Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Время падения-Макс (тс) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC807-25LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc80725lt1g-datasheets-2112.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC807 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | -700мВ | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 160 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4041ПТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pbss4041pt215-datasheets-9597.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | Олово | Нет | е3 | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | PBSS4041P | 3 | Одинокий | 1,1 Вт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | 60В | 2,7А | 150 МГц | 60В | 5В | 35 | 100нА | ПНП | 150 @ 1А 2В | 360 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJT4030PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-njt4030pt1g-datasheets-9572.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,6802 мм | 1651 мм | 3,7084 мм | Без свинца | 4 | 4 недели | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НДЖТ4030 | 4 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 40В | 40В | 500мВ | 40В | 3А | 160 МГц | 40В | 6В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 1А 1В | 500 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBT3906WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbt3904wt1g-datasheets-6776.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 40В | 400мВ | 200 мА | 250 МГц | 200 мА | 70нс | -40В | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBT3904L РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-mmbt3904lrfg-datasheets-9505.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 24 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 40В | 200 мА | 50нА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4560ПА,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-pbss4560pa115-datasheets-9661.pdf | 3-PowerUDFN | 3 | 8 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,1 Вт | ДВОЙНОЙ | ПБСС4560 | 3 | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 60В | 6А | 150 МГц | 60В | 6В | 70 | 100нА | НПН | 210 @ 2А 2В | 290 мВ при 300 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 30 В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 30 В | 30 В | 600мВ | 30 В | 100 мА | 100 МГц | 30 В | 5В | 420 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847C,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-bc847235-datasheets-1123.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC847 | 3 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | ТО-236АБ | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5866TLQ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 60В | 2А | СК-96 | Без свинца | 3 | 20 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC5866 | 3 | Одинокий | 10 | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2А | 60В | 60В | 200 мВ | 60В | 2А | 200 МГц | 60В | 6В | 120 | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846ALT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 65В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 65В | 65В | 600мВ | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC850*Л | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 420 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СБКП53-16Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-bcp5316t1g-datasheets-7196.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCP53 | 4 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | -500мВ | 80В | 1,5 А | 50 МГц | 100 В | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846B,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC846 | 3 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 100 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NJT4031NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 215 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-njt4031nt1g-datasheets-9739.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 7 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NJT4031 | 4 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 215 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 3А | 215 МГц | 40В | 6В | 220 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 1А 1В | 300 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJL21194G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/onsemiconductor-mjl21193g-datasheets-8681.pdf | 250 В | 16А | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,3 мм | 29 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 200 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 В | 1,4 В | 250 В | 16А | 4 МГц | 400В | 5В | 25 | 100 мкА | НПН | 25 @ 8А 5В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4403LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-smmbt4403lt1g-datasheets-2627.pdf | -40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ4403 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | -750мВ | 40В | 600 мА | 200 МГц | 255 нс | 40В | 5В | 30 | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 8,5 пФ | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2907АЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbt2907alt1g-datasheets-6909.pdf | -60В | -600мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ2907А | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 600 мА | 200 МГц | 45нс | 60В | 5В | 75 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bc81716lt1g-datasheets-2086.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 160 | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BLT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 200 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC858CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc856alt1g-datasheets-0945.pdf | -30В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 300мВт | 30 В | 30 В | -650мВ | 30 В | 100 мА | 100 МГц | 30 В | 5В | 420 | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bc856alt1g-datasheets-0945.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 45В | 45В | -650мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 420 | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJW1302AG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mjw3281ag-datasheets-8741.pdf | -230В | -15А | ТО-247-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 200 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | ТО-247АД | 230В | 400мВ | 230В | 15А | 30 МГц | 230В | 5В | 50 | 50 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 7А 5В | 2 В при 1 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-16LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-bc81716lt1g-datasheets-2086.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 100 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ3906,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmbt3906215-datasheets-9446.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBT3906 | 3 | Одинокий | 40 | 250 мВт | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | 40В | 200 мА | 250 МГц | 75нс | 70нс | 40В | 6В | 0,4 В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 4,5 пФ | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ3906,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmbt3906215-datasheets-9446.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBT3906 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | Одинокий | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,25 Вт | 250 мВт | 250 МГц | 40В | 200 мА | 75нс | 70нс | 0,4 В | 50на ИКБО | 75нс | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 4,5 пФ | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 420 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ11033G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mj11032g-datasheets-8829.pdf | -120 В | 50А | ТО-204АЭ | 38,86 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПНП | НЕТ | 300 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 50А | 120 В | 2,5 В | 120 В | 50А | 120 В | 5В | 2мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 25А 5В | 3,5 В при 500 мА, 50 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2219A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2219apbfree-datasheets-9316.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 40В | 800мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-40,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc81725215-datasheets-1701.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | ТО-236АБ | 100 МГц | 45В | 500 мА | 0,7 В | 100на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-40W,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc81725w115-datasheets-2175.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 5А | е3 | 45В | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 0,7 В | 100на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 5пФ | 700 мВ при 50 мА, 500 мА |
