Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТ36GA60B | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | ТО-247-3 | 3 | 29 недель | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 290 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 290 Вт | ТО-247АД | 600В | 29 нс | 600В | 65А | 262 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 30В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | ПТ | 102 НК | 109А | 16 нс/122 нс | 307 мкДж (вкл.), 254 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ43GA90B | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛОВАЯ МОС 8™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt43ga90b-datasheets-2646.pdf | ТО-247-3 | 3 | 6 недель | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 337 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 337 Вт | 900В | 28 нс | 900В | 78А | 246 нс | 600 В, 25 А, 4,7 Ом, 15 В | 3,1 В @ 15 В, 25 А | ПТ | 116 НК | 129А | 12 нс/82 нс | 875 мкДж (вкл.), 425 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ30GS60BRDQ2G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тандерболт IGBT® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt30gs60brdq2g-datasheets-2648.pdf | ТО-247-3 | 25 недель | нет | Нет | 250 Вт | Одинокий | 250 Вт | 25 нс | 600В | 600В | 54А | 400 В, 30 А, 9,1 Ом, 15 В | 3,15 В @ 15 В, 30 А | ДНЯО | 145 НК | 113А | 16 нс/360 нс | 570 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГФ20М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | М | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf20m65df2-datasheets-2573.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | СТГФ20 | НЕ УКАЗАН | 32,6 Вт | 166 нс | 650В | 40А | 400 В, 20 А, 12 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 63нК | 80А | 26 нс/108 нс | 140 мкДж (вкл.), 560 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Б65М2 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 | 18 недель | 30 Вт | ТО-220 | 30 Вт | 262 нс | 650В | 2В | 20А | 650В | 20А | 400В, 10А, 30Ом, 15В | 2В @ 15В, 10А | 24 нС | 30А | 12 нс/91 нс | 180 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГПФ10Н60УНДФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgp20n60ufdtu-datasheets-2147.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,36 мм | 16,07 мм | 4,9 мм | 3 | 5 недель | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 42 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 42 Вт | ТО-220АБ | 37,7 нс | 600В | 2В | 15,4 нс | 600В | 20А | 89,3 нс | 400 В, 10 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 8,5 В | 2,45 В @ 15 В, 10 А | ДНЯО | 37нК | 30А | 8 нс/52,2 нс | 150 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.) | 24,8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКА15Н65Ф5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ika15n65f5xksa1-datasheets-2515.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 16 недель | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 33,3 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 33,3 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 50 нс | 650В | 1,6 В | 1,6 В | 14А | 400 В, 7,5 А, 39 Ом, 15 В | 20 В | 4,8 В | 2,1 В @ 15 В, 15 А | 38нК | 45А | 17 нс/150 нс | 130 мкДж (вкл.), 40 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОКС30Б60Д1 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альфа-БТИЗ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-247-3 | 18 недель | 208 Вт | ТО-247 | 208 Вт | 600В | 2,5 В | 60А | 600В | 60А | 400В, 30А, 10Ом, 15В | 2,5 В при 15 В, 30 А | 34 НК | 96А | 20 нс/58 нс | 1,1 мДж (вкл.), 240 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH20N120C3D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyh20n120c3d1-datasheets-2522.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 28 недель | 3 | EAR99 | 230 Вт | IXY*20N120 | Одинокий | 230 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 195 нс | 1,2 кВ | 4В | 60 нс | 1,2 кВ | 36А | 1200В | 220 нс | 600 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 3,4 В @ 15 В, 20 А | 53нК | 88А | 20 нс/90 нс | 1,3 мДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ20Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw20h60df-datasheets-2595.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | 20 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 167 Вт | СТГВ20 | Одинокий | 167 Вт | 90 нс | 600В | 2В | 600В | 40А | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 115 НК | 80А | 42,5 нс/177 нс | 209 мкДж (вкл.), 261 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBT42N170 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ixys-ixbh42n170-datasheets-2134.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | 4,500005г | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | неизвестный | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | 360 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXB*42N170 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 45 нс | 560 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 360 Вт | 1,32 мкс | 1,7 кВ | 2,3 В | 224 нс | 1,7 кВ | 80А | 1700В | 1070 нс | 20 В | 5,5 В | 2,8 В @ 15 В, 42 А | 188 НК | 300А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ200ГН60Б2Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt200gn60b2g-datasheets-2526.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 3 | EAR99 | Нет | 682 Вт | 3 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 50 нс | 560 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 682 Вт | ТО-247АС | 600В | 600В | 283А | 400 В, 200 А, 1 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,85 В @ 15 В, 200 А | Траншейная полевая остановка | 1180 НК | 600А | 50 нс/560 нс | 13 мДж (вкл.), 11 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGWT40HP65FB | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | полупансион | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwt40hp65fb-datasheets-2529.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 32 недели | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | СТГВТ40 | НЕ УКАЗАН | 283 Вт | 140 нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | -/142нс | 363 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП30В60Ф | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp30v60f-datasheets-2531.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | 260 Вт | СТГП30 | Одинокий | 260 Вт | 600В | 2,3 В | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 163 НК | 120А | 45 нс/189 нс | 383 мкДж (вкл.), 233 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGF25N250 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgf25n250-datasheets-2535.pdf | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 114 Вт | НЕ УКАЗАН | IXG*25N250 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 114 Вт | 2,5 кВ | 301 нс | 2,5 кВ | 30А | 2500В | 409 нс | 20 В | 5В | 5,2 В при 15 В, 75 А | ДНЯО | 75 НК | 200А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ40ТС65ГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rgth40ts65gc11-datasheets-2537.