Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение проба стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RGW60TS65DGC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw60ts65dgc11-datasheets-1895.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 178 Вт | 92нс | 50 нс | 650В | 60А | 209 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 84 НК | 120А | 37 нс/114 нс | 480 мкДж (вкл.), 490 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYP20N120C3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixya20n120c3hv-datasheets-0519.pdf | ТО-220-3 | 10,66 мм | 16 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 278 Вт | НЕ УКАЗАН | IXY*20N120 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 278 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 1,2 кВ | 4В | 60 нс | 1,2 кВ | 40А | 1200В | 220 нс | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,4 В @ 15 В, 20 А | 53нК | 96А | 20 нс/90 нс | 1,3 мДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ50ТК65GC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohmsemiconductor-rgth50tk65gc11-datasheets-1900.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | не_совместимо | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 59 Вт | 65 нс | 650В | 26А | 172 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 100А | 27 нс/94 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGCL60TS60DGC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgcl60ts60dgc11-datasheets-1902.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 111 Вт | 58нс | 600В | 48А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 68 НК | 120А | 44 нс/186 нс | 770 мкДж (вкл.), 1,11 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Н60УФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fgh40n60uftu-datasheets-1835.pdf | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 290 Вт | ФГХ40Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 24 нс | 112 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 290 Вт | ТО-247АБ | 600В | 1,8 В | 110 нс | 600В | 80А | 190 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Полевая остановка | 120 НК | 120А | 24 нс/112 нс | 1,19 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||
| RGCL80TK60GC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgcl80tk60gc11-datasheets-1842.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | не_совместимо | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 57 Вт | 114 нс | 600В | 35А | 565 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 98нК | 160А | 53 нс/227 нс | 1,11 мДж (вкл.), 1,68 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ35Н60ФЛ2ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtb35n60fl2wg-datasheets-1844.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 8 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 68 нс | 600В | 2,2 В | 600В | 70А | 400 В, 35 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 35А | Траншейная полевая остановка | 125 НК | 120А | 72 нс/132 нс | 840 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГАФ40С65АК | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Стандартный | /files/onsemiconductor-fgaf40s65aq-datasheets-1850.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 18 недель | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 94 Вт | 274 нс | 650В | 80А | 400 В, 10 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 75 НК | 160А | 17,8 нс/81,6 нс | 132 мкДж (вкл.), 62 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ40ТК65GC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohmsemiconductor-rgth40tk65gc11-datasheets-1859.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 56 Вт | 47 нс | 650В | 23А | 141 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 40 НК | 80А | 22 нс/73 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ30НС65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt30ns65dgc9-datasheets-1861.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 133 Вт | 55нс | 40 нс | 650В | 30А | 204 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 32 НК | 45А | 18 нс/64 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40IH65DF | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИХ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stgwa40ih65df-datasheets-1863.pdf | ТО-247-3 | 32 недели | совместимый | НЕ УКАЗАН | СТГВА40 | НЕ УКАЗАН | 238 Вт | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 22 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 114 НК | 120А | -/210нс | 190 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGCL80TS60GC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgcl80ts60gc11-datasheets-1878.pdf | ТО-247-3 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 148 Вт | 600В | 65А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 98нК | 160А | 53 нс/227 нс | 1,11 мДж (вкл.), 1,68 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХВ20Н120Р5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ihw20n120r5xksa1-datasheets-1880.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 288 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 288 Вт | ТО-247АС | 1,2 кВ | 92 нс | 1,2 кВ | 40А | 1200В | 685 нс | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 1,75 В @ 15 В, 20 А | 170 НК | 60А | -/260нс | 750 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGWA19NC60HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa19nc60hd-datasheets-1794.pdf | ТО-247-3 | 25,54 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6,500007г | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 208 Вт | STGWA19 | 3 | Одинокий | 208 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 150°С | Р-ПСФМ-Т3 | 25 нс | 97 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 52А | 31 нс | 600В | 2,5 В | 32 нс | 600В | 52А | 272 нс | 390 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 12 А | 53нК | 60А | 25 нс/97 нс | 85 мкДж (вкл.), 189 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ20Н60СФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 165 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 13 нс | 16 нс | 90 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 165 Вт | ТО-247АБ | 34 нс | 600В | 600В | 28 нс | 600В | 40А | 123 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,8 В @ 15 В, 20 А | Полевая остановка | 65 НК | 60А | 13 нс/90 нс | 370 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) | 48нс | ||||||||||||||||||||||||||
