Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Время подъема | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW15N120T2FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ikw15n120t2fksa1-datasheets-6102.pdf | ТО-247-3 | 3 | 14 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 235 Вт | ТО-247АД | 300 нс | 61 нс | 1200В | 30А | 626 нс | 600 В, 15 А, 41,8 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 15 А | Тренч | 93 НК | 60А | 32 нс/362 нс | 2,05 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА50Т65СХД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fga50t65shd-datasheets-6164.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 4 недели | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 319 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 319 Вт | 34,6 нс | 650В | 2,14 В | 2,1 В | 100А | 400 В, 50 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 87нК | 150А | 22,4 нс/73,6 нс | 1,28 мДж (вкл.), 384 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW00TK65GVC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw00tk65gvc11-datasheets-6105.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 89 Вт | 72 нс | 650В | 45А | 273 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 141 НК | 200А | 52 нс/180 нс | 1,18 мДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW60TK65DGVC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw60tk65dgvc11-datasheets-6171.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 72 Вт | 92нс | 50 нс | 650В | 33А | 209 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 84 НК | 120А | 37 нс/114 нс | 480 мкДж (вкл.), 490 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGHL50T65SQ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-fghl50t65sq-datasheets-6108.pdf | ТО-247-3 | 4 недели | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 268 Вт | 650В | 100А | 400 В, 25 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | 99 НК | 200А | 19 нс/93 нс | 410 мкДж (вкл.), 88 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH40N60SMD-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fgh40n60smdf085-datasheets-6112.pdf | ТО-247-3 | 3 | 6 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 349 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 349 Вт | ТО-247АБ | 47 нс | 600В | 2,1 В | 43,7 нс | 600В | 80А | 172,5 нс | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 180 НК | 120А | 18 нс/110 нс | 920 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | 81нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ30НК60ВД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30nc60vd-datasheets-6121.pdf | ТО-247-3 | 16,02 мм | 21,07 мм | 5,15 мм | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 250 Вт | СТГВ30 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 11нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 44нс | 600В | 2,5 В | 42,5 нс | 600В | 80А | 280 нс | 390 В, 20 А, 3,3 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | 100 НК | 150А | 31 нс/100 нс | 220 мкДж (вкл.), 330 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIGW40N65H5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-aigw40n65h5xksa1-datasheets-6125.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 650В | 74А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Тренч | 95 НК | 120А | 19 нс/165 нс | 350 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGS80TS65HRC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/rohmsemiconductor-rgs80ts65hrc11-datasheets-6128.pdf | ТО-247-3 | 8 недель | 272 Вт | 650В | 73А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 48 НК | 120А | 37 нс/112 нс | 1,05 мДж (вкл.), 1,03 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ40Х65ДФБ-4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | полупансион | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stgw40h65dfb4-datasheets-6060.pdf | ТО-247-4 | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | СТГВ40 | НЕ УКАЗАН | 283 Вт | 62нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | 40 нс/142 нс | 200 мкДж (вкл.), 410 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW15N120BH6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikw15n120bh6xksa1-datasheets-6062.pdf | ТО-247-3 | 26 недель | 200 Вт | 340 нс | 1200В | 30А | 600 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 92 НК | 60А | 18 нс/240 нс | 700 мкДж (вкл.), 550 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ12Н60С3Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-hgtg12n60c3d-datasheets-9037.pdf | 600В | 24А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 36 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 104 Вт | ХГТГ12Н60 | Одинокий | 104 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 42 нс | 600В | 1,65 В | 30 нс | 600В | 24А | 480 нс | 2,2 В @ 15 В, 15 А | 48 НК | 96А | 380 мкДж (вкл.), 900 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГАФ40Н60УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fgaf40n60ufdtu-datasheets-6074.pdf | 600В | 40А | ТО-3П-3 Полный пакет | 15,5 мм | 26,5 мм | 5,5 мм | Без свинца | 3 | 36 недель | 6,962 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 100 Вт | Одинокий | 100 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 95 нс | 600В | 3,1 В | 67 нс | 600В | 40А | 190 нс | 300 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 3 В @ 15 В, 20 А | 77нК | 160А | 15 нс/65 нс | 470 мкДж (вкл.), 130 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ60Н60СФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | 3 | 5 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 378 Вт | ФГХ60Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 378 Вт | ТО-247АБ | 47 нс | 600В | 66 нс | 600В | 120А | 187 нс | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,9 В при 15 В, 60 А | Полевая остановка | 198 НК | 180А | 22 нс/134 нс | 1,79 мДж (вкл.), 670 мкДж (выкл.) | 62нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| РГТВ00ТК65ГВК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgtv00tk65gvc11-datasheets-6085.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 94 Вт | 650В | 45А | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 104 НК | 200А | 41 нс/142 нс | 1,17 мДж (вкл.), 940 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ00ТК65GC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohmsemiconductor-rgth00tk65gc11-datasheets-6088.