Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFT50N60P3 | ИКСИС | $11,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq50n60p3-datasheets-1666.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | 2 | 26 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1,04 кВт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 31 нс | 20нс | 17 нс | 62 нс | 50А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1040 Вт Тс | 125А | 0,145 Ом | 1000 мДж | 600В | N-канал | 6300пФ при 25 В | 145 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 50А Тс | 94 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFR20N80P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixfr20n80p-datasheets-4080.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 166 Вт | 1 | Не квалифицирован | 24 нс | 25 нс | 70 нс | 11А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 166 Вт Тс | 0,5 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4680пФ при 25 В | 500 мОм при 10 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 11А Тк | 85 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ100N25P | ИКСИС | $10,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/ixys-ixtt100n25p-datasheets-5585.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 27МОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 600 Вт | 1 | Не квалифицирован | 26нс | 28 нс | 100 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 600 Вт Тс | 250А | 2000 мДж | 250В | N-канал | 6300пФ при 25 В | 24 мОм при 50 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 100А Тс | 185 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| IXTT11P50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth11p50-datasheets-5654.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | 750мОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | ЧИСТОЕ ОЛОВО | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 35 нс | 35 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 300 Вт Тс | 44А | -500В | P-канал | 4700пФ при 25В | 750 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFR30N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr30n60p-datasheets-4214.pdf | 600В | 30А | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 166 Вт | 1 | Не квалифицирован | 20нс | 25 нс | 75 нс | 15А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 166 Вт Тс | 80А | 0,25 Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 3820пФ при 25В | 250 мОм при 15 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 15А Тс | 85 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFT60N65X2HV | ИКСИС | $12,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft60n65x2hv-datasheets-4251.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 650В | 780 Вт Тс | N-канал | 6300пФ при 25 В | 52 мОм при 30 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 60А Тс | 108 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR26N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr24n50-datasheets-4223.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 33нс | 30 нс | 65 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 Вт Тс | 24А | 104А | 0,2 Ом | 500В | N-канал | 4200пФ при 25В | 200 мОм при 13 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 26А Тк | 160 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH60N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh60n60x-datasheets-4330.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 60А | 600В | 890 Вт Тс | N-канал | 5800пФ при 25 В | 55 мОм при 30 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 60А Тс | 143 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ30N50L | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth30n50l-datasheets-4278.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 30А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 400 Вт Тс | 60А | 0,2 Ом | 1500 мДж | N-канал | 10200пФ при 25В | 200 мОм при 15 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 30А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTR200N10P | ИКСИС | $14,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr200n10p-datasheets-4384.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 28 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | 35 нс | 90 нс | 150 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 400А | 0,008 Ом | 4000 мДж | 100 В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 8 м Ом при 60 А, 10 В | 5 В @ 500 мкА | 120А Тс | 235 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXFR24N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr24n90p-datasheets-4422.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 30 недель | да | ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 13А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 230 Вт Тс | 48А | 0,46 Ом | 1000 мДж | N-канал | 7200пФ при 25В | 460 мОм при 12 А, 10 В | 6,5 В при 1 мА | 13А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH150N20T | ИКСИС | $69,00 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, TrenchT2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh150n20t-datasheets-4462.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 150А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 890 Вт Тс | ТО-247АД | 375А | 0,015 Ом | 1500 мДж | N-канал | 11700пФ при 25В | 15 мОм при 75 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 150А Тс | 177 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCB60I1200TZ-ТУБ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~175°C, ТДж | SiCFET (карбид кремния) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 20 недель | 1,2 кВ | N-канал | 2790пФ при 1000В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 4 В при 15 мА | 90А Тс | 160 нК при 20 В | 20 В | +20В, -5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH13N50 | ИКСИС | $3,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n50-datasheets-7571.pdf | 500В | 13А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 27нс | 32 нс | 76 нс | 13А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | 52А | 0,4 Ом | 500В | N-канал | 2800пФ при 25В | 400 мОм при 6,5 А, 10 В | 4 В @ 2,5 мА | 13А Тк | 120 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTY26P10T | ИКСИС | 1,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty26p10t-datasheets-9365.