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | 38.000013г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | 144 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20А | 144 Вт | 650В | 1,6 В | 47 нс | 650В | 40А | 141 нс | 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 40 НК | 80А | 22 нс/73 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGSL4062DPBF | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-irgsl4062dpbf-datasheets-2549.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | ТО-262 | 250 Вт | 89нс | 600В | 48А | 400В, 24А, 10Ом, 15В | 1,95 В @ 15 В, 24 А | Тренч | 50 НК | 96А | 41 нс/104 нс | 115 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ50ТС65ГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-rgth50ts65gc11-datasheets-2550.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | 38.000013г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | 174 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25А | 174 Вт | 650В | 1,6 В | 65 нс | 650В | 50А | 172 нс | 400 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 49 НК | 100А | 27 нс/94 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ100GN60LDQ4G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt100gn60ldq4g-datasheets-2562.pdf | 600В | 100А | ТО-264-3, ТО-264АА | 26,49 мм | 5,21 мм | 20,5 мм | Без свинца | 3 | 25 недель | 10,6 г | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е1 | 625 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 229А | 600В | 1,5 В | 96 нс | 600В | 229А | 435 нс | 400 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 30В | 6,5 В | 1,85 В при 15 В, 100 А | Траншейная полевая остановка | 600 НК | 300А | 31 нс/310 нс | 4,75 мДж (вкл.), 2,675 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MMIX1X200N60B3H1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-mmix1x200n60b3h1-datasheets-2565.pdf | 24-PowerSMD, 21 вывод | 25,25 мм | 5,7 мм | 23,25 мм | 12 недель | 24 | 520 Вт | ИКГ*200Н60 | Одинокий | 520 Вт | 100 нс | 600В | 1,7 В | 175А | 360 В, 100 А, 1 Ом, 15 В | 1,7 В @ 15 В, 100 А | 315 НК | 1000А | 48 нс/160 нс | 2,85 мДж (вкл.), 2,9 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКП15Н65Н5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ikp15n65h5xksa1-datasheets-2567.pdf | ТО-220-3 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | Без свинца | 16 недель | 6.000006г | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 105 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 105 Вт | 48 нс | 650В | 1,65 В | 1,65 В | 30А | 400 В, 7,5 А, 39 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 15 А | 38нК | 45А | 17 нс/160 нс | 120 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ85ГР120Б2 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/microsemicorporation-apt85gr120b2-datasheets-2509.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 19 недель | 3 | EAR99 | Нет | 962 Вт | Одинокий | 962 Вт | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 170А | 1200В | 600 В, 85 А, 4,3 Ом, 15 В | 3,2 В при 15 В, 85 А | ДНЯО | 660 НК | 340А | 43 нс/300 нс | 6 мДж (вкл.), 3,8 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ25ГН120СГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt25gr120b-datasheets-5619.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,08 мм | 13,99 мм | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | 272 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 22 нс | 280 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 67А | 1,2 кВ | 1,7 В | 39 нс | 1,2 кВ | 67А | 1200В | 560 нс | 800 В, 25 А, 1 Ом, 15 В | 6,5 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 155 НК | 75А | 22 нс/280 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SGW13N60UFDTM | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-sgw13n60ufdtm-datasheets-2474.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60 Вт | 55нс | 62 нс | 600В | 13А | 253 нс | 300 В, 6,5 А, 50 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 6,5 А | 25 НК | 52А | 20 нс/70 нс | 85 мкДж (вкл.), 95 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXH30N65B4 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX4™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixxh30n65b4-datasheets-2513.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 17 недель | 230 Вт | Одинокий | 230 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 32 нс | 170 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 1,66 В | 2В | 65А | 400 В, 30 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2В @ 15В, 30А | ПТ | 52 НК | 146А | 32 нс/170 нс | 1,55 мДж (вкл.), 480 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГП3440Г2-Ф085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, EcoSPARK® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 4 недели | да | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 166 Вт | 166 Вт | 7000 нс | 400В | 26,9А | 12 В | 2,2 В | 1,2 В @ 4 В, 6 А | 24 нС | 1 мкс/5,3 мкс | 15000 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТГ50Н60ФРГ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ngtg50n60fwg-datasheets-2483.pdf | ТО-247-3 | ТО-247 | 223 Вт | 600В | 100А | 400В, 50А, 10Ом, 15В | 1,7 В @ 15 В, 50 А | Тренч | 310 НК | 200А | 117 нс/285 нс | 1,1 мДж (вкл.), 1,2 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ35ГН120БГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt35gn120bg-datasheets-2484.pdf | 1,2 кВ | 94А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 38.000013г | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 379 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 94А | ТО-247АД | 1,2 кВ | 1,7 В | 46 нс | 1,2 кВ | 94А | 1200В | 465 нс | 800 В, 35 А, 2,2 Ом, 15 В | 30В | 6,5 В | 2,1 В @ 15 В, 35 А | ДНЯО, Остановка траншейного поля | 220 НК | 105А | 24 нс/300 нс | 2,315 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| IXGT6N170A | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixgh6n170a-datasheets-0586.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | 4,500005г | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXG*6N170 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 75 Вт | 1,7 кВ | 7В | 91 нс | 1,7 кВ | 6А | 1700В | 271 нс | 850 В, 6 А, 33 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 7 В @ 15 В, 3 А | ДНЯО | 18,5 нК | 14А | 46 нс/220 нс | 590 мкДж (вкл.), 180 мкДж (выкл.) | 65нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ80GA90B | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt64ga90ld30-datasheets-0837.pdf | ТО-247-3 | 3 | 32 недели | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 625 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 625 Вт | 900В | 49 нс | 900В | 145А | 320 нс | 600 В, 47 А, 4,7 Ом, 15 В | 30В | 6В | 3,1 В при 15 В, 47 А | ПТ | 200 НК | 239А | 18 нс/149 нс | 1652 мкДж (вкл.), 1389 мкДж (выкл.) |