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 72 Вт | 102 нс | 650В | 35А | 221 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 94 НК | 200А | 39 нс/143 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH30T65UPDT-F155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fgh30t65updtf155-datasheets-6090.pdf | ТО-247-3 | 3 | 4 недели | 6,39 г | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | ИНН | 250 Вт | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | ТО-247АБ | 43 нс | 650В | 2,1 В | 52 нс | 650В | 60А | 170 нс | 400 В, 30 А, 8 Ом, 15 В | 20 В | 7,5 В | 2,3 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 155 НК | 90А | 22 нс/139 нс | 760 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Н65УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | 3 | 12 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | 290 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 290 Вт | ТО-247АБ | 45 нс | 650В | 650В | 69 нс | 650В | 80А | 160 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Полевая остановка | 120 НК | 120А | 24 нс/112 нс | 1,19 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | 60нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N135IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ngtb40n135ihrwg-datasheets-6098.pdf | ТО-247-3 | 16,25 мм | 21,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 4 недели | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 394 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 394 Вт | 1,35 кВ | 2,4 В | 1,35 кВ | 80А | 1350В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,7 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 234 НК | 120А | -/250нс | 1,3 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА60Х65ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw60h65dfb-datasheets-4596.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | 3 | EAR99 | 375 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВА60 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 375 Вт | 60 нс | 650В | 2В | 80А | 400 В, 60 А, 10 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 60А | Траншейная полевая остановка | 306нК | 240А | 66 нс/210 нс | 1,59 мДж (вкл.), 900 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТХ80ТК65ДГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgth80tk65dgc11-datasheets-6025.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | не_совместимо | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 66 Вт | 58нс | 84 нс | 650В | 31А | 194 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 79нК | 160А | 34 нс/120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВТ60Х65ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw60h65dfb-datasheets-4596.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 32 недели | 6.756003г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 375 Вт | СТГВТ60 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 375 Вт | 60 нс | 650В | 1,6 В | 650В | 80А | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 2В @ 15В, 60А | Траншейная полевая остановка | 306нК | 240А | 51 нс/160 нс | 1,09 мДж (вкл.), 626 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ25Т120СМД-Ф155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fgh25t120smdf155-datasheets-6032.pdf | ТО-247-3 | 3 | 5 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | Нет | е3 | ИНН | 428 Вт | 260 | Одинокий | 428 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АБ | 60нс | 1,2 кВ | 1,9 В | 88 нс | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 584 нс | 600 В, 25 А, 23 Ом, 15 В | 25 В | 7,5 В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 225 НК | 100А | 40 нс/490 нс | 1,74 мДж (вкл.), 560 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Н60СФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-fgh40n60sftu-datasheets-9017.pdf | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | 3 | 9 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 290 Вт | ФГХ40Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 290 Вт | 1,2 кВ | ТО-247АБ | 600В | 2,3 В | 67 нс | 600В | 80А | 150 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,9 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 120 НК | 120А | 25 нс/115 нс | 1,13 мДж (вкл.), 310 мкДж (выкл.) | 54нс | |||||||||||||||||||||||||||
| FGH40T65SHDF-F155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fgh40t65shdff155-datasheets-6046.pdf | ТО-247-3 | 6 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | Олово | 268 Вт | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 268 Вт | 101 нс | 650В | 1,45 В | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 20 В | 7,5 В | 1,81 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 68 НК | 120А | 18 нс/64 нс | 1,22 мДж (вкл.), 440 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ30Н60Б3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-hgtg30n60b3-datasheets-9026.pdf | 600В | 60А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | НПН | 208 Вт | ХГТГ30Н60 | Одинокий | 208 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | 60А | 600В | 600В | 1,45 В | 56 нс | 600В | 60А | 365 нс | 480 В, 30 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | 170 НК | 220А | 36 нс/137 нс | 500 мкДж (вкл.), 680 мкДж (выкл.) | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||
| IKFW50N60DH3EXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ikfw50n60dh3exksa1-datasheets-5967.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 64нс | 600В | 40А | 400 В, 40 А, 8 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 160 НК | 120А | 21 нс/174 нс | 1,28 мДж (вкл.), 560 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА50Н100БНТДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fga50n100bntdtu-datasheets-5969.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | 3 | 5 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 156 Вт | Одинокий | 156 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,5 мкс | 1кВ | 2,5 В | 460 нс | 1кВ | 50А | 1000В | 760 нс | 25 В | 7В | 2,9 В при 15 В, 60 А | ДНЯО и Траншея | 275 НК | 100А | 250 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ40Н65ЕФ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikb40n65ef5atma1-datasheets-5843.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 26 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 83нс | 57 нс | 650В | 74А | 199 нс | 400 В, 40 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 95 НК | 160А | 22 нс/160 нс | 420 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА40Т65СХД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga40t65shd-datasheets-5990.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 8 недель | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 268 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 268 Вт | 31,8 нс | 650В | 2,14 В | 2,1 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 72,2 нк | 120А | 19,2 нс/65,6 нс | 1,01 мДж (вкл.), 297 мкДж (выкл.) |
