Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRGS4607DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgb4607dpbf-datasheets-9759.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 20 недель | 260,39037мг | EAR99 | неизвестный | 58 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 48 нс | 600В | 2,2 В | 51 нс | 2,05 В | 7А | 11А | 95 нс | 400 В, 4 А, 100 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 4 А | 9нК | 12А | 27 нс/120 нс | 140 мкДж (вкл.), 62 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N120IHLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ngtb40n120ihlwg-datasheets-9977.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 260 Вт | 3 | Одинокий | 260 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | 1,9 В | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 565 нс | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,35 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 420 НК | 320А | -/360нс | 1,4 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||
| IRGP6690D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgp6690depbf-datasheets-9980.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 14 недель | 6,500007г | 3 | EAR99 | 483 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 483 Вт | 90 нс | 600В | 1,65 В | 1,95 В | 140А | 400 В, 75 А, 10 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 75 А | 140 НК | 225А | 85 нс/222 нс | 2,4 мДж (вкл.), 2,2 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP6640D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgp6640depbf-datasheets-9987.pdf | ТО-247-3 | 6,500007г | 3 | EAR99 | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 70 нс | 600В | 1,65 В | 1,95 В | 53А | 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 24 А | 50 НК | 72А | 40 нс/100 нс | 90 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ25Н120ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngtb25n120flwg-datasheets-9994.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 23 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 192 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 91 нс | 228 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 192 Вт | 240 нс | 1,2 кВ | 2В | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 220 НК | 200А | 91 нс/228 нс | 1,5 мДж (вкл.), 950 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||
| НГТБ75Н60ФЛ2ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtb75n60fl2wg-datasheets-9998.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 595 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 595 Вт | 80 нс | 600В | 600В | 100А | 400 В, 75 А, 10 Ом, 15 В | 2В при 15В, 75А | Траншейная полевая остановка | 310 НК | 200А | 110 нс/270 нс | 1,5 мДж (вкл.), 1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIG074E8-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-tig074e8tlh-datasheets-0003.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 17 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 8 | 400В | 400В | 100А | 5,4 В @ 2,5 В, 100 А | 150А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGR4607DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgb4607dpbf-datasheets-9759.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 20 недель | 350,003213мг | 3 | EAR99 | неизвестный | 58 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-252АА | 48 нс | 600В | 2,2 В | 51 нс | 2,05 В | 7А | 11А | 95 нс | 400 В, 4 А, 100 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 4 А | 9нК | 12А | 27 нс/120 нс | 140 мкДж (вкл.), 62 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ50Н60ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtb50n60flwg-datasheets-0009.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 223 Вт | 3 | Одинокий | 223 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 116 нс | 292 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 85нс | 600В | 1,65 В | 600В | 100А | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 310 НК | 200А | 116 нс/292 нс | 1,1 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP6630DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irgp6630dpbf-datasheets-0012.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 192 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 192 Вт | 70 нс | 600В | 1,65 В | 1,95 В | 47А | 400 В, 18 А, 22 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 18 А | 30 НК | 54А | 40 нс/95 нс | 75 мкДж (вкл.), 350 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ40Н120ФЛРГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngtb40n120flwg-datasheets-0016.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 260 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 260 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200 нс | 1,2 кВ | 2В | 172 нс | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 630 нс | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 415 НК | 160А | 130 нс/385 нс | 2,6 мДж (вкл.), 1,6 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||
| RJP60D0DPM-00#T1 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjp60d0dpm00t1-datasheets-9954.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 16 недель | да | 40 Вт | НЕ УКАЗАН | РДЖП60Д | 3 | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 600В | 2,2 В | 45А | 300 В, 22 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 22 А | 45 НК | 35 нс/90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N120IHLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ngtb30n120ihlwg-datasheets-0019.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 260 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 260 Вт | 1,2 кВ | 1,75 В | 1,2 кВ | 60А | 1200В | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 420 НК | 320А | -/360нс | 1 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N60IHLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ngtb30n60ihlwg-datasheets-9957.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 250 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 400 нс | 600В | 1,8 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 130 НК | 150А | 70 нс/140 нс | 280 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NGTG50N60FLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtg50n60flwg-datasheets-9962.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 5 недель | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 223 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 223 Вт | 600В | 1,65 В | 600В | 100А | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Тренч | 310 НК | 200А | 116 нс/292 нс | 1,1 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4610DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgb4610dpbf-datasheets-9754.