Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUJ303A,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100 Вт | ТО-220АБ | 500В | 5А | 100 мкА | НПН | 14 @ 500 мА 5 В | 1,5 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD434S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bd434s-datasheets-9570.pdf | -22В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 36 Вт | НЕ УКАЗАН | БД434 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 22В | -200мВ | 22В | 4А | 3 МГц | -22В | -5В | 50 | 100 мкА | ПНП | 40 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1552S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1552stle-datasheets-9140.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 1 Вт | 2SA1552 | 3 | Одинокий | Другие транзисторы | 120 МГц | ПНП | 160 В | -200мВ | 500мВ | 1,5 А | 1,5 А | -180В | -6В | 140 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2039-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2039tle-datasheets-8972.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | Свинец, Олово | 800мВт | 2SA2039 | 800мВт | 50В | 430 мВ | 5А | 6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 360 МГц | 430 мВ при 100 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4027S-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-2sa1552stle-datasheets-9140.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 1 Вт | 2SC4027 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1 Вт | 160 В | 160 В | 1,5 А | 180 В | -6В | 100 | 1 мкА ИКБО | НПН | 140 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД136Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-bd140g-datasheets-7047.pdf | -45В | -1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7978 мм | 11,0998 мм | 2,9972 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 1,25 Вт | 260 | БД136 | 3 | Одинокий | 40 | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 500мВ | 45В | 1,5 А | 45В | 5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6097-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc6097e-datasheets-9503.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 800мВт | ОДИНОКИЙ | 3 | 800мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 3А | 390 МГц | 100 В | 6,5 В | 300 | 1 мкА ИКБО | НПН | 300 @ 100 мА 2 В | 390 МГц | 135 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29БГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-tip29cg-datasheets-7076.pdf | 80В | 1А | ТО-220-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ29 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 80В | 700мВ | 80В | 1А | 3 МГц | 80В | 5В | 40 | 300 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-bc857ce6327htsa1-datasheets-0288.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | 200 мА | е3 | Олово (Вс) | Не содержит галогенов | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC857 | Одинокий | 330мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | 650 мВ | 650 мВ | 100 мА | 250 МГц | 50В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BD675G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bd681g-datasheets-9423.pdf | 45В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,74 мм | 11,04 мм | 2,66 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | БД675 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 45В | 2,5 В | 45В | 4А | 1 МГц | 45В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| PHE13007,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | МЭК-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | PHE13007 | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | ТО-220АБ | 400В | 8А | 200 мкА | НПН | 8 @ 2А 5В | 350 мВ при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXTA92 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cxta92trpbfree-datasheets-9532.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 50 МГц | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX757 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx757-datasheets-9536.pdf | -300В | -500мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX757 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -500мА | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 30 МГц | 300В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP749FTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxtp749fta-datasheets-9341.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 725 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXTP749 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 3А | 25 В | 25 В | 25 В | 3А | 35В | 7В | 50на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 350 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD680AG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-bd676g-datasheets-9457.pdf | -80В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,74 мм | 11,04 мм | 2,66 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | БД680 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 80В | 2,8 В | 80В | 4А | 1 МГц | 80В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 2А 3В | 2,8 В @ 40 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N3393 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 100на ИКБО | НПН | 90 при 2 мА 4,5 В | 120 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД680 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd677-datasheets-2135.pdf | -80В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | 40 Вт | БД680 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 2,5 В | 80В | 4А | 10 МГц | 80В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CBCX68 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbcx68trpbfree-datasheets-9402.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 65 МГц | 20 В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 85 @ 500 мА 1 В | 65 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD682G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/onsemiconductor-bd676g-datasheets-9457.pdf | -100В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | BD682 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 4А | 100 В | 2,5 В | 100 В | 4А | 100 В | 5В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||
| MJE344G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 15 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mje344g-datasheets-9488.pdf | 120 В | 500 мА | ТО-225АА, ТО-126-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 20 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200В | 1В | 200В | 500 мА | 15 МГц | 200В | 5В | 30 | 1 мА | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | 1 В при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4135T-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc4135te-datasheets-9496.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 Вт | 2SC4135 | 3 | 1 Вт | 100 В | 100 В | 2А | 120 В | -6В | 100 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 400 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2039-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2039tle-datasheets-8972.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,5 мм | 2,3 мм | 5,5 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 360 МГц | 8541.21.00.75 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2SA2039 | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 400 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | 50В | 160 мВ | 50В | 5А | 360 МГц | 100 В | 6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 360 МГц | 430 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||
| BD681G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/onsemiconductor-bd681g-datasheets-9423.pdf | 100 В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,74 мм | 11,04 мм | 2,66 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | BD681 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 100 В | 2,5 В | 100 В | 4А | 100 В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| МЖД112-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd112rlg-datasheets-0450.pdf | 100 В | 2А | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,38 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | НЕТ | 20 Вт | 260 | MJD112 | 4 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2А | 100 В | 2В | 100 В | 2А | 25 МГц | 100 В | 5В | 20 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 2А 3В | 25 МГц | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC4027T-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1552stle-datasheets-9140.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 1 Вт | 2SC4027 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1 Вт | 160 В | 160 В | 1,5 А | 180 В | -6В | 100 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1801S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1801se-datasheets-9434.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 2SD1801 | 3 | 800мВт | 50В | 50В | 2А | 60В | 6В | 100 | 100на ИКБО | НПН | 140 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 400 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CXT3906 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cxt3904trpbfree-datasheets-9233.pdf | ТО-243АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1,2 Вт | 1,2 Вт | 250 МГц | 40В | 200 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД882ИС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 90 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ksd882ystu-datasheets-2369.pdf | 30В | 3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | КСД882 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 90 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30В | 300мВ | 30В | 3А | 90 МГц | 40В | 5В | 60 | 1 мкА ИКБО | НПН | 160 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД1691ГС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksd1691ystu-datasheets-6899.pdf | 60В | 5А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,3 Вт | КСД1691 | Одинокий | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | НПН | 60В | 60В | 100 мВ | 60В | 5А | 3 МГц | 60В | 7В | 100 | 10 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 2А 1В | 300 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD677G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/onsemiconductor-bd681g-datasheets-9423.pdf | -60В | -4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | БД677 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 60В | 2,5 В | 60В | 4А | 200 МГц | 60В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А |
