | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 300 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 50А | 60В | 2,5 В | 60В | 50А | 60В | 5В | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 25А 5В | 3,5 В при 500 мА, 50 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX34BG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bdx34bg-datasheets-9797.pdf | -80В | -10А | ТО-220-3 | 10,53 мм | 15,75 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | НЕТ | 70 Вт | 260 | BDX34 | 3 | Одинокий | 40 | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 80В | 2,5 В | 80В | 10А | 3 МГц | 80В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 6 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3964 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3964pbfree-datasheets-9802.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 45В | 200 мА | 10нА | ПНП | 250 @ 1 мА 5 В | 50 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6034G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6039g-datasheets-7029.pdf | -40В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,74 мм | 11,04 мм | 2,66 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | 2N6034 | 3 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 4А | 40В | 2В | 40В | 4А | 25 МГц | 40В | 5В | 100 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 2А 3В | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX855 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 90 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx855-datasheets-9809.pdf | 150 В | 4А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 90 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 4А | 150 В | 210 мВ | 150 В | 4А | 90 МГц | 250 В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 5В | 260 мВ при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4301 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4301-datasheets-9820.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 800В | 500мВ | 7А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 3А 4В | 6 МГц | 500 мВ при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6286G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-2n6287g-datasheets-7932.pdf | -80В | 20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | НЕТ | 160 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2N6286 | 2 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 20А | 80В | 2В | 80В | 20А | 4 МГц | 80В | 5В | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 10 А 3 В | 3 В при 200 мА, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6052G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n6052g-datasheets-9825.pdf | -100В | -12А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | НЕТ | 150 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2N6052 | 2 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12А | 100В | 2В | 100В | 12А | 4 МГц | 100В | 5В | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 6А 3В | 3 В @ 120 мА, 12 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5502DTTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ksc5502dtm-datasheets-8290.pdf | ТО-220-3 | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | НЕ УКАЗАН | KSC5502 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 11 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 600В | 600В | 2А | 11 МГц | 2А | 1,2 кВ | 12 В | 12 | 100 мкА | НПН | 4 @ 1А 1В | 1,5 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW93CFP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bdw94cfp-datasheets-7731.pdf | 100В | 12А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,4 мм | 9,3 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 33 Вт | БДВ93 | 3 | Одинокий | 33 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350В | ТО-220АБ | 100В | 2В | 100В | 12А | 100В | 2,5 В | 3 В | 100 | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX789A | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx789a-datasheets-9765.pdf | -25В | -3А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX789A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -3А | 25 В | -500мВ | 25 В | 3А | 100 МГц | 25 В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| MJF18004G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ™ | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 13 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjf18004g-datasheets-9770.pdf | 450В | 5А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 9,24 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 35 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 280мВт | 1 | Другие транзисторы | 2кВ | 13 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 450В | 920 мВ | 450В | 5А | 13 МГц | 1кВ | 9В | 12 | 100 мкА | НПН | 14 @ 300 мА 5 В | 750 мВ при 500 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2СА1943РТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-2sa1943otu-datasheets-8744.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 2 недели | 6,756 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 150 Вт | 2СА1943 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 В | 250 В | 17А | 30 МГц | -250В | -5В | 55 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 55 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5302G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5302g-datasheets-9780.pdf | 60В | 30А | ТО-204АА, ТО-3 | 38,1 мм | 25,4 мм | 25,4 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 13.607771г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 200 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2Н5302 | 2 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 750 мВ | 60В | 30А | 2 МГц | 60В | 15 | 5мА | НПН | 15 @ 15А 2В | 3 В при 6 А, 30 А | |||||||||||||||||||||||||||
| КСБ1015ЮТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 9 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksb1015ytu-datasheets-9718.pdf | -60В | -3А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,16 мм | 15,87 мм | 2,54 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 25 Вт | КСБ1015 | Одинокий | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 9 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | -500мВ | 60В | 3А | 9 МГц | -60В | -7В | 60 | 100 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 5 В | 1 В при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЖД122-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mjd1221-datasheets-9724.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 8 недель | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 20 Вт | 260 | MJD122 | 3 | Одинокий | 30 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 2В | 100В | 8А | 100В | 5В | 100 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 В при 80 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ58Д | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul58d-datasheets-9729.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 85 Вт | БУЛ58 | 3 | Одинокий | 85 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | ТО-220АБ | 450В | 2В | 450В | 8А | 800В | 9В | 2 В | 5 | 200 мкА | НПН | 5 @ 5А 5В | 2 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5883G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2n5886g-datasheets-8588.pdf | -60В | 25А | ТО-204АА, ТО-3 | 31,75 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 200 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2N5883 | 2 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 1В | 60В | 25А | 4 МГц | 60В | 5В | 20 | 2мА | ПНП | 20 @ 10 А 4 В | 4 В при 6,25 А, 25 А |
