Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Выходной ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Максимальный импульсный ток | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальный обратный ток утечки | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Приложение | DS Напряжение пробоя-мин. | Пороговое напряжение | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковый обратный ток | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Время включения | Выходной ток-Макс. | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время обратного восстановления-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Вход | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Время выключения-Nom (toff) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | НТЦ Термистор | Входная емкость (Cies) при Vce | Номинальный объем | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W4767MC220 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АС, К-ПУК | 2 | 8 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | КОНЕЦ | НЕТ ЛИДЕСА | 175°С | 1 | О-CEDB-N2 | ОДИНОКИЙ | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 2200В | 5000мкА | 26 мкс | Стандартный | 41800А | 1 | 4755А | 2200В | 50 мА при 2200 В | 1,05 В при 3000 А | 4755А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МДД810-16Н2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mdd81016n2-datasheets-0708.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W5984TJ360 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АЭ | 8 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 47 мкс | Стандартный | 3600В | 100 мА при 3600 В | 1,25 В при 5000 А | 5984А | -40°К~160°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E1250HC45E | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АД | 12 недель | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 1,2 мкс | Стандартный | 4500В | 1 мА при 4500 В | 2,07 В при 1250 А | 1355А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W1263YC160 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | ДО-200АБ, Б-ПУК | 8 недель | П2 | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 17 мкс | Стандартный | 1600В | 30 мА при 1600 В | 2,12 В при 3770 А | 1263А | -40°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСА9-16Ф | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 180°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsa916f-datasheets-5603.pdf | 1,2 кВ | 18А | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | Без свинца | 1 | 8 недель | Нет СВХК | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | Стандартный | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-МУПМ-Д1 | 11А | 1,4 В | 250А | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 3мА | 265А | 1,6 кВ | лавина | 1,6 кВ | 11А | 1 | 1600В | 3 мА при 1600 В | 1,4 В при 36 А | -40°К~180°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГС10-018А | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk20018a-datasheets-6339.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 3 | Одинокий | 35 | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т2 | 20А | 1,3 мА | КАТОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | АРСЕНИД ГАЛЛИЯ | ТО-220АС | Шоттки | 180 В | 15А | 1 | 0,013 мкс | 1,3 мА при 180 В | 1,1 В при 5 А | -55°К~175°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСА17-12А | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 180°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsa1716a-datasheets-9402.pdf | ДО-203АА, ДО-4, Шпилька | Без свинца | 1 | 6 недель | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-МУПМ-Д1 | 1,36 В | 370А | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 4мА | 400А | 1,2 кВ | лавина | 1,2 кВ | 25А | 1 | 1200В | 4 мА при 1200 В | 1,36 В при 55 А | -40°К~180°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСА75-12Б | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | 180°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dsai7516b-datasheets-8519.pdf | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | Без свинца | 1 | 6 недель | 2 | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Выпрямительные диоды | Не квалифицирован | О-МУПМ-Д1 | 1,17 В | 1,4 кА | АНОД | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 6мА | 1,5 кА | 1,2 кВ | лавина | 1,2 кВ | 110А | 1400А | 1 | 1200В | 6 мА при 1200 В | 1,17 В при 150 А | -40°К~180°К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДГС17-03CS | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-dgsk3603cs-datasheets-7860.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | е3 | Олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 80А | 250 мкА | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | АРСЕНИД ГАЛЛИЯ | 34 Вт | ТО-252АА | 23 нс | 23 нс | Шоттки | 300В | 29А | 1 | 250 мкА при 300 В | 1,9 В при 7,5 А | -55°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВДИ75-06П1 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, винт | Крепление на шасси | -40°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ixys-vdi10006p1-datasheets-7496.pdf | ЭКО-ПАК2 | 13 | 16 недель | 13 | е3 | Матовый олово (Sn) | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 260 | ВДИ | 13 | 35 | 1 | Не квалифицирован | 2,8 нФ | КРЕМНИЙ | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ МОТОРОМ | N-КАНАЛЬНЫЙ | 208 Вт | 600В | 105 нс | 2,8 В | 69А | Стандартный | 330 нс | 800 мкА | 2,8 В @ 15 В, 75 А | ДНЯО | Да | 2,8 нФ при 25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK150N30X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk150n30x3-datasheets-2094.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 19 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300В | 300В | 890 Вт Тс | 150А | 400А | 0,0083Ом | 2000 мДж | N-канал | 13,1 нФ при 25 В | 8,3 мОм при 75 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 150А Тс | 254 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH20P50P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПоларП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth20p50p-datasheets-2496.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 460 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 80 нс | 20А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 460 Вт Тс | 60А | 0,45 Ом | 2500 мДж | -500В | P-канал | 5120пФ при 25 В | 450 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 20А Тс | 103 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА180Н10Т-ТРЛ | ИКСИС | $4,97 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тренч™ | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 100В | 480 Вт Тс | N-канал | 6900пФ при 25 В | 6,4 мОм при 25 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 180А Тс | 151 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP90N20X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp90n20x3-datasheets-4520.