Одиночные IGBT - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Одиночные IGBT(3888)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Включить время задержки Время подъема Время задержки отключения Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Непрерывный ток коллектора Мощность - Макс. Код JEDEC-95 Обратное время восстановления Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Время нарастания-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Время выключения-Nom (toff) Условия испытаний Напряжение затвор-эмиттер-Макс. Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Тип БТИЗ Заряд от ворот Ток-коллекторный импульсный (Icm) Td (вкл/выкл) при 25°C Переключение энергии Время падения-Макс (тс)
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп™ Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2017 год /files/infineontechnologies-ikfw40n60dh3exksa1-datasheets-5798.pdf ТО-247-3 26 недель EAR99 е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 111 Вт 72нс 600В 34А 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В 2,7 В при 15 В, 30 А Траншейная полевая остановка 107 НК 90А 18 нс/144 нс 870 мкДж (вкл.), 360 мкДж (выкл.)
FGA40N65SMD ФГА40Н65СМД ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-fga40n65smd-datasheets-5905.pdf ТО-3П-3, СК-65-3 16,2 мм 20,1 мм 5 мм Без свинца 3 6 недель 6,401 г 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Олово Нет 8541.29.00.95 е3 349 Вт Одинокий 349 Вт 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором 12 нс 92 нс КРЕМНИЙ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 42 нс 650В 2,5 В 650В 80А 28нс 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В 20 В 6В 2,5 В при 15 В, 40 А Полевая остановка 119 НК 120А 12 нс/92 нс 820 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) 17нс
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2013 год /files/infineontechnologies-ikw50n65wr5xksa1-datasheets-5719.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 26 недель 3 да EAR99 е3 Олово (Вс) Без галогенов 282 Вт НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 1 КРЕМНИЙ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 282 Вт 110 нс 650В 62 нс 650В 80А 507 нс 400 В, 25 А, 16 Ом, 15 В 1,8 В @ 15 В, 50 А Тренч 230 НК 150А 45 нс/417 нс 840 мкДж (вкл.), 220 мкДж (выкл.)
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2006 г. /files/infineontechnologies-irgs4640dtrrpbf-datasheets-0201.pdf ТО-247-3 15,87 мм 20,7 мм 5,31 мм Без свинца 16 недель Нет СВХК 3 EAR99 Нет 250 Вт ИРГП4640 Одинокий 125 Вт БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 250 Вт 89 нс 600В 1,6 В 1,9 В 65А 400 В, 24 А, 10 Ом, 15 В 20 В 6,5 В 1,9 В @ 15 В, 24 А 75 НК 72А 41 нс/104 нс 115 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) 41нс
STGFW20H65FB STGFW20H65FB СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgfw20h65fb-datasheets-5730.pdf ТО-3ПФМ, СК-93-3 32 недели 6.961991г 3 EAR99 52 Вт НЕ УКАЗАН STGFW20 Одинокий НЕ УКАЗАН БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 52 Вт 650В 1,55 В 650В 40А 400 В, 20 А, 10 Ом, 15 В 20 В 7В 2 В @ 15 В, 20 А Траншейная полевая остановка 120 НК 80А 30 нс/139 нс 77 мкДж (вкл.), 170 мкДж (выкл.)
STGP10NC60KD СТГП10НК60КД СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать PowerMESH™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgd10nc60kt4-datasheets-5424.pdf 600В 20А ТО-220-3 10,4 мм 9,15 мм 4,6 мм Без свинца 3 8 недель Нет СВХК 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) EAR99 Нет е3 Матовый олово (Sn) 65 Вт СТГП10 3 Одинокий 25 Вт 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором 6нс КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ ТО-220АБ 22 нс 600В 2В 23 нс 600В 20А 242 нс 390 В, 5 А, 10 Ом, 15 В 20 В 7В 2,5 В @ 15 В, 5 А 19 НК 30А 17 нс/72 нс 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.)
FGL12040WD FGL12040WD ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2017 год /files/onsemiconductor-fgl12040wd-datasheets-5739.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 5 недель 6,756 г АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да EAR99 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 391 Вт 71нс 1200В 80А 600 В, 40 А, 23 Ом, 15 В 2,9 В при 15 В, 40 А Траншейная полевая остановка 226 НК 100А 45 нс/560 нс 4,1 мДж (вкл.), 1 мДж (выкл.)
