Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFQ21N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 21А | 500В | N-канал | 21А Тц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTJ4N150 | ИКСИС | $9,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtj4n150-datasheets-4084.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | ОДИНОКИЙ | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500В | 1500В | 110 Вт Тс | 12А | 6Ом | 350 мДж | N-канал | 1576пФ при 25 В | 6 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2,5 А Тс | 44,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ20N85X | ИКСИС | 10,60 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfj20n85x-datasheets-4143.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | да | 850В | 110 Вт Тс | N-канал | 1660пФ при 25В | 360 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 9,5 А Тс | 63 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK24N80P | ИКСИС | $60,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft24n80p-datasheets-4174.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 30 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 650 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 27нс | 24 нс | 75 нс | 24А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650 Вт Тс | 55А | 0,4 Ом | 1500 мДж | 800В | N-канал | 7200пФ при 25В | 400 мОм при 12 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 24А Тк | 105 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFX360N10T | ИКСИС | $11,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk360n10t-datasheets-7419.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 360А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 1250 Вт Тс | 900А | 0,0029Ом | 3000 мДж | N-канал | 33000пФ при 25В | 2,9 мОм при 100 А, 10 В | 5 В при 3 мА | 360А Тк | 525 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXFT18N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh18n90p-datasheets-7103.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 18А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 36А | 0,6 Ом | 800 мДж | 900В | N-канал | 5230пФ при 25 В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 18А Тк | 97 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFH150N15P | ИКСИС | $7,25 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n15p-datasheets-4247.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 20 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 33нс | 28 нс | 100 нс | 150А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 714 Вт Тс | ТО-247АД | 340А | 0,013Ом | 2500 мДж | 150 В | N-канал | 5800пФ при 25 В | 13 м Ом при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 150А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| IXFT24N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh24n50-datasheets-4823.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 33нс | 30 нс | 65 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 96А | 0,23 Ом | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 230 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 24А Тк | 160 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXTT75N20L2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | Д2ПАК | 30 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX520N075T2 | ИКСИС | $13,63 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk520n075t2-datasheets-5624.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,25 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 520А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 1250 Вт Тс | 0,0022Ом | N-канал | 41000пФ при 25В | 2,2 мОм при 100 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 520А Тк | 545 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFK102N30P | ИКСИС | $15,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk102n30p-datasheets-4426.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 20 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 28нс | 30 нс | 130 нс | 102А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700 Вт Тс | 250А | 0,033Ом | 2500 мДж | 300В | N-канал | 7500пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 102А Тс | 224 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| IXTT10N100D | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth10n100d-datasheets-4365.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | 24 недели | да | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 85нс | 75 нс | 110 нс | 10А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 400 Вт Тс | 20А | 1кВ | N-канал | 2500пФ при 25В | 1,4 Ом при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 130 нК при 10 В | Режим истощения | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTT72N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth72n20-datasheets-4294.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 20 нс | 80 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 288А | 0,033Ом | 1500 мДж | 200В | N-канал | 4400пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 72А Тк | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFH67N10 | ИКСИС | $82,50 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh67n10-datasheets-7587.pdf | 100В | 67А | ТО-247-3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 60нс | 60 нс | 80 нс | 67А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 268А | 0,025 Ом | 100В | N-канал | 4500пФ при 25В | 25 мОм при 33,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 67А Тк | 260 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTP56N15T | ИКСИС | 0,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ixys-ixtp56n15t-datasheets-9402.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 56А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 140А | 500 мДж | N-канал | 2250пФ при 25В | 36 мОм при 28 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 56А Тк | 34 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTP20N65X2 | ИКСИС | $4,81 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | 15 недель | совместимый | 650В | 290 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 25В | 185 мОм при 10 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 20А Тс | 27 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA3N110-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1100В | 150 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 25В | 4 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 39 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP140N055T2 | ИКСИС | 3,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp140n055t2-datasheets-9883.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 140А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 350А | 0,0054Ом | 600 мДж | N-канал | 4760пФ при 25В | 5,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 140А Тс | 82 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| ИКСТА1N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n100-datasheets-0025.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 11Ом | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 54 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 19нс | 18 нс | 20 нс | 1,5 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 54 Вт Тс | 6А | 200 мДж | 1кВ | N-канал | 400пФ при 25В | 11 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 1,5 А Тс | 14,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||
| IXTP76N25T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta76n25t-datasheets-0048.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25нс | 29 нс | 56 нс | 76А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 460 Вт Тс | ТО-220АБ | 170А | 0,039 Ом | 1500 мДж | 250 В | N-канал | 4500пФ при 25В | 39 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 76А Тк | 92 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||
| IXTH44N30T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-247-3 | Одинокий | 44А | 300В | N-канал | 44А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP4N100PM | ИКСИС | $4,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2008 год | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | 26 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 1000В | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 2,5 А | 8А | 200 мДж | N-канал | 1456пФ при 25В | 3,3 Ом при 2 А, 10 В | 6 В при 250 мкА | 2,1 А Тс | 26 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKP24N60C5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkh24n60c5-datasheets-3813.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 165МОм | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 522 мДж | 600В | N-канал | 2000пФ при 100В | 165 мОм при 12 А, 10 В | 3,5 В @ 790 мкА | 24А Тк | 52 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ120N15T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 600 Вт | 120А | 150 В | N-канал | 4900пФ при 25В | 16 м Ом при 500 мА, 10 В | 120А Тс | 150 нК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKP24N60C5M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkp24n60c5m-datasheets-0485.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Без свинца | 3 | 32 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 34 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 5нс | 5 нс | 50 нс | 8,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 0,165 Ом | 522 мДж | 600В | N-канал | 2000пФ при 100В | 165 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 790 мкА | 8,5 А Тс | 52 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTA86N20T | ИКСИС | $24,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp86n20t-datasheets-0035.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 30 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 86А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | 260А | 0,029 Ом | 1000 мДж | 200В | N-канал | 4500пФ при 25В | 29 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 86А Тк | 90 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFT80N08 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft80n08-datasheets-0584.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 75нс | 31 нс | 95 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | 300 Вт Тс | 0,009 Ом | 80В | N-канал | 4800пФ при 25В | 9 м Ом при 40 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 80А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFA20N85XHV-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 19 недель | 850В | 540 Вт Тс | N-канал | 1660пФ при 25В | 330 мОм при 10 А, 10 В | 5,5 В @ 2,5 мА | 20А Тс | 63 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX12N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx12n90q-datasheets-0659.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 23нс | 15 нс | 40 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 48А | 0,9 Ом | 900В | N-канал | 2900пФ при 25В | 900 мОм при 6 А, 10 В | 5,5 В @ 4 мА | 12А Тс | 90 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTH60N20L2 | ИКСИС | $30,83 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt60n20l2-datasheets-3662.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 60А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 200В | 200В | 540 Вт Тс | 150А | 0,045 Ом | 2000 мДж | N-канал | 10500пФ при 25В | 45 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 60А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