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 260,39037мг | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 77 Вт | 260 | Одинокий | 30 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 74 нс | 600В | 2,14 В | 2В | 10А | 16А | 400 В, 6 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 6А | 13нК | 18А | 27 нс/75 нс | 56 мкДж (вкл.), 122 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4630D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgp4630dpbf-datasheets-9772.pdf | ТО-247-3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 206 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 206 Вт | 100 нс | 600В | 1,65 В | 1,95 В | 47А | 400 В, 18 А, 22 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 18 А | 35 НК | 54А | 40 нс/105 нс | 95 мкДж (вкл.), 350 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGS4615DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgb4615dpbf-datasheets-9808.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 260,39037мг | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 99 Вт | 260 | Одинокий | 30 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60 нс | 600В | 2В | 1,85 В | 15А | 23А | 400 В, 8 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,85 В @ 15 В, 8 А | 19 НК | 24А | 30 нс/95 нс | 70 мкДж (вкл.), 145 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PH35UD1-EP | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-irg7ph35ud1pbf-datasheets-8554.pdf | ТО-247-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | 179 Вт | 250 | IRG7PH35 | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 179 Вт | ТО-247АД | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 2,2 В | 50А | 1200В | 400 нс | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 6В | 2,2 В @ 15 В, 20 А | Тренч | 130 НК | 150А | -/160нс | 620 мкДж (выкл.) | 105 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| IRGR4045DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-irgr4045dpbf-datasheets-9252.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 27 недель | 3 | EAR99 | Нет | 77 Вт | ИРГР4045 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 77 Вт | 74 нс | 600В | 2В | 12А | 15 нс | 400 В, 6 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 6А | Тренч | 19,5 НК | 18А | 27 нс/75 нс | 56 мкДж (вкл.), 122 мкДж (выкл.) | 22нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ40Н120ЛВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ngtb40n120lwg-datasheets-9923.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 260 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 260 Вт | 1,2 кВ | 1,9 В | 178 нс | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 565 нс | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,35 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 420 НК | 320А | 140 нс/360 нс | 5,5 мДж (вкл.), 1,4 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||
| IRGS4620DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/infineontechnologies-irgp4620depbf-datasheets-9766.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | 260,39037мг | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 140 Вт | 260 | Одинокий | 30 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 68 нс | 600В | 1,97 В | 1,85 В | 20А | 32А | 400 В, 12 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,85 В @ 15 В, 12 А | 25 НК | 36А | 31 нс/83 нс | 75 мкДж (вкл.), 225 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGR4607DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgb4607dpbf-datasheets-9759.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | 350,003213мг | Нет СВХК | 3 | EAR99 | неизвестный | 58 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 58 Вт | ТО-252АА | 48 нс | 600В | 1,75 В | 51 нс | 2,05 В | 11А | 95 нс | 400 В, 4 А, 100 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 4 А | 9нК | 12А | 27 нс/120 нс | 140 мкДж (вкл.), 62 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRGR4610DTRRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgb4610dpbf-datasheets-9754.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 20 недель | 350,003213мг | 3 | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 77 Вт | 260 | Одинокий | 30 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 74 нс | 600В | 2,14 В | 2В | 10А | 16А | 400 В, 6 А, 47 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 6А | 13нК | 18А | 27 нс/75 нс | 56 мкДж (вкл.), 122 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИГ056БФ-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-tig056bf-datasheets-9211.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 10 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 30 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 Вт | 430В | 5В | 240А | 320 В, 240 А, 10 Ом, 15 В | 5В | 5 В @ 15 В, 240 А | 46 нс/140 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60V3BDPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60v3bdpe00j3-datasheets-9370.pdf | СК-83 | 2 | 16 недель | 83 | EAR99 | 113 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | РДЖХ60В | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 113 Вт | 600В | 25 нс | 600В | 60 нс | 2,2 В | 35А | 165 нс | 300 В, 17 А, 5 Ом, 15 В | 30 В | 2,2 В @ 15 В, 17 А | Тренч | 60 НК | 40 нс/90 нс | 90 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| РДЖХ60В1БДПЭ-00#Дж3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60v1bdpe00j3-datasheets-9406.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | EAR99 | 52 Вт | НЕ УКАЗАН | РДЖХ60В | 4 | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 52 Вт | 600В | 25 нс | 600В | 2,2 В | 16А | 300 В, 8 А, 5 Ом, 15 В | 30 В | 2,2 В @ 15 В, 8 А | Тренч | 19 НК | 30 нс/55 нс | 17 мкДж (вкл.), 110 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4263D-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irgp4263dpbf-datasheets-9812.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 15 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 325 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 325 Вт | 170 нс | 650В | 1,7 В | 2,1 В | 90А | 80нс | 400 В, 48 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7,7 В | 2,1 В при 15 В, 48 А | 145 НК | 192А | 70 нс/140 нс | 2,9 мДж (вкл.), 1,4 мДж (выкл.) | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N60IHLWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ngtb40n60ihlwg-datasheets-9950.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 250 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 400 нс | 600В | 2В | 110 нс | 600В | 80А | 230 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 130 НК | 200А | 70 нс/140 нс | 400 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||
| IRGP4620DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-irgp4620depbf-datasheets-9766.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | Нет СВХК | 3 | EAR99 | 140 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 140 Вт | 68 нс | 600В | 1,55 В | 1,85 В | 32А | 400 В, 12 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,85 В @ 15 В, 12 А | 25 НК | 36А | 31 нс/83 нс | 75 мкДж (вкл.), 225 мкДж (выкл.) |
