Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Оценочный комплект | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Напряжение изоляции | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Функция | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Используемая микросхема/деталь | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Поставляемый контент | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFV16N80PS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarHT™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh16n80p-datasheets-7014.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 32нс | 29 нс | 75 нс | 16А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 460 Вт Тс | 0,6 Ом | 1000 мДж | 800В | N-канал | 4600пФ при 25В | 600 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В при 4 мА | 16А Тс | 71 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX24N100 | ИКСИС | $15,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx24n100-datasheets-7466.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 390мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 35 нс | 21 нс | 75 нс | 24А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 560 Вт Тс | 96А | 1кВ | N-канал | 8700пФ при 25 В | 390 мОм при 12 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 24А Тк | 267 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА88N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta88n085t-datasheets-7513.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 230 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 54нс | 29 нс | 42 нс | 88А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 240А | 0,011 Ом | 500 мДж | 85В | N-канал | 3140пФ при 25В | 11 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 88А Тк | 69 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTC180N10T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtc230n085t-datasheets-7537.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | Одинокий | 150 Вт | ISOPLUS220™ | 90А | 100В | 150 Вт Тс | 7мОм | 100В | N-канал | 90А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP200N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta200n085t-datasheets-7501.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 480 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 80нс | 64 нс | 65 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 480 Вт Тс | ТО-220АБ | 540А | 0,005 Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 7600пФ при 25 В | 5 м Ом при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP50N085T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp50n085t-datasheets-7614.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 32нс | 33 нс | 38 нс | 50А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 130 Вт Тс | ТО-220АБ | 130А | 0,023Ом | 250 мДж | 85В | N-канал | 1460пФ при 25В | 23 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 25 мкА | 50А Тс | 34 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU1R4N60P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларХВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty1r4n60p-datasheets-5843.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 16нс | 16 нс | 25 нс | 1,4 А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50 Вт Тс | 2.1А | 9Ом | 75 мДж | 600В | N-канал | 140пФ при 25В | 9 Ом при 700 мА, 10 В | 5,5 В @ 25 мкА | 1,4 А Тс | 5,2 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV230N085TS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv230n085t-datasheets-7645.pdf | ПЛЮС-220СМД | 2 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 49нс | 39 нс | 56 нс | 230А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 520А | 0,0044Ом | 1000 мДж | 85В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 4,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 230А Тс | 187 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP98N075T | ИКСИС | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta98n075t-datasheets-7554.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Не квалифицирован | 42нс | 27 нс | 42 нс | 98А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | ТО-220АБ | 280А | 10мОм | 600 мДж | 75В | N-канал | 4 В при 100 мкА | 98А Тц | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN26N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | Винт | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn26n90-datasheets-5292.pdf | 900В | 26А | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 8 недель | 44 г | Нет СВХК | 300мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 600 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 2,5 кВ | 35 нс | 24 нс | 130 нс | 26А | 20 В | 900В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 600 Вт Тс | 104А | 900В | N-канал | 10800пФ при 25В | 5 В | 300 мОм при 13 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 26А Тк | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXFE180N10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfe180n10-datasheets-8423.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 90 нс | 65 нс | 140 нс | 176А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | 720А | 0,008 Ом | 3000 мДж | 100В | N-канал | 9100пФ при 25 В | 8 м Ом при 90 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 176А Тк | 360 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH75N10Q | ИКСИС | $8,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh75n10q-datasheets-8506.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 65нс | 28 нс | 65 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | 0,02 Ом | 100В | N-канал | 3700пФ при 25В | 20 мОм при 37,5 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 75А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK170N10 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk170n10-datasheets-8585.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 10мОм | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 90 нс | 79 нс | 158 нс | 170А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 560 Вт Тс | 680А | 100В | N-канал | 10300пФ при 25В | 10 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 170А Тс | 515 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN44N50U2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn44n50u2-datasheets-8648.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 260 | 4 | 35 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 44А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 520 Вт Тс | 176А | 0,12 Ом | N-канал | 8400пФ при 25В | 120 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 8 мА | 44А Тк | 270 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT32N50 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft30n50-datasheets-4425.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 42нс | 26 нс | 110 нс | 32А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 360 Вт Тс | 128А | 0,15 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 5700пФ при 25В | 150 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 4 мА | 32А Тк | 300 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTK80N25 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МегаМОС™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtk80n25-datasheets-8708.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 33МОм | 3 | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Не квалифицирован | 25нс | 24 нс | 88 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 540 Вт Тс | 2500 мДж | 250 В | N-канал | 6000пФ при 25В | 33 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Тс | 240 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN48N55 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn48n55-datasheets-8869.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 48А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550В | 550В | 600 Вт Тс | 192А | 0,11 Ом | 3000 мДж | N-канал | 8900пФ при 25 В | 110 мОм при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 48А ТЦ | 330 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN100N10S3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn100n10s1-datasheets-8622.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 360 Вт Тс | 0,0125Ом | N-канал | 4500пФ при 25В | 15 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 100А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH26N55Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n55q-datasheets-4284.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 375 Вт | 1 | Не квалифицирован | 18нс | 13 нс | 50 нс | 26А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 375 Вт Тс | ТО-247АД | 104А | 1500 мДж | 550В | N-канал | 3000пФ при 25В | 230 мОм при 13 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 26А Тк | 92 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFC74N20P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | PolarHT™ HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfc74n20p-datasheets-4331.pdf | ISOPLUS220™ | 3 | Нет СВХК | 220 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 120 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 2,5 кВ | 21нс | 21 нс | 60 нс | 35А | 20 В | 200В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5В | 120 Вт Тс | 200 нс | 200А | 0,036Ом | 1000 мДж | 200В | N-канал | 3300пФ при 25В | 5 В | 36 мОм при 37 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 35А Тс | 107 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN39N90 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn39n90-datasheets-4380.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 8 недель | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 700 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 68нс | 30 нс | 125 нс | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 694 Вт Тс | 0,2 Ом | 900В | N-канал | 9200пФ при 25В | 220 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 8 мА | 39А Тц | 390 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTV03N400S | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtv03n400s-datasheets-5320.pdf | ПЛЮС-220СМД | Без свинца | 2 | 220 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 130 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 300 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4000В | 130 Вт Тс | 300А | 800А | 4кВ | N-канал | 435пФ при 25В | 290 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 300 мА Тс | 16,3 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK55N50F | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerRF™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx55n50f-datasheets-6230.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 10 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 560 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 20нс | 9,6 нс | 45 нс | 55А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 560 Вт Тс | 220А | 0,0085Ом | 3000 мДж | 500В | N-канал | 6700пФ при 25 В | 85 мОм при 27,5 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 55А Тс | 195 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFJ52N30Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFR16N90Q | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP110N12T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta110n12t2-datasheets-3419.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | неизвестный | 120 В | 517 Вт Тс | N-канал | 6570пФ при 25 В | 14 мОм при 55 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 110А Тс | 120 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM9226 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTM6N90A | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth6n90-datasheets-4158.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | 35 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 180 Вт Тс | 6А | 24А | N-канал | 2600пФ при 25В | 1,4 Ом при 3 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 6А Тс | 130 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭВДИ430MCI | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-evdd430ci-datasheets-5891.pdf | Да | Драйвер полевого транзистора (внешний полевой транзистор) | IXDI430MCI | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭВДИ402 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | Коробка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Да | Драйвер полевого транзистора (внешний полевой транзистор) | IXDI402 | Совет(ы) |
