Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Зажимное напряжение | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| РГТ16БМ65ДТЛ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgt16bm65dtl-datasheets-6668.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 17 недель | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 94 Вт | 42нс | 650В | 16А | 400 В, 8 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 8 А | Траншейная полевая остановка | 21 нС | 24А | 13 нс/33 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГПР30БМ40HRTL | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgpr30bm40hrtl-datasheets-6553.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 430В | 30А | 300 В, 8 А, 100 Ом, 5 В | 2,0 В @ 5 В, 10 А | 22 НК | 500 нс/4 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГД2736Г3-Ф085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-fgd2736g3f085-datasheets-6561.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 4 недели | 260,37 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 360В | 7 мкс | 1,65 В | 21А | 14 В, 10 А, 1000 Ом, 5 В | 1,65 В @ 4,5 В, 10 А | 18нК | 4 мкс/15 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД20Н45ЛЗАГ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd20n45lzag-datasheets-6631.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СТГД20 | 125 Вт | 450В | 25А | 300 В, 10 А, 1 кОм, 5 В | 1,25 В @ 4 В, 6 А | 26 НК | 50А | 1,1 мкс/4,6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТД1Н120БНС9А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-hgtd1n120bns9a-datasheets-6530.pdf | 1,2 кВ | 5,3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 7 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ | Нет | 8541.29.00.95 | 60 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ХГТД1Н120 | Одинокий | 60 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 67 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,2 кВ | ТО-252АА | 1,2 кВ | 2,5 В | 24 нс | 1,2 кВ | 5,3А | 14 нс | 1200В | 333 нс | 960 В, 1 А, 82 Ом, 15 В | 20 В | 2,9 В при 15 В, 1 А | ДНЯО | 14 НК | 6А | 15 нс/67 нс | 70 мкДж (вкл.), 90 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| СТГД10ХФ60КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd10hf60kd-datasheets-6680.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 62,5 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГД10 | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62,5 Вт | 600В | 50 нс | 600В | 2,75 В | 18А | 400 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,75 В @ 15 В, 5 А | 23 НК | 30А | 9,5 нс/87 нс | 45 мкДж (вкл.), 105 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ14НК60КДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf14nc60kd-datasheets-4482.pdf | 600В | 25А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | Нет | 80 Вт | STGB14 | Одинокий | 80 Вт | 8,5 нс | 600В | 37 нс | 600В | 2,1 В | 600В | 25А | 390 В, 7 А, 10 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 7 А | 34,4 нк | 50А | 22,5 нс/116 нс | 82 мкДж (вкл.), 155 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД6NC60H-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd6nc60h1-datasheets-6428.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 8 недель | 3,949996 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 62,5 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГД6 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 62,5 Вт | 600В | 600В | 1,9 В | 600В | 15А | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 3 А | 13,6 нКл | 21А | 12 нс/76 нс | 20 мкДж (вкл.), 68 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД6М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | М | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd6m65df2-datasheets-6422.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 30 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | СТГД6 | 88 Вт | 140 нс | 650В | 12А | 400 В, 6 А, 22 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 6А | Траншейная полевая остановка | 21,2 нк | 24А | 15 нс/90 нс | 36 мкДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH60T65SHD-F155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fgh60t65shdf155-datasheets-6458.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | 6,39 г | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 349 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 349 Вт | 34,6 нс | 650В | 2,1 В | 120А | 400 В, 60 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 102 НК | 180А | 26 нс/87 нс | 1,69 мДж (вкл.), 630 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ5Х60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf5h60df-datasheets-4970.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 88 Вт | НЕ УКАЗАН | STGB5 | НЕ УКАЗАН | 88 Вт | 600В | 134,5 нс | 600В | 1,95 В | 10А | 400 В, 5 А, 47 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 5 А | Траншейная полевая остановка | 43нК | 20А | 30 нс/140 нс | 56 мкДж (вкл.), 78,5 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В2040Д3СТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-isl9v2040s3st-datasheets-1023.pdf | 400В | 10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 7 недель | 260,37 мг | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 130 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ИСЛ9В2040 | Одинокий | 130 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 2,17 мкс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 400В | 430В | ТО-252АА | 430В | 2780 нс | 1,9 В | 10А | 6000 нс | 300 В, 1 кОм, 5 В | 12 В | 1,9 В @ 4 В, 6 А | 12 НК | -/3,64 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД10NC60КДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd10nc60kt4-datasheets-5424.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 62 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТГД10 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 6,5 нс | 72 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62 Вт | 600В | 22 нс | 600В | 2В | 23 нс | 600В | 20А | 242 нс | 390 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 19 НК | 30А | 17 нс/72 нс | 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IKQ50N120CH3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-ikq50n120ch3xksa1-datasheets-6508.