Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC817-40,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc81725215-datasheets-1701.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | ТО-236АБ | 100 МГц | 45В | 500 мА | 0,7 В | 100на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-40W,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc81725w115-datasheets-2175.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 5А | е3 | 45В | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 0,7 В | 100на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 5пФ | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4401LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbt4401lt1g-datasheets-6980.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ4401 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 250 МГц | 255 нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT13N50DE6TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 115 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxt13n50de6ta-datasheets-8164.pdf | 50В | 4А | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 14,996898мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXT13N50D | 6 | Одинокий | 40 | 1,7 Вт | 1 | Другие транзисторы | 115 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 4А | 50В | 50В | 145 мВ | 50В | 4А | 115 МГц | 100В | 7,5 В | 100нА | НПН | 300 @ 1А 2В | 180 мВ при 400 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ11015G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mj11015g-datasheets-9086.pdf | -120 В | -30А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | НЕТ | 200 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 30А | 120 В | 3В | 120 В | 30А | 4 МГц | 120 В | 5В | 1000 | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 20А 5В | 4 МГц | 4 В при 300 мА, 30 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ696БТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/diodesincorporated-fzt696bta-datasheets-8731.pdf | 180 В | 500 мА | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 16 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ696 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г4 | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500 мА | 180 В | 180 В | 250 мВ | 180 В | 500 мА | 70 МГц | 180 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 150 @ 200 мА 5 В | 70 МГц | 250 мВ при 5 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ21194G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mj21194g-datasheets-9103.pdf | 250В | 16А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250В | 1,4 В | 250В | 16А | 4 МГц | 400В | 5В | 25 | 100 мкА | НПН | 25 @ 8А 5В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ692БТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt692bta-datasheets-8594.pdf | 70В | 1А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 13 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ692 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г4 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2А | 70В | 70В | 500мВ | 70В | 2А | 150 МГц | 70В | 5В | 400 | 100нА | НПН | 150 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-bc80740215-datasheets-1660.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC807 | 3 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 250 мВт | ТО-236АБ | 80 МГц | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 80 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 30 В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 30 В | 30 В | 600мВ | 30 В | 100 мА | 100 МГц | 30 В | 5В | 200 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-mmbt3904215-datasheets-8984.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,1 мм | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ3904 | 3 | 40 | 250 мВт | 1 | Не квалифицирован | 150°С | 150°С | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200 мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 100 | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW, 135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC846 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 65В | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 6В | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847C, 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-bc847235-datasheets-1123.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC847 | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT2222A TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt2222atrpbfree-datasheets-8297.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,35 Вт | 350 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BW, 135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-bc847235-datasheets-1123.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 1А | е3 | 45В | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC847 | 3 | Одинокий | 30 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ600ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt600ta-datasheets-8323.pdf | 140 В | 2А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,55 мм | 1,65 мм | 3,55 мм | Без свинца | 4 | 12 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ600 | 4 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 140 В | 140 В | 1,1 В | 140 В | 2А | 250 МГц | 160 В | 10 В | 2000 г. | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 250 МГц | 1,2 В при 10 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BW, 115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-bc847235-datasheets-1123.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC847 | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2905A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2905apbfree-datasheets-9041.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 3 Вт | 600мВт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ2222А,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pmbt2222a215-datasheets-8791.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | СИЛЬНОТОКОВЫЙ ДРАЙВЕР | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBT2222A | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | 300 МГц | 40В | 600 мА | 250 нс | 1 В | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 8пФ | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BLT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | 65В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 65В | 65В | 600мВ | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 6В | 200 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ15024G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mj15024g-datasheets-8879.pdf | 250В | 16А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250В | 1,4 В | 250В | 16А | 4 МГц | 400В | 5В | 15 | 500 мкА | НПН | 15 @ 8А 4В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846B,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC846 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250 мВт | ТО-236АБ | 100 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММТ417ТД | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fmmt417td-datasheets-8591.pdf | 100В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 мм | 1,1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ417 | Одинокий | 40 | 330мВт | 1 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 100В | 100В | 500мВ | 100В | 500 мА | 40 МГц | 320В | 6В | 100на ИКБО | NPN — лавинный режим | 25 @ 10 мА 10 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STD1665T4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2std1665t4-datasheets-8423.pdf | 150 В | 6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2STD1665 | 3 | Одинокий | 30 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 65В | 65В | 600мВ | 65В | 6А | 150 В | 7В | 150 | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 2А 1В | 380 мВ при 300 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW, 115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | СК-70, СОТ-323 | 1,1 мм | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC846 | 3 | 40 | 200мВт | 1 | Не квалифицирован | 150°С | 150°С | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200 мВ | 65В | 100 мА | 100 МГц | 80В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2222АУА | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ttelectronicsoptektechnology-2n2222aua-datasheets-8939.pdf | 4-CLCC | 5,715 мм | 1905 мм | 3,937 мм | 15 недель | 4 | НПН | 500мВт | Одинокий | 500мВт | Керамический SMD | 800мА | 500мВт | 50В | 1В | 50В | 800мА | 50В | 800мА | 75В | 6В | 50нА | НПН | 75 @ 1 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3440 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3440pbfree-datasheets-8788.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250В | 20 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 15 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ15003G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mj15003g-datasheets-8807.pdf | 140 В | 20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 140 В | 1В | 140 В | 20А | 2 МГц | 140 В | 5В | 25 | 250 мкА | НПН | 25 @ 5А 2В | 1 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ11021G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mj11021g-datasheets-8812.pdf | -250В | -15А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 6.40101г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | НЕТ | 175 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 175 Вт | 250В | 2В | 250В | 15А | 6 МГц | 250В | 50В | 100 | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 400 @ 10А 5В | 3,4 В при 150 мА, 15 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX1049A | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx1049a-datasheets-8815.pdf | 25В | 4А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX1049A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 4А | 25В | 25В | 4А | 180 МГц | 80В | 5В | 10нА | НПН | 300 @ 1А 2В | 220 мВ при 50 мА, 4 А |
