| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO4606L_DELTA | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30В | 2 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 310пФ при 15В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 6А | 6 нК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ240Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | Полевой транзистор общего назначения | 85А | Одинокий | 40В | 1,9 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 3510пФ при 20 В | 2,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 20А Та 85А Тс | 72 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6250 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 1,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | 2,388 нФ | 52А | 150 В | 7,4 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 2388пФ при 75 В | 16,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В при 250 мкА | 13,5 А Та 52 А Тс | 43 нК при 10 В | 16,5 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3162 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°C~150°C ТДж | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 18 недель | 3 | 1,39 Вт | 1 | 34 мА | 30В | 600В | 1,39 Вт Та | N-канал | 6пФ при 25В | 500 Ом при 16 мА, 10 В | 4,1 В @ 8 мкА | 34 мА Та | 0,15 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6400 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 Вт | 1 | 6,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 2 Вт Та | 0,028 Ом | N-канал | 1030пФ при 15В | 28 мОм при 6,9 А, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 6,9А Та | 12 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АО4419 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 8 | 3,1 Вт | 1 | 9,7А | 20 В | 30В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1900пФ при 15В | 20 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 9,7А Та | 32 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOUS66923 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаСГТ™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 3-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 6,2 Вт Та 73 Вт Тс | N-канал | 1725пФ при 50В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16,5 А Та 58 А Тс | 35 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2500Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $6,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 152А | Одинокий | 150 В | 2,1 Вт Та 375 Вт Тс | N-канал | 6460пФ при 75В | 6,2 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 11,5 А Та 152 А Тс | 136 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД5Т40П | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 2,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 273пФ | 3,9А | 400В | 52 Вт Тс | N-канал | 273пФ при 100 В | 1,45 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3,9 А Тс | 9 нК @ 10 В | 1,45 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Н60Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 600В | 50 Вт Тс | 12А | N-канал | 2100пФ при 25В | 550 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 50 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ9Н50 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $4,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 9А | Одинокий | 500В | 192 Вт Тс | 9А | N-канал | 1042пФ при 25В | 850 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6500 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon6500-datasheets-3528.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 18 недель | 8 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 83 Вт | 1 | 200А | 20 В | 30В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 7036пФ при 15 В | 0,95 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 71А Та 200А Тс | 145 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4496 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 715пФ при 15 В | 19,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 10А Та | 13 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ4185 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 3,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | 3 | Нет | 33 Вт | 1 | Другие транзисторы | 34А | 20 В | Одинокий | 40В | 33 Вт Тс | P-канал | 2550пФ при 20В | 16 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 34А Тк | 55 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-PowerWDFN | 18 недель | 30В | 83 Вт Тс | N-канал | 2994 пФ при 15 В | 1,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 50А Тс | 65 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7280 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon7280-datasheets-5585.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 5 | 18 недель | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 83 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Ф5 | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 6,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 1871 пФ при 40 В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 20А Та 50А Тс | 38 нК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| АОТ8Н65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $4,31 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-220-3 | 18 недель | 8А | 650В | 208 Вт Тк | N-канал | 1400пФ при 25В | 1,15 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ5Н50ФД | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aotf5n50fd-datasheets-6050.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | Полевой транзистор общего назначения | 5А | Одинокий | 500В | 35 Вт Тс | 5А | N-канал | 530пФ при 25В | 1,8 Ом при 2,5 А, 10 В | 4,2 В @ 250 мкА | 5А Тс | 15 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ10Н65 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-220-3 | 18 недель | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10А | 30В | Одинокий | 650В | 250 Вт Тс | N-канал | 1645пФ при 25В | 1 Ом при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 33 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOSP32368 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 30В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2270пФ при 15 В | 5,5 мОм при 16 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 16А Та | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $4,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi442-datasheets-7136.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 3 | 18 недель | 3 | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 37А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 2,1 Вт Та 60 Вт Тс | 60А | 0,025 Ом | 45 мДж | N-канал | 2300пФ при 30 В | 20 мОм при 20 А, 10 В | 2,7 В @ 250 мкА | 7А Та 37А Тс | 68 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| АОН6382 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 30В | 50 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 15 В | 1,85 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 85А Тс | 65 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3402 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon3402-datasheets-7381.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 18 недель | 12,6А | 20 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1810пФ при 10 В | 13 мОм при 12 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12,6А Та | 17,9 нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОИ2Н60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aoi2n60-datasheets-7582.pdf | TO-251-3 Заглушки, IPak | 3 | 18 недель | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 56,8 Вт Тс | 2А | 8А | 120 мДж | N-канал | 325пФ при 25В | 4,4 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||
| АОД423 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ТО-252, (Д-Пак) | 2,76 нФ | 70А | 30В | 2,5 Вт Та 90 Вт Тс | P-канал | 2760пФ при 15В | 6,2 мОм при 20 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та 70А Тс | 65 нК при 10 В | 6,2 мОм | 10 В 20 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7568 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7568-datasheets-6635.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8-ДФН (3х3) | 30В | 5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 2270пФ при 15 В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 25А Та 32А Тс | 60 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4404Б | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 3,1 Вт | 1 | Не квалифицирован | 8,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 3,1 Вт Та | 0,03 Ом | 70 пФ | N-канал | 1100пФ при 15В | 24 мОм при 8,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8,5А Та | 12 нК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АО4286 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | 4А | 100В | 2,5 Вт Та | N-канал | 390пФ при 50В | 68 мОм при 4 А, 10 В | 2,9 В @ 250 мкА | 4А Тк | 10 нК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОВ15С60 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,97 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | аМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 16 недель | Нет | 208 Вт | 1 | 15А | 600В | 208 Вт Тк | N-канал | 717пФ при 100 В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,8 В @ 250 мкА | 15А Тс | 15,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ18Н65Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-220-3 Полный пакет | 18 недель | не_совместимо | 18А | 650В | 50 Вт Тс | N-канал | 3785пФ при 25 В | 390 мОм при 9 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 68 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.