Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РГТ16НС65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt16ns65dgc9-datasheets-1717.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 94 Вт | 42нс | 27 нс | 650В | 16А | 170 нс | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП15М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp15m65df2-datasheets-1719.pdf | ТО-220-3 | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 136 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП15 | НЕ УКАЗАН | 136 Вт | 142 нс | 650В | 2В | 30А | 400 В, 15 А, 12 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 15А | Траншейная полевая остановка | 45 НК | 60А | 24 нс/93 нс | 90 мкДж (вкл.), 450 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ16ТМ65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt16tm65dgc9-datasheets-1727.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 22 Вт | ТО-220АБ | 42нс | 27 нс | 650В | 9А | 170 нс | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП19NC60SD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp19nc60sd-datasheets-1729.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 130 Вт | СТГП19 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | 17,5 нс | 175 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 130 Вт | ТО-220АБ | 31 нс | 600В | 23,5 нс | 600В | 40А | 535 нс | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 1,9 В @ 15 В, 12 А | 54,5 нк | 80А | 17,5 нс/175 нс | 135 мкДж (вкл.), 815 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ50ТМ65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt50tm65dgc9-datasheets-1733.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 47 Вт | ТО-220АБ | 58нс | 65 нс | 650В | 21А | 210 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 75А | 27 нс/88 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКА10Н65ЕТ6ХКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ika10n65et6xksa2-datasheets-1735.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 40 Вт | 51 нс | 650В | 15А | 400 В, 8,5 А, 47 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 8,5 А | Траншейная полевая остановка | 27 НК | 42,5А | 30 нс/106 нс | 200 мкДж (вкл.), 70 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ35Н65ФЛ2ВГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ngtb35n65fl2wg-datasheets-1737.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 21 неделя | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | Олово | 300 Вт | Одинокий | 300 Вт | 68 нс | 650В | 2,2 В | 650В | 70А | 400 В, 35 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 35А | Траншейная полевая остановка | 125 НК | 120А | 72 нс/132 нс | 840 мкДж (вкл.), 280 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП30М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp30m65df2-datasheets-1751.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 30 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 258 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП30 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 258 Вт | 140 нс | 650В | 1,55 В | 2В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 30А | Траншейная полевая остановка | 80 НК | 120А | 31,6 нс/115 нс | 300 мкДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ16НЛ65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt16nl65dgtl-datasheets-1616.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 94 Вт | 42нс | 27 нс | 650В | 16А | 170 нс | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ20Б65ЛН2 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 45 Вт | 266 нс | 650В | 40А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 20 А | 52 НК | 60А | 23 нс/135 нс | 450 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГП10Н60РУФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-sgp10n60rufdtu-datasheets-1690.pdf | 600В | 10А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 1,8 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 208 Вт | СГ*10Н60 | Одинокий | 75 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-220АБ | 42 нс | 600В | 2,2 В | 49 нс | 600В | 16А | 284 нс | 300 В, 10 А, 20 Ом, 15 В | 20 В | 8В | 2,8 В при 15 В, 10 А | 30 НК | 30А | 15 нс/36 нс | 141 мкДж (вкл.), 215 мкДж (выкл.) | 220 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП10НБ60С | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb10nb60st4-datasheets-9069.pdf | 600В | 10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 80 Вт | СТГП10 | 3 | Одинокий | 80 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 7 мкс | 10А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 10А | ТО-220АБ | 600В | 1,7 В | 1160 нс | 600В | 29А | 3100 нс | 480 В, 10 А, 1 кОм, 15 В | 20 В | 5В | 1,75 В @ 15 В, 10 А | 33 НК | 80А | 700 нс/1,2 мкс | 600 мкДж (вкл.), 5 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФГП5Н60ЛС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgp5n60ls-datasheets-1618.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | 3 | 4 недели | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 83 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ОБЩЕЕ НАЗНАЧЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 83 Вт | ТО-220АБ | 600В | 1,8 В | 5,9 нс | 600В | 10А | 187 нс | 400 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 4,5 В | 3,2 В @ 12 В, 14 А | Полевая остановка | 18,3 нК | 36А | 4,3 нс/36 нс | 38 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50GF120LRG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt50gf120b2rg-datasheets-0960.pdf | 1,2 кВ | 156А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 24 недели | да | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 781 Вт | 1,2 кВ | 106 нс | 1,2 кВ | 135А | 1200В | 520 нс | 800 В, 50 А, 1 Ом, 15 В | 30В | 6,5 В | 3 В @ 15 В, 50 А | ДНЯО | 340 НК | 150А | 25 нс/260 нс | 3,6 мДж (вкл.), 2,64 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKA08N65ET6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ika08n65et6xksa1-datasheets-1634.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 33 Вт | ТО-220АБ | 43нс | 30 нс | 650В | 11А | 147 нс | 400 В, 5 А, 47 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 5 А | Траншейная полевая остановка | 17 НК | 25А | 20 нс/59 нс | 110 мкДж (вкл.), 40 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ8ТМ65ДГК9 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt8tm65dgc9-datasheets-1642.