FGH12040WD-F155 FGH12040WD-F155 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-fgh12040wdf155-datasheets-5745.pdf ТО-247-3 5 недель 6,39 г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да не_совместимо 428 Вт 71нс 1,2 кВ 2,3 В 1200В 80А 600 В, 40 А, 23 Ом, 15 В 2,9 В при 15 В, 40 А Траншейная полевая остановка 226 НК 100А 45 нс/560 нс 4,1 мДж (вкл.), 1 мДж (выкл.)
NGD18N40ACLBT4G NGD18N40ACLBT4G Литтелфуз
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Логика Соответствует ROHS3 /files/littelfuseinc-ngd18n40aclbt4g-datasheets-5629.pdf ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 15 недель EAR99 не_совместимо НЕ УКАЗАН НГД18Н40 НЕ УКАЗАН 115 Вт 430В 15А 2,5 В @ 4 В, 15 А 50А
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка Непригодный Стандартный Соответствует ROHS3 2016 год /files/infineontechnologies-ikw50n60dtpxksa1-datasheets-5754.pdf ТО-247-3 3 16 недель да EAR99 е3 Олово (Вс) 319,2 Вт ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 319,2 Вт 115 нс 600В 55 нс 1,8 В 80А 332 нс 400 В, 50 А, 7 Ом, 15 В 1,8 В @ 15 В, 50 А Траншейная полевая остановка 249 НК 150А 20 нс/215 нс 1,53 мДж (вкл.), 850 мкДж (выкл.)
FGL35N120FTDTU ФГЛ35Н120ФТДТУ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-fgl35n120ftdtu-datasheets-5758.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 20,2 мм 26,4 мм 5,2 мм Без свинца 4 недели 6,756 г 3 АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да EAR99 Нет 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) 368 Вт Одинокий БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 368 Вт 337 нс 1,2 кВ 1,2 кВ 70А 1200В 600 В, 35 А, 10 Ом, 15 В 25 В 7,5 В 2,2 В @ 15 В, 35 А Траншейная полевая остановка 210 НК 105А 34 нс/172 нс 2,5 мДж (вкл.), 1,7 мДж (выкл.)
STGW40H65DFB СТГВ40Х65ДФБ СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgw40h65dfb-datasheets-5778.pdf ТО-247-3 15,75 мм 20,15 мм 5,15 мм Без свинца 20 недель 38.000013г 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) EAR99 283 Вт НЕ УКАЗАН СТГВ40 Одинокий НЕ УКАЗАН БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 283 Вт 62 нс 650В 1,8 В 650В 80А 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В 20 В 2В @ 15В, 40А Траншейная полевая остановка 210 НК 160А 40 нс/142 нс 498 мкДж (вкл.), 363 мкДж (выкл.)
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2013 год /files/infineontechnologies-ikw30n65h5xksa1-datasheets-5782.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 14 недель 3 да EAR99 Без галогенов 188 Вт НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 1 КРЕМНИЙ УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 188 Вт 70 нс 650В 31 нс 650В 55А 246 нс 400 В, 15 А, 23 Ом, 15 В 2,1 В @ 15 В, 30 А Тренч 70 НК 90А 20 нс/190 нс 280 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.)
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп™ Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/infineontechnologies-ikfw60n60dh3exksa1-datasheets-5787.pdf ТО-247-3 16 недель EAR99 НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 141 Вт 68нс 600В 53А 400 В, 50 А, 7 Ом, 15 В 2,7 В @ 15 В, 50 А Траншейная полевая остановка 210 НК 150А 23 нс/170 нс 1,57 мДж (вкл.), 720 мкДж (выкл.)