| FGHL40S65UQ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fghl40s65uq-datasheets-1813.pdf | ТО-247-3 Вариант | 12 недель | да | 231 Вт | 319 нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 1,7 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 306нК | 120А | 32 нс/260 нс | 1,76 мДж (вкл.), 362 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTG35N65FL2WG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ngtg35n65fl2wg-datasheets-1816.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | Олово | е3 | 300 Вт | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | 650В | 1,7 В | 108 нс | 650В | 70А | 231 нс | 400 В, 35 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 35А | Полевая остановка | 125 НК | 120А | 72 нс/132 нс | 840 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГАФ40Н60УФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fgaf40n60uftu-datasheets-1823.pdf | 600В | 40А | ТО-3П-3 Полный пакет | 15,5 мм | 26,5 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6,962 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 100 Вт | Одинокий | 100 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 40А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 3В | 67 нс | 600В | 40А | 600В | 190 нс | 300 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 3 В @ 15 В, 20 А | 77нК | 160А | 15 нс/65 нс | 470 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | 250 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА50IH65DF | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ИХ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stgwa50ih65df-datasheets-1829.pdf | ТО-247-3 | 32 недели | совместимый | НЕ УКАЗАН | СТГВА50 | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 650В | 100А | 400 В, 50 А, 22 Ом, 15 В | 2В при 15В, 50А | Траншейная полевая остановка | 158 НК | 150А | -/260нс | 284 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ30ТМ65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt30tm65dgc9-datasheets-1833.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 32 Вт | ТО-220АБ | 55нс | 40 нс | 650В | 14А | 204 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 32 НК | 45А | 18 нс/64 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ20Н60УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 165 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 13 нс | 87 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 165 Вт | ТО-247АБ | 34 нс | 600В | 600В | 29 нс | 600В | 40А | 155 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,4 В @ 15 В, 20 А | Полевая остановка | 63нК | 60А | 13 нс/87 нс | 380 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | 64нс | ||||||||||||||||||||||||||
| РГТ50НС65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt50ns65dgc9-datasheets-1770.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 194 Вт | 58нс | 65 нс | 650В | 48А | 210 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 75А | 27 нс/88 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП30В60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30v60df-datasheets-5894.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | 3 | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | 258 Вт | СТГП30 | Одинокий | 258 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 53нс | 600В | 2,35 В | 59 нс | 600В | 60А | 225 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 163 НК | 120А | 45 нс/189 нс | 383 мкДж (вкл.), 233 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ40ТМ65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt40tm65dgc9-datasheets-1776.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 39 Вт | ТО-220АБ | 58нс | 51 нс | 650В | 17А | 204 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 40 НК | 60А | 22 нс/75 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТП12Н60А4Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-hgt1s12n60a4ds-datasheets-2184.pdf | 600В | 54А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 9,4 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 167 Вт | ХГТП12Н60 | Одинокий | 167 Вт | 1 | 17 нс | 8нс | 96 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 54А | 18 нс | 600В | 2В | 33 нс | 600В | 54А | 180 нс | 390 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 12 А | 78нК | 96А | 17 нс/96 нс | 55 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||
| СТГП20НК60В | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb20nc60v-datasheets-5090.pdf | 600В | 30А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200 Вт | СТГП20 | 3 | Одинокий | 200 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 31 нс | 11нс | 150 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30А | ТО-220АБ | 600В | 2,5 В | 42,5 нс | 600В | 60А | 280 нс | 390 В, 20 А, 3,3 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | 100 НК | 100А | 31 нс/100 нс | 220 мкДж (вкл.), 330 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||
| РГТ8НС65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt8ns65dgc9-datasheets-1715.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65 Вт | 40 нс | 54 нс | 650В | 8А | 158 нс | 400 В, 4 А, 50 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 4 А | Траншейная полевая остановка | 13,5 нК | 12А | 17 нс/69 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ16НС65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt16ns65dgc9-datasheets-1717.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 94 Вт | 42нс | 27 нс | 650В | 16А | 170 нс | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП15М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp15m65df2-datasheets-1719.pdf | ТО-220-3 | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 136 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП15 | НЕ УКАЗАН | 136 Вт | 142 нс | 650В | 2В | 30А | 400 В, 15 А, 12 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 15А | Траншейная полевая остановка | 45 НК | 60А | 24 нс/93 нс | 90 мкДж (вкл.), 450 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ16ТМ65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt16tm65dgc9-datasheets-1727.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 22 Вт | ТО-220АБ | 42нс | 27 нс | 650В | 9А | 170 нс | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс |
