Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Идентификатор производитель производитель | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Обратное напряжение | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6Н135СМТ/Р | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 2 недели | да | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ПРИЗНАН УЛ, СОВМЕСТИМ С TTL | ДА | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 15 В | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 150 нс, 700 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС628АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos628at-datasheets-8823.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6 недель | да | EAR99 | неизвестный | 1 | 80В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 1 мА | 600% при 1 мА | 5 мкс, 8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил208АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il207at-datasheets-8915.pdf | 1,3 В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 8 | Олово | Нет | 240 мВт | 1 | 240 мВт | 1 | 8-СОИК | 70В | 70В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 60 мА | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,3 В | 60 мА | 70В | 100% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил207АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il207at-datasheets-8915.pdf | 1,3 В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 60 мА | 3,51 мм | Без свинца | 6 недель | UL | Неизвестный | 8 | Нет | 15А | 70В | 240 мВт | 1 | 240 мВт | 1 | 100°С | 8-СОИК | 70В | 70В | 60 мА | 1,3 В | Транзистор с базой | 60 мА | 3 мкс | 3 мкс | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 6В | 70В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,3 В | 60 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК8050СР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc8050sr2m-datasheets-9026.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | 60 мА | Дарлингтон | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 2В | 150 мА | 1,18 В | 150 мА | 500% | 80В | 500% при 10 мА | 8,5 мкс, 95 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT6SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct6s-datasheets-4774.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 5 недель | 774 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Олово | Нет | е3 | 400мВт | 400мВт | 2 | 30 В | 85В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 0,03 А | 2,4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 25 В | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1,2 В | 25 В | 30 мА | 20% | 100нА | 20% при 10 мА | 2,4 мкс, 2,4 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ил212АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il212at-datasheets-8992.pdf | 1,3 В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 мА | 6 недель | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 240 мВт | 1 | 240 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 100 мА | 80 % | 50нА | 50% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VOS628A-2X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos628at-datasheets-8823.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 11 недель | 4 | да | EAR99 | неизвестный | 1 | 170 мВт | 80В | 50 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 50 мА | 80В | 63% при 1 мА | 125% при 1 мА | 5 мкс, 8 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОЛ628А-3Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vol628a-datasheets-5235.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3,5 мкс | 5 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,16 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 200нА | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОЛ628А-2Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vol628a-datasheets-5235.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | Нет | 150 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3,5 мкс | 5 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,16 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 200нА | 63% при 1 мА | 125% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6156-2T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61562x001-datasheets-4671.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 4,059 мм | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Олово | Нет | SFH6156-2T | е3 | 6В | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 100°С | 70В | 70В | 50 мА | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 4,2 мкс | 3 с | 14 с | 23 мкс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 250 мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| VOS618A-X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos618a3t-datasheets-8401.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 50% при 1 мА | 600% при 1 мА | 5 мкс, 8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT9001SD | ОН Полупроводник | 1,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct9001sd-datasheets-8761.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 7 недель | 774 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 55В | 55В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,3 В | 400мВ | 400мВ | 30 мА | 1В | 2,4 мкс 2,4 мкс | 30 мА | 100нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VOS627A-2X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos627a3t-datasheets-8673.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 11 недель | 4 | 1 | 170 мВт | 1 | 4-ССОП | 80В | 50 мА | 1,1 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,1 В | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 63% при 5 мА | 125% при 5 мА | 6 мкс, 4 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6156-3TX001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61562x001-datasheets-4671.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 21 неделя | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 14 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-1Х019Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 14 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 70мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 70В | 60 мА | 1,43 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 4,7 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО617А-8Х017Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo617a4x016-datasheets-4811.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 4,6 мкс | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-4Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 100 мА | 50 мА | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО223АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo223at-datasheets-8662.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 мА | 6 недель | Нет СВХК | 8 | Нет | 240 мВт | 1 | 240 мВт | 1 | 8-СОИК | 30 В | 60 мА | 1В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 30 В | 100 мА | 1В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 30 В | 500% при 1 мА | 3 мкс, 3 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH690AT3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh690at3-datasheets-8073.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC367NJ0000F | SHARP/Цокольная технология | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 10 мА | Транзистор | 10 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 6В | 50 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКМТ1113 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcmt1118-datasheets-7986.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5мА | 6 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 230мВт | 1 | 230мВт | 1 | 70В | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 5 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-1Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,4 мм | 60 мА | 2 мм | 3,85 мм | Без свинца | 11 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 5мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 6В | 100 мА | 50 мА | 40% при 1 мА | 80% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА1СР2ВМ | ОН Полупроводник | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,17 В | 20% | 50 мА | 50нА | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС618А-8Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos618a3t-datasheets-8401.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 11 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 10 мкс | 11 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 6В | 80В | 130% при 1 мА | 260% при 1 мА | 5 мкс, 8 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618АТ | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,4 мм | 60 мА | 2 мм | 3,85 мм | Без свинца | 6 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 6В | 100 мА | 50 мА | 50% при 1 мА | 600% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-3Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 100 мА | 50 мА | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОКД211Р2М | ОН Полупроводник | 1,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd211r2m-datasheets-8645.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 5 недель | 252 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | 250 мВт | 2 | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 0,15 А | 3,2 мкс | 4,7 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,5 В | 400мВ | 400мВ | 150 мА | 1,25 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 6В | 150 мА | 20% | 150 мА | 50нА | 20% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP387(D4-TPL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp387d4tple-datasheets-8349.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 40 мкс 15 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH1690AT | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1690at-datasheets-8479.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 5мА | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СОП | 70В | 70В | 50 мА | 1,15 В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 5 мкс, 3 мкс | 400мВ |
