Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальный обратный ток утечки | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Приложение | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Скорость | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W3842MC240 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АС, К-ПУК | 8 недель | W54 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 34 мкс | Стандартный | 2400В | 50 мА при 2400 В | 1,2 В при 3000 А | 3842А | -40°К~160°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W3477MC360 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АС, К-ПУК | 8 недель | W54 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 38 мкс | Стандартный | 3600В | 100 мА при 3600 В | 1,34 В при 3000 А | 3470А | -40°К~160°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W6262ZC240 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АЭ | 8 недель | W7 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2400В | 150 мА при 2400 В | 1,18 В при 6800 А | 6262А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W108CED220 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АЭ | 8 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 2200В | 10815А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M0437WC080 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АБ, Б-ПУК | 8 недель | П1 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 80В | 20 мА при 80 В | 1,47 В при 635 А | 437А | -40°К~125°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DCG17P1200HR | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | ТО-247-3 | 20 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 1500пФ при 0В 1МГц | 1200В | 200 мкА при 1200 В | 1,8 В при 20 А | 18А | -40°К~150°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГС20-018А | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk40018a-datasheets-7890.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 3 | Одинокий | 35 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т2 | 30А | 2мА | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | АРСЕНИД ГАЛЛИЯ | ТО-220АС | Шоттки | 180 В | 23А | 1 | 0,014 мкс | 2 мА при 180 В | 1 В @ 7,5 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСА9-18Ф | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 180°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsa916f-datasheets-5603.pdf | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | Без свинца | 1 | 6 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-МУПМ-Д1 | 1,4 В | 250А | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 3мА | 1,8 кВ | 265А | 1,8 кВ | лавина | 1,8 кВ | 11А | 1 | 1800В | 3 мА при 1800 В | 1,4 В при 36 А | -40°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСЭП30-03А | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ХиПерФРЕД™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsep3003a-datasheets-1825.pdf | ТО-247-2 | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ДЕМПФЕРНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т2 | 300А | КАТОД | МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 170 Вт | 250 мкА | 300В | ТО-247АД | 25 нс | 25 нс | Стандартный | 300В | 30А | 1 | 250 мкА при 300 В | 1,55 В при 30 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСБ2И40СБ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsb2i40sb-datasheets-6497.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | да | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ШУМ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С2 | 75А | 100 мкА | МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | Шоттки | 40В | 2А | 1 | 2А | 100 мкА при 40 В | 500 мВ при 2 А | -55°К~150°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH200N10T | ИКСИС | 1,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth200n10t-datasheets-1667.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 5,5 МОм | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 550 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 31 нс | 34 нс | 45 нс | 200А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 550 Вт Тс | 500А | 1500 мДж | 100 В | N-канал | 9400пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 200А Тс | 152 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH12N100 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh12n100-datasheets-2166.pdf | 1кВ | 12А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 1,05 Ом | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 33нс | 32 нс | 62 нс | 12А | 20 В | 1кВ | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 4,5 В | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 48А | 1кВ | N-канал | 4000пФ при 25В | 4,5 В | 1,05 Ом при 6 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 12А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN66N85X | ИКСИС | $35,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn66n85x-datasheets-2691.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 19 недель | да | неизвестный | 65А | 850В | 830 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 65 мОм при 33 А, 10 В | 5,5 В @ 8 мА | 65А Тс | 230 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA1N200P3HVTRL | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 24 недели | 2000В | 125 Вт Тс | N-канал | 646пФ при 25 В | 40 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1А Тк | 23,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH72N30X3 | ИКСИС | $11,79 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh72n30x3-datasheets-4703.