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 200В | 390 Вт Тс | N-канал | 5420пФ при 25В | 12,8 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В при 1,5 мА | 90А Тс | 78 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP22N60P3 | ИКСИС | 1,91 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh22n60p3-datasheets-4386.pdf | ТО-220-3 | 10,66 мм | 16 мм | 4,83 мм | 3 | 26 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 500 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 28 нс | 17нс | 19 нс | 54 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 Вт Тс | ТО-220АБ | 55А | 400 мДж | 600В | N-канал | 2600пФ при 25В | 360 мОм при 11 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 22А Тк | 38 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFA36N30P3 | ИКСИС | $4,10 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa36n30p3-datasheets-6952.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 36А | 300В | 347 Вт Тс | N-канал | 2040пФ при 25В | 110 мОм при 18 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 36А Тк | 30 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK170N25X3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh170n25x3-datasheets-2189.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19 недель | да | 250 В | 960 Вт Тс | N-канал | 13500пФ при 25В | 7,4 мОм при 85 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 170А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP100N04T2 | ИКСИС | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp100n04t2-datasheets-3449.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 5,2 нс | 6,4 нс | 15,8 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 300А | 0,007Ом | 300 мДж | 40В | N-канал | 2690пФ при 25 В | 7 мОм при 25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 100А Тс | 25,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP150N15X4 | ИКСИС | $7,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp150n15x4-datasheets-5515.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | 150 В | 480 Вт Тс | N-канал | 5500пФ при 25В | 7,2 мОм при 75 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 150А Тс | 105 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH26N100X | ИКСИС | $14,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh26n100x-datasheets-5605.pdf | ТО-247-3 | 19 недель | 1000В | 860 Вт Тс | N-канал | 3290пФ при 25В | 320 мОм при 13 А, 10 В | 6 В @ 4 мА | 26А Тк | 113 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFB62N80Q3 | ИКСИС | $35,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfb62n80q3-datasheets-5706.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,29 мм | 26,59 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 264 | Нет | 3 | Одинокий | 1,56 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 54 нс | 300 нс | 62 нс | 62А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1560 Вт Тс | 5000 мДж | 800В | N-канал | 13600пФ при 25В | 140 мОм при 31 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 62А Тс | 270 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK64N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx64n60p3-datasheets-2082.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19,96 мм | 26,16 мм | 5,13 мм | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 3 | Одинокий | 1,13 кВт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 43 нс | 17нс | 11 нс | 66 нс | 64А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1130 Вт Тс | 160А | 0,095Ом | 1500 мДж | 600В | N-канал | 9900пФ при 25 В | 95 мОм при 32 А, 10 В | 5 В при 4 мА | 64А Тк | 145 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTH16N10D2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtt16n10d2-datasheets-5658.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 830 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 43нс | 70 нс | 340 нс | 16А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 830 Вт Тс | 0,064Ом | N-канал | 5700пФ при 25В | 64 мОм при 8 А, 0 В | 16А Тс | 225 нК при 5 В | Режим истощения | 0 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN44N100Q3 | ИКСИС | $53,16 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Крепление на шасси, панель | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn44n100q3-datasheets-7206.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,23 мм | 9,6 мм | 25,07 мм | 4 | 30 недель | 4 | UL ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 960 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 48 нс | 300 нс | 66 нс | 38А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 960 Вт Тс | 110А | 0,22 Ом | 1кВ | N-канал | 13600пФ при 25В | 220 мОм при 22 А, 10 В | 6,5 В @ 8 мА | 38А Тк | 264 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС1Ф132Н50П3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mmix1f132n50p3-datasheets-2252.pdf | 24-PowerSMD, 21 вывод | 25,25 мм | 5,7 мм | 23,25 мм | 30 недель | 24 | Одинокий | Полевой транзистор общего назначения | 42 нс | 90 нс | 63А | 40В | 500В | 520 Вт Тс | N-канал | 18600пФ при 25В | 43 мОм при 66 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 63А Тк | 250 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP15N50L2 | ИКСИС | $31,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный L2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp15n50l2-datasheets-1635.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 2,5 В | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,48 Ом | 750 мДж | N-канал | 4080пФ при 25В | 2,5 В | 480 мОм при 7,5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 15А Тс | 123 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTU12N06T | ИКСИС | $5,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtu12n06t-datasheets-8277.pdf | TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA | 3 | 8 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 12А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 33 Вт Тк | 30А | 0,085 Ом | 20 мДж | N-канал | 256пФ при 25В | 85 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 25 мкА | 12А Тс | 3,4 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY2N65X2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty2n65x2-datasheets-9221.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2А | 650В | 55 Вт Тс | N-канал | 180пФ при 25В | 2,3 Ом при 1 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 4,3 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFP20N50P3M | ИКСИС | $4,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp20n50p3m-datasheets-2906.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 8А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 58 Вт Тс | ТО-220АБ | 8А | 40А | 0,3 Ом | 300 мДж | N-канал | 1800пФ при 25В | 300 мОм при 10 А, 10 В | 5 В @ 1,5 мА | 8А Тк | 36 нК при 10 В | 10 В | ±30 В |
