Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактAlpha & Omega Semiconductor Inc. (5074)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Максимальная рабочая температура | МИН рабочая температура | Технология | Операционный режим | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Количество терминаций | Время выполнения завода | PBFREE CODE | Код ECCN | Достичь кода соответствия | Поверхностное крепление | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Время@Пиковой температуру (я) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Входная емкость | Непрерывный ток дренажа (ID) | Материал транзистора | Конфигурация | Приложение транзистора | Слейте до источника напряжения (VDS) | DS Breakdown Trastage-Min | Power Dissipation-Max | Jedec-95 код | Дренажный ток-ток (ABS) (ID) | Импульсный ток сливного тока (IDM) | Дренажный источник на сопротивлении-макс | Рейтинг Evalanche Energy (EAS) | Тип FET | Входная емкость (ciss) (max) @ vds | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Ток - непрерывная дренаж (ID) @ 25 ° C | Заряд затвора (qg) (max) @ vgs | FET функция | RDS на макс | Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON) | VGS (макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON7532E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Алфамос | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | 8-SMD, плоский свинец | 8-DFN (2,9x2,3) | 1.95NF | 28а | 30 В | 5 Вт TA 28W TC | N-канал | 1950pf @ 15v | 3,5mohm @ 20a, 10v | 2,2 В при 250 мкА | 30,5A TA 28A TC | 40nc @ 10v | 3,5 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF12T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 2,77 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2009 | До 220-3 полная упаковка | 3 | 16 недель | да | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | R-PSFM-T3 | 12A | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 600 В. | 600 В. | 50 Вт TC | До-220AB | 48а | 0,52 Ом | 750 МДж | N-канал | 2028pf @ 100v | 520 мм ω @ 6a, 10v | 5 В @ 250 мкА | 12A TC | 50NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||
| AOD9T40P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,09 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 16 недель | До 252, (d-pak) | 530pf | 6.6a | 400 В. | 83W TC | N-канал | 530pf @ 100v | 800mohm @ 4a, 10v | 5 В @ 250 мкА | 6.6a tc | 18NC @ 10V | 800 МОм | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| AON7474A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -50 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -50 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2014 | 8-powervdfn | 8-DFN-EP (3x3) | 280pf | 7,5а | 75 В. | 4,1 Вт TA 15,5 Вт TC | N-канал | 280pf @ 37,5 В. | 130mohm @ 5a, 10v | 1,6 В @ 250 мкА | 4A TA 7,5A TC | 15NC @ 10V | 130 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 16 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7402 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 11,54 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductor-aon7402-datasheets-4038.pdf | 8-powervdfn | 13.5a | 30 В | 3,1 Вт TA 26W TC | N-канал | 770pf @ 15v | 10 м ω @ 20a, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 13.5a TA 39A TC | 17.8nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT500 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 182,43 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2010 год | До 220-3 | 16 недель | До-220 | 5.5nf | 80A | 33 В | 115W TC | N-канал | 5500pf @ 15v | 5,3 мома @ 30a, 10 В | 3V @ 250 мкА | 80A TC | 89NC @ 10V | 5,3 МОм | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6782 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Srfet ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemonductor-aon6782-datasheets-4063.pdf | 8-Powersmd, плоские отведения | 16 недель | 8-DFN (5x6) | 6.78nf | 85а | 30 В | 2,5 Вт TA 83W TC | N-канал | 6780pf @ 15v | 2,4mohm @ 20a, 10v | 2 В @ 250 мкА | 24A TA 85A TC | 51NC @ 10V | Диод Шоттки (тело) | 2,4 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 12 В. | |||||||||||||||||||||||||||
| AO4419L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,36 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 9.7a | 30 В | 3,1 Вт ТА | P-канал | 1900pf @ 15v | 20 м ω @ 9,7а, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 9.7a ta | 32NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD206_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Алфамос | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aod206001-datasheets-1444.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | До 252, (d-pak) | 1.333nf | 46а | 30 В | 2,5 Вт TA 50W TC | N-канал | 1333pf @ 15v | 5mohm @ 20a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 18A TA 46A TC | 33NC @ 10V | 5 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||
