Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJP4009ANS-01#Q6 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamerica-rjp4009ans01q6-datasheets-0398.pdf | 8-ВДФН | Без свинца | 16 недель | 8 | да | 1,8 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 400В | 9В | 9 В @ 2,5 В, 150 А | 150А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРГП65Г40Д0 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CooliRIGBT™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirgf65g40d0-datasheets-0028.pdf | ТО-247-3 | 11 недель | EAR99 | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 Вт | 41нс | 600В | 62А | 400 В, 20 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 20 А | 270 НК | 84А | 35 нс/142 нс | 298 мкДж (вкл.), 147 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ30Н60ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n60flwg-datasheets-0404.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 72 нс | 600В | 1,65 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 170 НК | 120А | 83 нс/170 нс | 700 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||
| СТГВ15С120ДФ3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw15s120df3-datasheets-0407.pdf | ТО-247-3 | 40 недель | Нет СВХК | EAR99 | 259 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВ15 | НЕ УКАЗАН | 259 Вт | 270 нс | 1,2 кВ | 2,05 В | 30А | 1200В | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 2,05 В при 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 53нК | 60А | 23 нс/140 нс | 540 мкДж (вкл.), 1,38 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73UED-R | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4640DTRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-irgs4640dtrrpbf-datasheets-0201.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | EAR99 | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 89 нс | 600В | 1,9 В | 65А | 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В при 15 В, 24 А | 75 НК | 72А | 41 нс/104 нс | 115 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH73K10EF-Р | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | Править | 1,2 кВ | 1,6 В | 1200В | 600В, 75А, 5Ом, 15В | 1,6 В @ 15 В, 20 А | 420 НК | 105 нс/45 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ60Н60СВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngtb60n60swg-datasheets-0358.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 6 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 298 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 298 Вт | 76 нс | 600В | 2,6 В | 600В | 120А | 400 В, 60 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,5 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 173 НК | 240А | 87 нс/180 нс | 1,41 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60А83РДПД-А0#Дж2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60a83rdpda0j2-datasheets-0415.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | EAR99 | 51 Вт | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 51 Вт | 130 нс | 600В | 600В | 20А | 300 В, 10 А, 5 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 10 А | Тренч | 19,7 нК | 31 нс/54 нс | 230 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ50Н60ФЛ2ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtb50n60fl2wg-datasheets-0300.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 5 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 417 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 417 Вт | 94 нс | 600В | 2В | 100А | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 50А | Траншейная полевая остановка | 220 НК | 200А | 100 нс/237 нс | 1,5 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ50Н60С1ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ngtb50n60s1wg-datasheets-0304.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 417 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 417 Вт | 94 нс | 600В | 1,8 В | 2В | 100А | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 50А | Тренч | 220 НК | 200А | 100 нс/237 нс | 1,5 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH20K10EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60D1DPP-E0#T2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60d1dppe0t2-datasheets-0312.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 3 | EAR99 | 30 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 Вт | 70 нс | 600В | 2,5 В | 20А | 300 В, 10 А, 5 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 10 А | Тренч | 13нК | 30 нс/42 нс | 100 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH1BG7RDPK-00#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16 недель | 3 | Одинокий | 1,1 кВ | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ15Б60Д2 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 42 Вт | ТО-220-3Ф | 42 Вт | 105 нс | 600В | 1,8 В | 23А | 600В | 23А | 400В, 10А, 30Ом, 15В | 1,8 В @ 15 В, 10 А | 17,4 нК | 40А | 10 нс/72 нс | 260 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8P08N120KD-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-irg8p08n120kdpbf-datasheets-0224.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 6,500007г | EAR99 | неизвестный | 89 Вт | Одинокий | 50 нс | 1,2 кВ | 1,7 В | 2В | 8А | 1200В | 15А | 600 В, 5 А, 47 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 5А | 45 НК | 20 нс/160 нс | 300 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRGF76524D0 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 10 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4790-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgp4790pbf-datasheets-0156.pdf | ТО-247-3 | EAR99 | 455 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 650В | 2В | 140А | 400 В, 75 А, 10 Ом, 15 В | 2В при 15В, 75А | 210 НК | 225А | 50 нс/200 нс | 2,5 мДж (вкл.), 2,2 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4630DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-irgp4630dpbf-datasheets-9772.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 260,39037мг | 3 | EAR99 | неизвестный | 206 Вт | Одинокий | 100 нс | 600В | 2,15 В | 1,95 В | 30А | 47А | 400 В, 18 А, 22 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 18 А | 35 НК | 54А | 40 нс/105 нс | 95 мкДж (вкл.), 350 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ15Н120IHWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ngtb15n120ihwg-datasheets-0275.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 29 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 278 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 278 Вт | 1,2 кВ | 2,1 В | 2,45 В | 30А | 1200В | 385 нс | 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,45 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 60А | -/130нс | 360 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||
| IRG7CH28UEF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | Править | 1,2 кВ | 1,55 В | 1200В | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 1,55 В @ 15 В, 2,5 А | 60 НК | 35 нс/225 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ25Н120СВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtb25n120swg-datasheets-0278.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 26 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 385 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 385 Вт | 154 нс | 1,2 кВ | 2В | 2,4 В | 50А | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | Тренч | 178 НК | 100А | 87 нс/179 нс | 1,95 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||
| ИКЗ75Н65НХ5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ikz75n65nh5xksa1-datasheets-0338.pdf | ТО-247-4 | Без свинца | 4 | 14 недель | 4 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 395 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 395 Вт | 59 нс | 650В | 71 нс | 650В | 90А | 485 нс | 400 В, 37,5 А, 27 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Тренч | 166 НК | 300А | 52 нс/412 нс | 880 мкДж (вкл.), 520 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||
| IRGP4760-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgp4760pbf-datasheets-0205.pdf | ТО-247-3 | EAR99 | 325 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 325 Вт | 650В | 2В | 90А | 400 В, 48 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 48А | 145 НК | 144А | 70 нс/140 нс | 1,7 мДж (вкл.), 1 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8P60N120KD-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irg8p60n120kdpbf-datasheets-0054.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 6,500007г | EAR99 | неизвестный | 420 Вт | Одинокий | 210 нс | 1,2 кВ | 1,7 В | 2В | 60А | 1200В | 100А | 600 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | 345 НК | 120А | 40 нс/240 нс | 2,8 мДж (вкл.), 2,3 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ65Д27БДПК-А0#Т0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 16 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH28UED | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60A81RDPD-A0#J2 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60a81rdpda0j2-datasheets-0289.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | 3 | 29,4 Вт | 4 | Одинокий | 29,4 Вт | 100 нс | 600В | 2,4 В | 10А | 300 В, 5 А, 5 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 5 А | Тренч | 11 НК | 30 нс/40 нс | 130 мкДж (вкл.), 60 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ45Н60С1ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtb45n60s1wg-datasheets-0350.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 28 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 70 нс | 600В | 2В | 2,4 В | 90А | 400 В, 45 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В при 15 В, 45 А | Тренч | 125 НК | 180А | 72 нс/132 нс | 1,25 мДж (вкл.), 530 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7CH11K10EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS |
