Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKQ40N120CH3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-ikq40n120ch3xksa1-datasheets-6290.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500 Вт | 76 нс | 1200В | 80А | 444 нс | 400 В, 40 А, 12 Ом, 15 В | 2,35 В @ 15 В, 40 А | 190 НК | 160А | 30 нс/300 нс | 3,3 мДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH80N90C3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyh80n90c3-datasheets-6292.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 830 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 830 Вт | ТО-247АД | 900В | 134 нс | 2,7 В | 165А | 201 нс | 450 В, 80 А, 2 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,7 В @ 15 В, 80 А | 145 НК | 360А | 34 нс/90 нс | 4,3 мДж (вкл.), 1,9 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW40N65DH5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-aikw40n65dh5xksa1-datasheets-6238.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 650В | 74А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Тренч | 95 НК | 120А | 19 нс/165 нс | 350 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGTVX6TS65DGC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgtvx6ts65dgc11-datasheets-6240.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | не_совместимо | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 404 Вт | 109 нс | 83 нс | 650В | 144А | 298 нс | 400 В, 80 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 80 А | Траншейная полевая остановка | 171 НК | 320А | 45 нс/201 нс | 2,65 мДж (вкл.), 1,8 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW50N65DH5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-aikw50n65dh5xksa1-datasheets-6242.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 270 Вт | 650В | 400 В, 25 А, 12 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Тренч | 1018нК | 150А | 21 нс/156 нс | 490 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGTVX6TS65GC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgtvx6ts65gc11-datasheets-6245.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 404 Вт | 83 нс | 650В | 144А | 298 нс | 400 В, 80 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 80 А | Траншейная полевая остановка | 171 НК | 320А | 45 нс/201 нс | 2,65 мДж (вкл.), 1,8 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW80TK65DGVC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw80tk65dgvc11-datasheets-6174.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 81 Вт | 92нс | 59 нс | 650В | 39А | 228 нс | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 110 НК | 160А | 44 нс/143 нс | 760 мкДж (вкл.), 720 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH75T65SQDTL4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | ТО-247-4 | 4 недели | 6,289 г | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 76нс | 650В | 150А | 400 В, 18,8 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 128 НК | 300А | 44 нс/276 нс | 307 мкДж (вкл.), 266 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ60Н60УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 298 Вт | ФГХ60Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 23 нс | 130 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АБ | 47нс | 600В | 600В | 83 нс | 600В | 60А | 120А | 204 нс | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,4 В при 15 В, 60 А | Полевая остановка | 188 НК | 180А | 23 нс/130 нс | 1,81 мДж (вкл.), 810 мкДж (выкл.) | 80нс | ||||||||||||||||||||||||
| ФГХ75Т65ШДТЛН4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fgh75t65shdtln4-datasheets-6260.pdf | ТО-247-4 | 4 недели | да | 48CTQ060 | 455 Вт | 36нс | 650В | 150А | 400 В, 75 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 126 НК | 300А | 55 нс/189 нс | 1,06 мДж (вкл.), 1,56 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТВ60ТК65ДГВК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgtv60tk65dgvc11-datasheets-6182.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 17 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 76 Вт | 95нс | 650В | 33А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 64 НК | 120А | 33 нс/105 нс | 570 мкДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKFW50N60DH3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ikfw50n60dh3xksa1-datasheets-6264.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 145 Вт | 64нс | 600В | 53А | 400 В, 40 А, 8 Ом, 15 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | 25 нс/212 нс | 1,22 мДж (вкл.), 610 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIGW50N65F5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-aigw50n65f5xksa1-datasheets-6185.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 270 Вт | 650В | 400 В, 25 А, 12 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Тренч | 1018нК | 150А | 21 нс/156 нс | 490 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ40В60ДЛФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40v60dlf-datasheets-6187.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | 283 Вт | СТГВ40 | Одинокий | 283 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,35 В | 600В | 80А | 400 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 2,3 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 226 НК | 160А | -/208нс | 411 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ60Н60СФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | 3 | 4 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 378 Вт | ФГХ60Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 378 Вт | ТО-247АБ | 600В | 600В | 66 нс | 600В | 120А | 187 нс | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,9 В при 15 В, 60 А | Полевая остановка | 198 НК | 180А | 22 нс/134 нс | 1,79 мДж (вкл.), 670 мкДж (выкл.) | 62нс | ||||||||||||||||||||||||||
