Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG8CH42K10D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH28UD1MPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irg7ph28ud1pbf-datasheets-9443.pdf | ТО-247-3 | 3 | EAR99 | Нет | 115 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 115 Вт | 1,2 кВ | 2,3 В | 30А | 1200В | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 6В | 2,3 В @ 15 В, 15 А | Тренч | 90 НК | 100А | -/229нс | 543 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N135IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n135ihrwg-datasheets-0505.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 10 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 394 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 394 Вт | 1,35 кВ | 2,3 В | 1,35 кВ | 60А | 1350В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,65 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 234 НК | 120А | -/250нс | 850 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PK42UD1MPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH29K10D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH10K10F | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600В, 5А, 47Ом, 15В | 2В @ 15В, 5А | 30 НК | 20 нс/160 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH75K10EF-Р | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 1,53 В | 1200В | 600 В, 100 А, 5 Ом, 15 В | 30 В | 7,5 В | 1,53 В @ 15 В, 20 А | 500 НК | 120 нс/445 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH20K10D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PK42UD1-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73K10EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 1,6 В | 1200В | 600 В, 75 А, 4,7 Ом, 15 В | 1,6 В @ 15 В, 20 А | 360 НК | 63 нс/267 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH50U-EP | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irg7ph50uep-datasheets-0479.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | 556 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 556 Вт | ТО-247АД | 1,2 кВ | 75 нс | 2В | 140А | 60нс | 1200В | 710 нс | 600 В, 50 А, 5 Ом, 15 В | 6В | 2В @ 15В, 50А | Тренч | 440 НК | 150А | 35 нс/430 нс | 4,6 мДж (вкл.), 3,2 мДж (выкл.) | 65нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH81K10EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | 175°С | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150А | 1200В | 30 В | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH75UED-R | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH46UEF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40Х65ФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | полупансион | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa40h65fb-datasheets-0486.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СТГВА40 | 283 Вт | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | 40 нс/142 нс | 498 мкДж (вкл.), 363 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH42UED | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGPS66160DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineon-irgps66160dpbf-datasheets-6406.pdf | ТО-274АА | 16,1 мм | 20,8 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 247 | EAR99 | 750 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 750 Вт | 95 нс | 600В | 1,65 В | 210 нс | 1,95 В | 240А | 350 нс | 400 В, 120 А, 4,7 Ом, 15 В | 1,95 В при 15 В, 120 А | 220 НК | 360А | 80 нс/190 нс | 4,47 мДж (вкл.), 3,43 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25GR120SSCD10 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt25gr120bscd10-datasheets-9644.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 3 | 521 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 521 Вт | 1,2 кВ | 3,2 В | 75А | 1200В | 600 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В | 6,5 В | 3,2 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 203 НК | 100А | 16 нс/122 нс | 434 мкДж (вкл.), 466 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73UEF-R | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 75А | 1,2 кВ | 2В | 1200В | 600 В, 75 А, 5 Ом, 15 В | 30 В | 6В | 2 В @ 15 В, 75 А | 540 НК | 90 нс/580 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ20Н120IHWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtb20n120ihwg-datasheets-0393.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 341 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 341 Вт | 1,2 кВ | 2,2 В | 2,65 В | 40А | 1200В | 395 нс | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,65 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 150 НК | 80А | -/170нс | 480 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| NGTG30N60FLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtg30n60flwg-datasheets-0396.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 250 Вт | 3 | Одинокий | 250 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 1,65 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 170 НК | 120А | 83 нс/170 нс | 700 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP4009ANS-01#Q6 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamerica-rjp4009ans01q6-datasheets-0398.pdf | 8-ВДФН | Без свинца | 16 недель | 8 | да | 1,8 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 400В | 9В | 9 В @ 2,5 В, 150 А | 150А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРГП65Г40Д0 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CooliRIGBT™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirgf65g40d0-datasheets-0028.pdf | ТО-247-3 | 11 недель | EAR99 | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 41нс | 600В | 62А | 400 В, 20 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 20 А | 270 НК | 84А | 35 нс/142 нс | 298 мкДж (вкл.), 147 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ30Н60ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n60flwg-datasheets-0404.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 72 нс | 600В | 1,65 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 170 НК | 120А | 83 нс/170 нс | 700 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ15С120ДФ3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw15s120df3-datasheets-0407.pdf | ТО-247-3 | 40 недель | Нет СВХК | EAR99 | 259 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВ15 | НЕ УКАЗАН | 259 Вт | 270 нс | 1,2 кВ | 2,05 В | 30А | 1200В | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 2,05 В при 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 53нК | 60А | 23 нс/140 нс | 540 мкДж (вкл.), 1,38 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73UED-R | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4640DTRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-irgs4640dtrrpbf-datasheets-0201.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | EAR99 | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 89 нс | 600В | 1,9 В | 65А | 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 24 А | 75 НК | 72А | 41 нс/104 нс | 115 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73K10EF-Р | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 1,6 В | 1200В | 600В, 75А, 5Ом, 15В | 1,6 В @ 15 В, 20 А | 420 НК | 105 нс/45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ60Н60СВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngtb60n60swg-datasheets-0358.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 6 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 298 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 298 Вт | 76 нс | 600В | 2,6 В | 600В | 120А | 400 В, 60 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,5 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 173 НК | 240А | 87 нс/180 нс | 1,41 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60А83РДПД-А0#Дж2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60a83rdpda0j2-datasheets-0415.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | EAR99 | 51 Вт | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 51 Вт | 130 нс | 600В | 600В | 20А | 300 В, 10 А, 5 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 10 А | Тренч | 19,7 нК | 31 нс/54 нс | 230 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) |
