Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFR230N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr230n20t-datasheets-0787.pdf | ТО-247-3 | 3 | 30 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Р-ПСИП-Т3 | 156А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 600 Вт Тс | 630А | 0,008 Ом | 3000 мДж | N-канал | 28000пФ при 25В | 8 м Ом при 60 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 156А Тс | 378 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB120N50P2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHV™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb120n50p2-datasheets-3471.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 26 недель | 264 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1,89 кВт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 120А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1890 Вт Тс | 300А | 0,043Ом | 4000 мДж | 500В | N-канал | 19000пФ при 25В | 43 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 120А Тс | 300 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFE48N50Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe44n50q-datasheets-0847.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 22нс | 10 нс | 75 нс | 41А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400 Вт Тс | 192А | 0,11 Ом | 2,5 мДж | 500В | N-канал | 7000пФ при 25В | 110 мОм при 24 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 41А Тц | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB210N20P | ИКСИС | $34,33 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb210n20p-datasheets-0910.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 26 недель | 264 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,5 кВт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 210А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1500 Вт Тс | 600А | 0,0105Ом | 4000 мДж | 200В | N-канал | 18600пФ при 25В | 10,5 мОм при 105 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 210А Тс | 255 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN100N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn100n65x2-datasheets-0941.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | совместимый | 650В | 595 Вт Тс | N-канал | 10800пФ при 25В | 30 мОм при 50 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 78А Тк | 183 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR26N120P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfr26n120p-datasheets-0984.pdf | ISOPLUS247™ | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | да | ПРИЗНАН UL, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 320 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 55нс | 58 нс | 76 нс | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 320 Вт Тс | 60А | 0,5 Ом | 1500 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 14000пФ при 25В | 500 мОм при 13 А, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 15А Тс | 225 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT80N085 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft80n085-datasheets-1019.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 75нс | 31 нс | 95 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 85А | 320А | 0,009 Ом | 2500 мДж | 85В | N-канал | 4800пФ при 25В | 9 м Ом при 40 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 80А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН200Н10Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn200n10t-datasheets-1054.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 28 недель | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | НИКЕЛЬ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 31 нс | 34 нс | 45 нс | 200А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 500А | 0,0055Ом | 100В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTX22N100L | ИКСИС | $39,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk22n100l-datasheets-7159.pdf | ТО-247-3 | 16,13 мм | 21,34 мм | 5,21 мм | Без свинца | 3 | 600МОм | 247 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 36 нс | 35 нс | 50 нс | 80 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 700 Вт Тс | 50А | 1500 мДж | 1кВ | N-канал | 7050пФ при 25 В | 600 мОм при 11 А, 20 В | 5 В @ 250 мкА | 22А Тк | 270 нК при 15 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFB50N80Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb50n80q2-datasheets-1123.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 264 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 890 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 26 нс | 25нс | 13 нс | 60 нс | 50А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1135 Вт Тс | 200А | 5000 мДж | 800В | N-канал | 7200пФ при 25В | 160 мОм при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 50А Тс | 260 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTN79N20 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | СОТ-227-4, миниБЛОК | Содержит свинец | 4 | 18 недель | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 79А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 400 Вт Тс | 340А | 0,025 Ом | N-канал | 4 В при 20 мА | 85А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP1R4N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp1r4n100p-datasheets-1347.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 63 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 35 нс | 28 нс | 65 нс | 1,4 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 63 Вт Тс | ТО-220АБ | 3А | 100 мДж | 1кВ | N-канал | 450пФ при 25В | 11 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 1,4 А Тс | 17,8 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА32Н20Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp32n20t-datasheets-1409.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 24 недели | 72МОм | Одинокий | 200 Вт | ТО-263 (ИКСТА) | 1,76 нФ | 18нс | 31 нс | 55 нс | 32А | 20 В | 200В | 200 Вт Тс | 78мОм | 200В | N-канал | 1760пФ при 25В | 72 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 38 нК при 10 В | 72 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA1N120P-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1200В | 63 Вт Тс | N-канал | 550пФ при 25В | 20 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 50 мкА | 1А Тк | 17,6 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY32P05T | ИКСИС | $5,26 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp32p05t-datasheets-4440.