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 26А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 150 Вт Тс | 80А | 0,09 Ом | 300 мДж | P-канал | 3820пФ при 25В | 90 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 26А Тк | 52 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA7N100P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 1000В | 300 Вт Тс | N-канал | 2590пФ при 25В | 1,9 Ом при 3,5 А, 10 В | 6 В @ 1 мА | 7А Тк | 47 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA180N10T2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 100 В | 480 Вт Тс | N-канал | 10500пФ при 25В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 180А Тс | 185 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP36N20X3M | ИКСИС | $3,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp36n20x3m-datasheets-9803.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 19 недель | 200В | 36 Вт Тк | N-канал | 1425пФ при 25В | 45 мОм при 18 А, 10 В | 4,5 В @ 500 мкА | 36А Тк | 21 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA1R4N120P | ИКСИС | 5,00 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp1r4n120p-datasheets-9773.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 13Ом | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 86 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 27нс | 29 нс | 78 нс | 1,4 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 86 Вт Тс | 3А | 1,2 кВ | N-канал | 666пФ при 25 В | 13 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 100 мкА | 1,4 А Тс | 24,8 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFP270N06T3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiperFET™, TrenchT3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh270n06t3-datasheets-1458.pdf | ТО-220-3 | 26 недель | да | неизвестный | 270 мА | 60В | 480 Вт Тс | N-канал | 12600пФ при 25В | 3,1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 270А Тс | 200 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA3N120-ТРР | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1200В | 200 Вт Тс | N-канал | 1350пФ при 25В | 4,5 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP20N50P3 | ИКСИС | $4,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfq20n50p3-datasheets-3225.pdf | ТО-220-3 | 3 | 8 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 380 Вт Тс | ТО-220АБ | 20А | 40А | 0,3 Ом | 300 мДж | N-канал | 1800пФ при 25В | 300 мОм при 10 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 8А Тк | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKP20N60C5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkp20n60c5-datasheets-0375.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 5нс | 5 нс | 50 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 0,2 Ом | 600В | N-канал | 1520пФ при 100В | 200 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 1,1 мА | 20А Тс | 45 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKH20N60C5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkp20n60c5-datasheets-0375.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 3 | 32 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 5нс | 5 нс | 50 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-247АД | 0,2 Ом | 435 мДж | 600В | N-канал | 1520пФ при 100В | 200 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 1,1 мА | 20А Тс | 45 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP300N04T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta300n04t2-datasheets-9952.pdf | ТО-220-3 | 3 | 17 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 300А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 480 Вт Тс | ТО-220АБ | 900А | 0,0025Ом | 600 мДж | N-канал | 10700пФ при 25В | 2,5 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 300А Тс | 145 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTQ102N20T | ИКСИС | $6,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 10 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 750 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | 26нс | 25 нс | 50 нс | 102А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 750 Вт Тс | 250А | 1200 мДж | 200В | N-канал | 6800пФ при 25 В | 23 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 102А Тс | 114 нК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH16N50P3 | ИКСИС | $7,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp16n50p3-datasheets-3145.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | 3 | 20 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Одинокий | 1 | Мощность FET общего назначения | 19 нс | 44 нс | 16А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 330 Вт Тс | ТО-247АД | 40А | N-канал | 1515пФ при 25В | 360 мОм при 8 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 16А Тс | 29 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT150N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh150n20t-datasheets-4462.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 26 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 150А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 890 Вт Тс | 375А | 0,015 Ом | 1500 мДж | N-канал | 11700пФ при 25В | 15 мОм при 75 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 150А Тс | 177 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА230N075T2 | ИКСИС | $24,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp230n075t2-datasheets-0641.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 230А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 480 Вт Тс | 700А | 0,0042Ом | 850 мДж | N-канал | 10500пФ при 25В | 4,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230А Тс | 178 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXTR32P60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr32p60p-datasheets-0703.pdf | ISOPLUS247™ | 3 | 28 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 18А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 310 Вт Тс | 96А | 0,385 Ом | 3500 мДж | P-канал | 11100пФ при 25В | 385 мОм при 16 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 18А Тк | 196 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