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 652 Вт | 68 нс | 1200В | 100А | 466 нс | 600 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 2,35 В @ 15 В, 50 А | 235 НК | 200А | 34 нс/297 нс | 3 мДж (включено), 1,9 мДж (выключено) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGD6NC60HDT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd6nc60hdt4-datasheets-6448.pdf | 600В | 15А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 350,003213мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТГД6 | 3 | Одинокий | 30 | 50 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 40 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 6А | 600В | ТО-252АА | 21 нс | 600В | 1,9 В | 17,3 нс | 600В | 15А | 222 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 3 А | 13,6 нКл | 21А | 12 нс/76 нс | 20 мкДж (вкл.), 68 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgh60t65sqdf155-datasheets-6520.pdf | ТО-247-3 | 4 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 333 Вт | 34,6 нс | 650В | 120А | 400 В, 15 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 79нК | 240А | 20,8 нс/102 нс | 227 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ19НК60КТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb19nc60kt4-datasheets-6432.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 125 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB19 | 4 | Одинокий | 30 | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 125 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 600В | 38 нс | 600В | 35А | 270 нс | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,75 В @ 15 В, 12 А | 55 НК | 75А | 30 нс/105 нс | 165 мкДж (вкл.), 255 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ10НБ40ЛЗТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb10nb40lzt4-datasheets-6434.pdf | 18В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,4 мм | 4,6 мм | 9,35 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 2,240009г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 150 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB10 | 3 | Одинокий | 30 | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 270 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20А | 440В | 440В | 1,2 В | 1570 нс | 1,8 В | 20А | 12000 нс | 328 В, 10 А, 1 кОм, 5 В | 2,2 В | 1,8 В @ 4,5 В, 10 А | 28нК | 40А | 1,3 мкс/8 мкс | 2,4 мДж (вкл.), 5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| AIKW20N60CTXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchStop™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-aikw20n60ctxksa1-datasheets-6541.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 166 Вт | 600В | 40А | 400 В, 20 А, 12 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 60А | 18 нс/199 нс | 310 мкДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP60D0DPE-00#J3 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/renesaselectronicsamerica-rjp60d0dpe00j3-datasheets-6548.pdf | СК-83 | 16 недель | 83 | 122 Вт | НЕ УКАЗАН | РДЖП60Д | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 122 Вт | 600В | 600В | 2,2 В | 45А | 300 В, 22 А, 5 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 22 А | 45 НК | 35 нс/90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKY75N120CH3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-iky75n120ch3xksa1-datasheets-6411.pdf | ТО-247-4 | 4 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 938 Вт | 292нс | 73 нс | 1200В | 150А | 468 нс | 600 В, 75 А, 6 Ом, 15 В | 2,35 В @ 15 В, 75 А | 370 НК | 300А | 38 нс/303 нс | 3,4 мДж (вкл.), 2,9 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKY75N120CS6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-iky75n120cs6xksa1-datasheets-6551.pdf | ТО-247-4 | 16 недель | 880 Вт | 205нс | 1200В | 150А | 600 В, 75 А, 4 Ом, 15 В | 2,15 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 530 НК | 300А | 32 нс/300 нс | 2,2 мДж (вкл.), 2,95 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGY75T95LQDT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-fgy75t95lqdt-datasheets-6413.pdf | ТО-247-3 Вариант | 7 недель | да | 453 Вт | 259 нс | 950В | 150А | 600 В, 37,5 А, 4,7 Ом, 15 В | 1,69 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 663,3 нк | 225А | 52 нс/496 нс | 2 мДж (вкл.), 1,8 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГД3325Г2-Ф085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, EcoSPARK® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-fgd3325g2f085-datasheets-6564.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 7 недель | 260,37 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 250В | 250В | 250В | 1,25 В | 41А | 1,25 В @ 4 В, 6 А | 21 нС | 800 нс/5,1 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ10НК60КТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp10nc60k-datasheets-4360.pdf | 600В | 10А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | да | EAR99 | УЛЬТРА БЫСТРО | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 65 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB10 | 3 | Одинокий | 30 | 60 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 6нс | 72 нс | 10А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 65 Вт | 600В | 600В | 23 нс | 600В | 20А | 242 нс | 390 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 19 НК | 30А | 17 нс/72 нс | 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| FGH60N60SMD-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-247-3 | 3 | 5 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600 Вт | 600 Вт | ТО-247АБ | 42нс | 66 нс | 60нс | 600В | 120А | 139 нс | 400 В, 60 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 60 А | Полевая остановка | 280 НК | 180А | 22 нс/116 нс | 1,59 мДж (вкл.), 390 мкДж (выкл.) | 20нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYX40N450HV | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/ixys-ixyx40n450hv-datasheets-6359.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | 660 Вт | 4500В | 95А | 960 В, 40 А, 2 Ом, 15 В | 3,9 В при 15 В, 40 А | 170 НК | 350А | 36 нс/110 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА30ХП65ФБ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HB2 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa30hp65fb2-datasheets-6361.pdf | ТО-247-3 | 167 Вт | 140 нс | 650В | 50А | 400 В, 30 А, 6,8 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 90 НК | 90А | -/71нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД3ХФ60ХДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd3hf60hdt4-datasheets-6363.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,39037мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТГД3 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 38 Вт | 600В | 85 нс | 600В | 2,95 В | 600В | 7,5 А | 400 В, 1,5 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,95 В @ 15 В, 1,5 А | 12 НК | 18А | 11 нс/60 нс | 19 мкДж (вкл.), 12 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGY60T120SQDN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | /files/onsemiconductor-fgy60t120sqdn-datasheets-6368.pdf | ТО-247-3 | 5 недель | да | совместимый | 517 Вт | 1200В | 120А | 600 В, 60 А, 10 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 60 А | 311нК | 240А | 52 нс/296 нс |