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп® Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2008 год /files/infineontechnologies-igw75n60tfksa1-datasheets-5694.pdf ТО-247-3 3 16 недель да EAR99 е3 Олово (Вс) НЕТ ОДИНОКИЙ НЕ УКАЗАН 3 НЕ УКАЗАН 1 Не квалифицированный Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 428 Вт ТО-247АД 69 нс 600В 150А 401 нс 400 В, 75 А, 5 Ом, 15 В 2В при 15В, 75А Траншейная полевая остановка 470 НК 225А 33 нс/330 нс 4,5 мДж
APT50GT120B2RG АПТ50ГТ120Б2РГ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Тандерболт IGBT® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS /files/microsemicorporation-apt50gt120b2rg-datasheets-5789.pdf ТО-247-3 Без свинца 3 24 недели 3 да Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 625 Вт 3 Одинокий 1 24 нс 230 нс КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 625 Вт 1,2 кВ 77 нс 1,2 кВ 94А 1200В 303 нс 800 В, 50 А, 4,7 Ом, 15 В 3,7 В @ 15 В, 50 А ДНЯО 340 НК 150А 24 нс/230 нс 2330 мкДж (выкл.)
STGW75M65DF2 СТГВ75М65ДФ2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать М Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgwa75m65df2-datasheets-5666.pdf ТО-247-3 30 недель СТГВ75 468 Вт 165 нс 650В 120А 400 В, 75 А, 3,3 Ом, 15 В 2,1 В @ 15 В, 75 А Траншейная полевая остановка 225 НК 225А 47 нс/125 нс 690 мкДж (включено), 2,54 мДж (выключено)
IXXX160N65B4 IXXX160N65B4 IXYS / Литтелфус
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать GenX4™, XPT™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2013 год ТО-247-3 28 недель не_совместимо е3 Матовый олово (Sn) 940 Вт 160Н65 Одинокий 940 Вт БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 650В 1,54 В 1,8 В 310А 400 В, 80 А, 1 Ом, 15 В 20 В 6,5 В 1,8 В @ 15 В, 160 А ПТ 425 НК 860А 52 нс/220 нс 3,3 мДж (вкл.), 1,88 мДж (выкл.)
IRGP4068D-EPBF IRGP4068D-EPBF Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Масса 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2003 г. /files/infineontechnologies-irgp4068dpbf-datasheets-5464.pdf 600В 48А ТО-247-3 15,87 мм 20,7 мм 5,13 мм Без свинца 3 16 недель Нет СВХК 3 EAR99 Нет 330 Вт Одинокий 330 Вт 1 БИП-транзисторы с изолированным затвором 145 нс КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ ТО-247АД 600В 1,65 В 180 нс 2,14 В 96А 210 нс 400 В, 48 А, 10 Ом, 15 В 20 В 6,5 В 2,14 В @ 15 В, 48 А Тренч 95 НК 144А -/145нс 1,28 мДж (выкл.)
FGL40N120ANTU ФГЛ40Н120АНТУ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2007 год /files/onsemiconductor-fgl40n120antu-datasheets-5713.pdf ТО-264-3, ТО-264АА Без свинца 3 4 недели 6,756 г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) да EAR99 НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет 8541.29.00.95 е3 Олово (Вс) 500 Вт Одинокий 500мВт 1 15 нс 20нс 110 нс КРЕМНИЙ УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 500 Вт 1,2 кВ 3,2 В 45 нс 1,2 кВ 64А 1200В 165 нс 600 В, 40 А, 5 Ом, 15 В 3,2 В @ 15 В, 40 А ДНЯО 220 НК 160А 15 нс/110 нс 2,3 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.)
APT25GR120B АПТ25ГР120Б Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Масса 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 2001 г. /files/microsemicorporation-apt25gr120b-datasheets-5618.pdf ТО-247-3 Без свинца 18 недель 521 Вт Одинокий БИП-транзисторы с изолированным затвором 16 нс 122 нс Н-КАНАЛЬНЫЙ 521 Вт 1,2 кВ 3,2 В 75А 1200В 600 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В 30В 6,5 В 3,2 В @ 15 В, 25 А ДНЯО 203 НК 100А 16 нс/122 нс 742 мкДж (вкл.), 427 мкДж (выкл.)
AOK40B65M3 АОК40Б65М3 Альфа и Омега Полупроводник Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Альфа-БТИЗ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2011 год ТО-247-3 18 недель 300 Вт ТО-247 300 Вт 365 нс 650В 2,45 В 80А 650В 80А 400 В, 40 А, 7,5 Ом, 15 В 2,45 В @ 15 В, 40 А 59 НК 120А 40 нс/125 нс 1,3 мДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.)