| ИГВ40Н65Ф5ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igp40n65f5xksa1-datasheets-5647.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 26 недель | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 255 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 255 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 1,6 В | 1,6 В | 74А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 20 В | 4,8 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | 95 НК | 120А | 19 нс/160 нс | 360 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ25Х120ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw25h120df2-datasheets-6215.pdf | ТО-247-3 | 32 недели | 38.000013г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | 375 Вт | СТГВ25 | Одинокий | 375 Вт | 303 нс | 1,2 кВ | 2,1 В | 1,2 кВ | 50А | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,6 В при 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 100 НК | 100А | 29 нс/130 нс | 600 мкДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА30Н60ЛСДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 18,9 мм | 5 мм | 3 | 7 недель | 6,401 г | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 480 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 480 Вт | 35 нс | 600В | 62 нс | 600В | 60А | 2870 нс | 400 В, 30 А, 6,8 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 1,4 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 225 НК | 90А | 18 нс/250 нс | 1,1 мДж (вкл.), 21 мДж (выкл.) | 2000 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Т120СМД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgh40t120smdf155-datasheets-5349.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 24,75 мм | 4,82 мм | 4 недели | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 555 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 555 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 175°С | 40 нс | 475 нс | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 80А | 65 нс | 1,2 кВ | 1,8 В | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 25 В | 7,5 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 370 НК | 160А | 40 нс/475 нс | 2,7 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||
| AIKW30N60CTXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchStop™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-aikw30n60ctxksa1-datasheets-6232.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 187 Вт | 600В | 60А | 400 В, 30 А, 10,6 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 167 НК | 90А | 23 нс/254 нс | 690 мкДж (вкл.), 770 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКЗ75Н65ЕС5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-ikz75n65es5xksa1-datasheets-6235.pdf | ТО-247-4 | 4 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 395 Вт | 72нс | 70 нс | 650В | 80А | 475 нс | 400 В, 15 А, 22,3 Ом, 15 В | 1,75 В @ 15 В, 75 А | Тренч | 164 НК | 300А | 46 нс/405 нс | 1,3 мДж (вкл.), 1,5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW00TK65DGVC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw00tk65dgvc11-datasheets-6158.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 89 Вт | 95нс | 72 нс | 650В | 45А | 273 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 141 НК | 200А | 52 нс/180 нс | 1,18 мДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW00TS65DGC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw00ts65dgc11-datasheets-6161.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 254 Вт | 95нс | 72 нс | 650В | 96А | 273 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 141 НК | 200А | 52 нс/180 нс | 1,18 мДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW15N120T2FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ikw15n120t2fksa1-datasheets-6102.pdf | ТО-247-3 | 3 | 14 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 235 Вт | ТО-247АД | 300 нс | 61 нс | 1200В | 30А | 626 нс | 600 В, 15 А, 41,8 Ом, 15 В | 2,2 В @ 15 В, 15 А | Тренч | 93 НК | 60А | 32 нс/362 нс | 2,05 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА50Т65СХД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fga50t65shd-datasheets-6164.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 4 недели | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 319 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 319 Вт | 34,6 нс | 650В | 2,14 В | 2,1 В | 100А | 400 В, 50 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 87нК | 150А | 22,4 нс/73,6 нс | 1,28 мДж (вкл.), 384 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW00TK65GVC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw00tk65gvc11-datasheets-6105.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 89 Вт | 72 нс | 650В | 45А | 273 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 141 НК | 200А | 52 нс/180 нс | 1,18 мДж (вкл.), 960 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW60TK65DGVC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgw60tk65dgvc11-datasheets-6171.pdf | ТО-3ПФМ, СК-93-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 72 Вт | 92нс | 50 нс | 650В | 33А | 209 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 84 НК | 120А | 37 нс/114 нс | 480 мкДж (вкл.), 490 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGHL50T65SQ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-fghl50t65sq-datasheets-6108.pdf | ТО-247-3 | 4 недели | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 268 Вт | 650В | 100А | 400 В, 25 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | 99 НК | 200А | 19 нс/93 нс | 410 мкДж (вкл.), 88 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH40N60SMD-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fgh40n60smdf085-datasheets-6112.pdf | ТО-247-3 | 3 | 6 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 349 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 349 Вт | ТО-247АБ | 47 нс | 600В | 2,1 В | 43,7 нс | 600В | 80А | 172,5 нс | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 180 НК | 120А | 18 нс/110 нс | 920 мкДж (вкл.), 300 мкДж (выкл.) | 81нс | |||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ30НК60ВД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30nc60vd-datasheets-6121.pdf | ТО-247-3 | 16,02 мм | 21,07 мм | 5,15 мм | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 250 Вт | СТГВ30 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 11нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 44нс | 600В | 2,5 В | 42,5 нс | 600В | 80А | 280 нс | 390 В, 20 А, 3,3 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 20 А | 100 НК | 150А | 31 нс/100 нс | 220 мкДж (вкл.), 330 мкДж (выкл.) |
