Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | МОНТАНАНГИП | Raboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | ТИПВ | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | СОУДНО ПРИОН | Верна - | Колист | PBFREE CODE | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Надо | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | Колист. Каналов | R. | Вернее | Колист | Подкейгория | ПАКЕТИВАЕТСЯ | В конце концов | Вес | Vpreged | VpreDnoE | Втипа | Иязии | МАКСИМАЛНГАН | Оптохлектроннтип -вустроства | Ведьтока-макс | В. | В аспекте | МООНТАНАНА | Верна | Я не могу | Коунфигура | Я | Верна | Naprayжeniee - yзolyahip | Power Dissipation-Max | Опрена | Вернее | Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera | NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo) | На | Верна | Current - DC Forward (if) (max) | КОГФИГИОНТА | Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN | Ток - | На | ТЕМНЕСА | Коэффигиэнт Переносатока (мин) | Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | Vce nassheeneee (mmaks) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TLP734 (D4GRTP5, M, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP627F-2 (F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP733F (D4-C173, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Nbaзa | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -25 ° С | ROHS COMPRINT | 144 nede | 250 м | 1 | 25 май | 1,3 В. | 5в | 1,2 В. | 35 | 2000 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv4n24u | TT Electronics/Optek Technology | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | Поднос | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-LCC (4,32x6,22) | Траншистор С.Б.А. | 1000 В | 1,3 В | 20 мкс 20 мксма | 50 май | 10 май | 35 | 100% @ 10ma | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP732 (D4-Necin, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP732 (D4GRH-LF2, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785F (D4BLT7, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 4-DIP (0,400, 10,16 ММ) | 1 | Траншистор | 5000 дней | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785 (D4BL-T6, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 1 | Траншистор | 5000 дней | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP750 (D4-TP4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP550-TP4, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP550 (Y, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | PDIP | СОУДНО ПРИОН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP121 (GRL-TPR, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 6-SMD (4 свина), кргло | 1 | Траншистор | 3750vrms | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP120 (GR-TP, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | AC, DC | ROHS COMPRINT | 6-SMD (4 свина), кргло | 1 | Траншистор | 3750vrms | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 50 май | 80 | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP631 (TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785 (BLL, ф | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -55 ° C ~ 110 ° C. | 1 (neograniчennnый) | ТОК | ROHS COMPRINT | 4-Dip (0,300, 7,62 ММ) | ОДОБРЕН УЛ, ОДОБРЕН VDE | Не | 1 | 1 | Траншистор | 0,025а | Одинокий | 0,000003 с | 5000 дней | 0,24 м | 1,15 В. | 2 мкс 3 мкс | 60 май | 80 | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 400 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP512 (TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP550 (Fanuc, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP383 (BL-TPL, e | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ТОК | 6 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм), 4 Свина | 1 | Траншистор | 5000 дней | 1,25 | 2 мкс 3 мкс | 50 май | 80 | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 мкс, 3 мкс | 300 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP552 (TP1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP532 (GRL, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | В | Уль Прринанана | 8541.40.80.00 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 85 ° С | -25 ° С | 1 | Траншистор | 0,07а | 2500 | Одинокий | 100% | 55 | 100NA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP731 (D4-GB-LF2, f | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Траншистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP552 (F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,41 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 2014 | Окунате | СОУДНО ПРИОН | 8 | Не | 5,5 В. | 1 | 85 м | 1,2E-7 млн | 1 | OptoCoupler - IC -ыхODы | 50 май | 20 май | 1,8 В. | 2,5 кв | 20 май | 30ns | 30 млн | 120 млн | 5в | 1000 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
H11AA3S (TA) -V | Everlight Electronics Co Ltd | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 100 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | AC, DC | Rohs3 | 2014 | 6-SMD, кргло | 20 | 6 | в дар | 200 м | 1 | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 80 | Траншистор С.Б.А. | 60 май | Весна-пастер | Одинокий | 5000 дней | 400 м | 400 м | 1,2 В. | 10 мкс 10 мксма | 50% | 50NA | 50% @ 10ma | 10 мкс, 10 мкс (MMAKS) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP126 (MBS-TPL, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP734F (D4-LF4, M, F. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP734 (D4-Grl, M, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP734F (D4-C173, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2016 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP531 (BL, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | PDIP | Не | 85 ° С | -25 ° С | 1 | Optocoupler - tranhestornhe -odы | 0,07а | 0,05а | 2500 | Чereз krepleneee oTwerStiqueavy | 0,15 | 1,3 В. | 200% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP750 (Elko, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP732 (GB-LF1, F) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.