STGP4M65DF2 СТГП4М65ДФ2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать М Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgp4m65df2-datasheets-5627.pdf ТО-220-3 30 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) СТГП4 68 Вт 133 нс 650В 8А 400 В, 4 А, 47 Ом, 15 В 2,1 В @ 15 В, 4 А Траншейная полевая остановка 15,2 нКл 16А 12 нс/86 нс 40 мкДж (вкл.), 136 мкДж (выкл.)
STGW15H120F2 СТГВ15Х120Ф2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgw15h120f2-datasheets-5644.pdf ТО-247-3 32 недели 38.000013г 3 АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) EAR99 259 Вт НЕ УКАЗАН СТГВ15 Одинокий НЕ УКАЗАН 259 Вт 1,2 кВ 2,1 В 1,2 кВ 30А 1200В 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В 2,6 В при 15 В, 15 А Траншейная полевая остановка 67нК 60А 23 нс/111 нс 380 мкДж (вкл.), 370 мкДж (выкл.)
IGP40N65F5XKSA1 ИГП40Н65Ф5ХКСА1 Инфинеон Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать ТренчСтоп® Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~175°С, ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2008 год /files/infineontechnologies-igp40n65f5xksa1-datasheets-5647.pdf ТО-220-3 Без свинца 16 недель Неизвестный 3 да EAR99 е3 Олово (Вс) Без галогенов 255 Вт НЕ УКАЗАН Одинокий НЕ УКАЗАН 255 Вт БИП-транзисторы с изолированным затвором Н-КАНАЛЬНЫЙ 650В 1,6 В 1,6 В 74А 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В 20 В 4,8 В 2,1 В при 15 В, 40 А 95 НК 120А 19 нс/160 нс 360 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.)
APT80GA60LD40 АПТ80GA60LD40 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать СИЛОВАЯ МОС 8™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует RoHS 1999 год /files/microsemicorporation-apt80ga60ld40-datasheets-5652.pdf ТО-264-3, ТО-264АА 26,49 мм 5,21 мм 20,5 мм 3 33 недели 10,6 г да EAR99 НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ Нет е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) 625 Вт 3 Одинокий 1 Р-ПСФМ-Т3 КРЕМНИЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ Н-КАНАЛЬНЫЙ 143А 22 нс 600В 2В 52 нс 600В 143А 326 нс 400 В, 47 А, 4,7 Ом, 15 В 2,5 В @ 15 В, 47 А ПТ 230 НК 240А 23 нс/158 нс 840 мкДж (вкл.), 751 мкДж (выкл.)
FGH50T65SQD-F155 FGH50T65SQD-F155 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2016 год /files/onsemiconductor-fgh50t65sqdf155-datasheets-5654.pdf ТО-247-3 4 недели 6,39 г АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 268 Вт 31 нс 650В 100А 400 В, 12,5 А, 4,7 Ом, 15 В 2,1 В при 15 В, 50 А Траншейная полевая остановка 99 НК 200А 22 нс/105 нс 180 мкДж (вкл.), 45 мкДж (выкл.)
AOK30B65M2 АОК30Б65М2 Альфа и Омега Полупроводник Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Альфа-БТИЗ™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 2011 год ТО-247-3 18 недель 300 Вт ТО-247 300 Вт 339 нс 650В 2,1 В 60А 650В 60А 400В, 30А, 10Ом, 15В 2,1 В @ 15 В, 30 А 63нК 90А 34 нс/138 нс 1,02 мДж (вкл.), 410 мкДж (выкл.)
STGWA75M65DF2 СТГВА75М65ДФ2 СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать М Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) Стандартный Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-stgwa75m65df2-datasheets-5666.pdf ТО-247-3 30 недель АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) СТГВА75 468 Вт 165 нс 650В 120А 400 В, 75 А, 3,3 Ом, 15 В 2,1 В @ 15 В, 75 А Траншейная полевая остановка 225 НК 225А 47 нс/125 нс 690 мкДж (включено), 2,54 мДж (выключено)
NGTB40N120S3WG НГТБ40Н120С3РГ ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°С~175°С ТДж Трубка Стандартный Соответствует ROHS3 2016 год /files/onsemiconductor-ngtb40n120s3wg-datasheets-5588.pdf ТО-247-3 4 недели АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) да 454 Вт 163 нс 1200В 160А 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В 1,95 В @ 15 В, 40 А Траншейная полевая остановка 212 НК 12 нс/145 нс 2,2 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)