| AOD3N50_004 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -50 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -50 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | До 252, (d-pak) | 331pf | 2.8a | 500 В. | 57W TC | N-канал | 331PF @ 25V | 3om @ 1,5a, 10v | 4,5 В при 250 мкА | 2.8A TC | 8NC @ 10V | 3 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -50 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -50 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | До 252, (d-pak) | 640pf | 4а | 600 В. | 104W TC | N-канал | 640pf @ 25V | 2,3om @ 2a, 10v | 4,5 В при 250 мкА | 4A TC | 14.5nc @ 10V | 2,3 Ом | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6566P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 6,92 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Масса | 1 (неограниченный) | ROHS COMPARINT | 8-Powersmd, плоские отведения | 8-DFN (5x6) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON7202L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aon7202-datasheets-0729.pdf | 8-powervdfn | 8-DFN (3x3) | 2.2NF | 40a | 30 В | 3,1 Вт TA 36W TC | N-канал | 2200PF @ 15V | 5mohm @ 20a, 10 В | 2,3 В при 250 мкА | 20а TA 40A TC | 33NC @ 10V | 5 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT8N80L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | 150 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | До 220-3 | До 220-3 | 1.65NF | 7,4а | 800 В. | 245W TC | N-канал | 1650pf @ 25v | 1.63OM @ 4A, 10V | 4,5 В при 250 мкА | 7.4a tc | 32NC @ 10V | 1,63 Ом | 10 В | ± 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD522P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 1,51 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Алфамос | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Масса | 1 (неограниченный) | 175 ° C. | -55 ° C. | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS COMPARINT | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aod522p-datasheets-1941.pdf | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | До 252, (d-pak) | 1,5NF | 46а | 30 В | 2,5 Вт TA 53W TC | N-канал | 1500pf @ 15v | 5,2 мома @ 20a, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 17A TA 46A TC | 18NC @ 10V | 5,2 МОм | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||
| AON2701_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 2010 год | 6-WDFN открытая площадка | 20 В | 1,5 Вт ТА | P-канал | 700pf @ 10 В. | 120 м ω @ 3A, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 3а та | 6,5NC @ 4,5 В. | Диод Шоттки (тело) | 1,8 В 4,5 В. | ± 8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6532P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,14 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 2016 | 8-DFN (5x6) | 30 В | 35,5 Вт TC | N-канал | 1080pf @ 15v | 4,1 млн. Ω @ 20a, 10 В | 710 мВ @ 1a | 68A TC | 17.2nc @ 10v | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4136L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 4,28 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | SDMOS ™ | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 2008 | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 25 В | 2,1 Вт TA 30W TC | N-канал | 734pf @ 12,5 В. | 11m ω @ 20a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 25а TC | 16.8nc @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD446_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4821_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-ao4821101-datasheets-3039.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOWF10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Через дыру | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Трубка | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemononductorinc-aow10t60-datasheets-3155.pdf | TO-262-3 Full Pack, i2pak | соответствие | НЕТ | FET Общее назначение власти | Одинокий | 600 В. | 28 Вт TC | 10а | N-канал | 1346pf @ 100v | 700 м ω @ 5a, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10a tc | 35NC @ 10V | 10 В | ± 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3409_103 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO6409A_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD418G | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | ROHS3 соответствует | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 30 В | 2,5 Вт TA 50W TC | N-канал | 1380pf @ 15v | 7,5 мм ω @ 20a, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 13.5a TA 36A TC | 24nc @ 10v | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6566_MSI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Алфамос | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 8-VDFN открытая площадка | 30 В | 6 Вт TA 25W TC | N-канал | 1550pf @ 15v | 5m ω @ 20a, 10v | 2,4 В @ 250 мкА | 29A TA 32A TC | 33NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3402L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,08 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Не совместимый с ROHS | 2006 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30 В | 1,4 Вт та | N-канал | 390pf @ 15v | 55 м ω @ 4a, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 4а та | 4.34NC @ 4,5 В. | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4407AL_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт ТА | P-канал | 2600pf @ 15v | 11m ω @ 12a, 20В | 3V @ 250 мкА | 12а та | 39NC @ 10V | 6 В 20 В. | ± 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO7401L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,13 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | 2002 | SC-70, SOT-323 | соответствие | 30 В | 350 МВт ТА | P-канал | 409pf @ 15v | 150 м ω @ 1,2а, 10 В | 1,4 В @ 250 мкА | 1.2A TA | 5,06NC @ 4,5 В. | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO3416L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,24 | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Поверхностное крепление | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) | МОСФЕТ (оксид металла) | Режим улучшения | ROHS COMPARINT | 2010 год | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | Ear99 | ДА | Двойной | Крыло Печата | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | R-PDSO-G3 | Кремний | Сингл со встроенным диодом | Переключение | 20 В | 20 В | 1,4 Вт та | 0,022 гм | N-канал | 1160pf @ 10v | 22m ω @ 6.5a, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 6.5A TA | 16NC @ 4,5 В. | 1,8 В 4,5 В. | ± 8 В | ||||||||||||||||||||||
| AO6401AL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (неограниченный) |