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 300В | 390 Вт Тс | N-канал | 5,4 нФ при 25 В | 19 мОм при 36 А, 10 В | 4,5 В @ 1,5 мА | 72А Тк | 82 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH52N30Q | ИКСИС | $24,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | Сквозное отверстие | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh52n30q-datasheets-5986.pdf | 300В | 52А | ТО-247-3 | Содержит свинец | 3 | 8 недель | 6г | Нет СВХК | 60мОм | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 3 | Одинокий | 360 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 60нс | 25 нс | 80 нс | 52А | 20 В | 300В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 4В | 360 Вт Тс | 250 нс | 208А | 300В | N-канал | 5300пФ при 25В | 4 В | 60 м Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 4 мА | 52А Тс | 150 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTF02N450 | ИКСИС | $36,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtf02n450-datasheets-8292.pdf | i4-Pac™-5 (3 отведения) | 28 недель | 3 | неизвестный | Одинокий | 78 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | 48нс | 143 нс | 28 нс | 200 мА | 20 В | 4500В | 78 Вт Тс | 0,2 А | 4,5 кВ | N-канал | 256пФ при 25В | 750 Ом при 10 мА, 10 В | 6,5 В @ 250 мкА | 200 мА Тс | 10,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН40П50П | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn40p50p-datasheets-2285.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 28 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | неизвестный | НИКЕЛЬ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 890 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПУФМ-X4 | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 890 Вт Тс | 120А | 0,23 Ом | 3500 мДж | -500В | P-канал | 11500пФ при 25В | 230 мОм при 500 мА, 10 В | 4 В при 1 мА | 40А Тс | 205 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА110N055T2 | ИКСИС | 1,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta110n055t2-datasheets-3951.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 28 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 180 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 25нс | 23 нс | 40 нс | 110А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 180 Вт Тс | 300А | 0,0066Ом | 400 мДж | 55В | N-канал | 3060пФ при 25В | 6,6 мОм при 25 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 110А Тс | 57 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH12N100P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh12n100p-datasheets-5538.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 21 неделя | Одинокий | 463 Вт | ТО-247АД (IXFH) | 4,08 нФ | 25нс | 36 нс | 60 нс | 12А | 30В | 1000В | 463 Вт Тс | 1,05 Ом | 1кВ | N-канал | 4080пФ при 25В | 1,05 Ом при 6 А, 10 В | 5 В при 1 мА | 12А Тс | 80 нК при 10 В | 1,05 Ом | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT32N100XHV | ИКСИС | $20,05 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixft32n100xhv-datasheets-5642.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 1000В | 890 Вт Тс | N-канал | 4075пФ при 25 В | 220 мОм при 16 А, 10 В | 6 В @ 4 мА | 32А Тк | 130 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH130N15X4 | ИКСИС | $11,40 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp130n15x4-datasheets-7535.pdf | ТО-247-3 | 15 недель | 150 В | 400 Вт Тс | N-канал | 4770пФ при 25В | 8,5 мОм при 70 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 130А Тс | 87 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1R6N50D2-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 24 недели | ТО-252АА | 500В | 100 Вт Тс | N-канал | 645пФ при 25В | 2,3 Ом при 800 мА, 0 В | 4,5 В @ 250 мкА | 1,6 А ТДж | 23,7 нК при 5 В | 0 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT80N20L | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ixys-ixth80n20l-datasheets-5563.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 520 Вт | 1 | Мощность FET общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 520 Вт Тс | 340А | 0,032Ом | 2500 мДж | N-канал | 6160пФ при 25В | 32 мОм при 40 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 80А Тс | 180 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT140P10T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth140p10t-datasheets-7071.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | 2 | 24 недели | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 140А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 568 Вт Тс | 400А | 0,012 Ом | 2000 мДж | P-канал | 31400пФ при 25В | 12 мОм при 70 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 140А Тс | 400 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT100N30X3HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh100n30x3-datasheets-5802.pdf | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 19 недель | 300В | 480 Вт Тс | N-канал | 7,66 нФ при 25 В | 13,5 мОм при 50 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 100А Тс | 122 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА8N65X2 | ИКСИС | 2,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta8n65x2-datasheets-2725.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 25В | 500 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY02N50D-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty02n50dtrl-datasheets-8387.pdf | 24 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY15N20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 15А | 200В | N-канал | 15А Тс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFY4N85X | ИКСИС | $3,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa4n85x-datasheets-2710.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 19 недель | да | 850В | 150 Вт Тс | N-канал | 247пФ при 25В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 5,5 В @ 250 мкА | 3,5 А Тс | 7 нК @ 10 В | 10 В | ±30 В |