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 32А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 83 Вт Тс | 110А | 0,039 Ом | 200 мДж | P-канал | 1975 пФ при 25 В | 39 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 32А Тк | 46 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА200N055T2-7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 360 Вт Тс | 200А | 500А | 0,0042Ом | 600 мДж | N-канал | 6970пФ при 25 В | 4,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 200А Тс | 109 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP12N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth12n65x2-datasheets-9746.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12А | 650В | 180 Вт Тс | N-канал | 1100пФ при 25В | 300 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 17 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY08N120P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-220-3 | ТО-220АБ | 8А | 1200В | N-канал | 8А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXKP10N60C5 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkp10n60c5-datasheets-2447.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 109 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 600А | 0,385 Ом | 225 мДж | 600В | N-канал | 790пФ при 100В | 385 мОм при 5,2 А, 10 В | 3,5 В @ 340 мкА | 10А Тс | 22 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP48P05T | ИКСИС | 1,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty48p05t-datasheets-2147.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 48А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 150А | 0,03 Ом | 300 мДж | P-канал | 3660пФ при 25 В | 30 мОм при 24 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 53 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP90N055T2 | ИКСИС | 1,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp90n055t2-datasheets-3301.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 21нс | 19 нс | 39 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 230А | 0,0084Ом | 300 мДж | 55В | N-канал | 2770пФ при 25 В | 8,4 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 90А Тс | 42 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА70N075T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp70n075t2-datasheets-3818.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | 12МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 28нс | 22 нс | 31 нс | 70А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | 180А | 300 мДж | 75В | N-канал | 2725пФ при 25В | 12 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 70А Тс | 46 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP05N100 | ИКСИС | $11,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta05n100hv-datasheets-3022.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 17Ом | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 19нс | 28 нс | 40 нс | 750 мА | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 40 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,75 А | 3А | 100 мДж | 1кВ | N-канал | 260пФ при 25В | 17 Ом при 375 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 750 мА Тс | 7,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R6N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r6n50p-datasheets-5758.pdf | 500В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 43 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 26нс | 23 нс | 45 нс | 1,6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 43 Вт Тс | ТО-252АА | 2,5 А | 75 мДж | 500В | N-канал | 140пФ при 25В | 6,5 Ом при 500 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,6 А Тс | 3,9 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV36N50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh36n50p-datasheets-4795.pdf | 500В | 36А | ТО-220-3, короткая вкладка | Без свинца | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | 27нс | 21 нс | 75 нс | 36А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 90А | 0,17 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 5500пФ при 25В | 170 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 36А Тк | 93 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP1R4N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r4n60p-datasheets-5843.pdf | 600В | 1,4 А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 16нс | 16 нс | 25 нс | 1,4 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50 Вт Тс | ТО-220АБ | 9Ом | 75 мДж | 600В | N-канал | 140пФ при 25В | 9 Ом при 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,4 А Тс | 5,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА5Н50П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtu5n50p-datasheets-2981.pdf | 500В | 5А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 8 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 89 Вт | 1 | Питание общего назначения на полевых транзисторах | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 26нс | 24 нс | 65 нс | 4,8А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 89 Вт Тс | ТО-263АА | 5А | 10А | 250 мДж | 500В | N-канал | 620пФ при 25В | 1,4 Ом при 2,4 А, 10 В | 5,5 В @ 50 мкА | 4,8 А Тс | 12,6 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT16N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk16n90q-datasheets-0642.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 24 нс | 14 нс | 56 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 360 Вт Тс | 64А | 0,65 Ом | 1500 мДж | 900В | N-канал | 4000пФ при 25В | 650 мОм при 8 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 16А Тс | 170 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFV110N10PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh110n10p-datasheets-5469.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 25нс | 25 нс | 65 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 480 Вт Тс | 250А | 0,015 Ом | 1000 мДж | 100В | N-канал | 3550пФ при 25В | 15 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 110А Тс | 110 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА110N055T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp110n055t-datasheets-4382.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | 24 нс | 40 нс | 110А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 300А | 0,007Ом | 750 мДж | 55В | N-канал | 3080пФ при 25В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 100 мкА | 110А Тс | 67 нК при 10 В | 10 В | ±20 В |