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 16 Вт | ТО-220АБ | 40 нс | 54 нс | 650В | 5А | 158 нс | 400 В, 4 А, 50 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 4 А | Траншейная полевая остановка | 13,5 нК | 12А | 17 нс/69 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ40НЛ65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt40nl65dgtl-datasheets-1644.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 161 Вт | 58нс | 51 нс | 650В | 40А | 204 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 40 НК | 60А | 22 нс/75 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ30НЛ65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt30nl65dgtl-datasheets-1652.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 133 Вт | 55нс | 40 нс | 650В | 30А | 204 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 32 НК | 45А | 18 нс/64 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ19НК60КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb19nc60kdt4-datasheets-1498.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | Нет | 32 Вт | СТГФ19 | 3 | Одинокий | 32 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 31 нс | 600В | 2В | 38 нс | 600В | 16А | 270 нс | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,75 В @ 15 В, 12 А | 55 НК | 75А | 30 нс/105 нс | 165 мкДж (вкл.), 255 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП15Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf15h60df-datasheets-1887.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 20 недель | 6.000006г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 115 Вт | СТГП15 | Одинокий | 115 Вт | 103 нс | 600В | 1,6 В | 600В | 30А | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 15А | Траншейная полевая остановка | 81нК | 60А | 24,5 нс/118 нс | 136 мкДж (вкл.), 207 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТ50НЛ65ДГТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt50nl65dgtl-datasheets-1584.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 17 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 194 Вт | 58нс | 65 нс | 650В | 48А | 210 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 75А | 27 нс/88 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГС10Н60РУФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-sgs10n60rufdtu-datasheets-3230.pdf | 600В | 10А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 11 недель | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 55 Вт | СГ*10Н60 | Одинокий | 55 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60нс | 600В | 2,2 В | 49 нс | 600В | 16А | 284 нс | 300 В, 10 А, 20 Ом, 15 В | 20 В | 8В | 2,8 В при 15 В, 10 А | 30 НК | 30А | 15 нс/36 нс | 141 мкДж (вкл.), 215 мкДж (выкл.) | 220 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ45GP120B2DQ2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt45gp120b2dq2g-datasheets-3191.pdf | 1,2 кВ | 113А | ТО-247-3 Вариант | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 33 недели | 3 | да | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 625 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 113А | 1,2 кВ | 3,3 В | 47 нс | 1,2 кВ | 113А | 1200В | 230 нс | 600 В, 45 А, 5 Ом, 15 В | 6В | 3,9 В при 15 В, 45 А | ПТ | 185 НК | 170А | 18 нс/100 нс | 900 мкДж (вкл.), 905 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ95ГР65Б2 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt95gr65b2-datasheets-3088.pdf | ТО-247-3 | 35 недель | 892 Вт | Т-МАКС™ [Б2] | 892 Вт | 650В | 2,4 В | 208А | 650В | 208А | 433 В, 95 А, 4,3 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 95 А | ДНЯО | 420 НК | 400А | 29 нс/226 нс | 3,12 мДж (вкл.), 2,55 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКА08N65F5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ika08n65f5xksa1-datasheets-2952.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 14 недель | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 31,2 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 31,2 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 41 нс | 650В | 1,6 В | 1,6 В | 10,8А | 400 В, 4 А, 48 Ом, 15 В | 20 В | 4,8 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | 22 НК | 24А | 10 нс/116 нс | 70 мкДж (вкл.), 20 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГВ40Н65Х5ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw40n65h5fksa1-datasheets-2932.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 16 недель | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 255 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 255 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 1,6 В | 1,65 В | 74А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 4,8 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | 95 НК | 120А | 22 нс/165 нс | 390 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ngtb40n65ihl2wg-datasheets-2938.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 300 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300 Вт | 465 нс | 650В | 2,2 В | 80А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,2 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 135 НК | 160А | -/140нс | 360 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH75N65C3H1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/ixys-ixyh75n65c3h1-datasheets-2843.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 12 недель | 38.000013г | 750 Вт | Одинокий | 750 Вт | 150 нс | 650В | 1,8 В | 2,3 В | 170А | 400 В, 60 А, 3 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 60 А | ПТ | 123 НК | 360А | 27 нс/93 нс | 2,8 мДж (вкл.), 1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКА08N65H5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ika08n65h5xksa1-datasheets-2859.pdf | ТО-220-3 | 10,65 мм | 16,15 мм | 4,85 мм | Без свинца | 12 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 31,2 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 31,2 Вт | 40 нс | 650В | 1,65 В | 1,65 В | 10,8А | 400 В, 4 А, 48 Ом, 15 В | 20 В | 4,8 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | 22 НК | 24А | 11 нс/115 нс | 70 мкДж (вкл.), 30 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ45ГР65Б | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt45gr65b-datasheets-2775.pdf | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 35 недель | 38.000013г | EAR99 | 357 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 118А | 650В | 1,9 В | 2,4 В | 92А | 433 В, 45 А, 4,3 Ом, 15 В | 30В | 6,5 В | 2,4 В при 15 В, 45 А | ДНЯО | 203 НК | 168А | 15 нс/100 нс | 900 мкДж (вкл.), 580 мкДж (выкл.) |
