Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИКСИ(5222)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTQ86N20T | ИКСИС | $12,11 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp86n20t-datasheets-0035.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 26 недель | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | 86А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 480 Вт Тс | 260А | 0,029 Ом | 1000 мДж | N-канал | 4500пФ при 25В | 29 мОм при 500 мА, 10 В | 5 В @ 1 мА | 86А Тк | 90 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IXTP2R4N120P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Полар™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta2r4n120p-datasheets-6875.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 25нс | 32 нс | 70 нс | 2,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В | 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 6А | 200 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 1207пФ при 25 В | 7,5 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2,4 А Тс | 37 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFA3N120-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa3n120-datasheets-5453.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 30 недель | 3А | 1200В | 200 Вт Тс | N-канал | 1050пФ при 25В | 4,5 Ом при 1,5 А, 10 В | 5 В при 1,5 мА | 3А Тк | 39 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА230N075T2-7 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчТ2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta230n075t27-datasheets-0484.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 24 недели | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г6 | 230А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 480 Вт Тс | 700А | 0,0042Ом | 850 мДж | N-канал | 10500пФ при 25В | 4,2 мОм при 50 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 230А Тс | 178 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFP24N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfa24n60x-datasheets-0324.pdf | ТО-220-3 | 19 недель | 24А | 600В | 400 Вт Тс | N-канал | 1910пФ при 25В | 175 мОм при 12 А, 10 В | 4,5 В @ 2,5 мА | 24А Тк | 47 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFK90N60X | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx90n60x-datasheets-4513.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 19 недель | 90А | 600В | 1100 Вт Тс | N-канал | 8500пФ при 25В | 38 мОм при 45 А, 10 В | 4,5 В @ 8 мА | 90А Тс | 210 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH12N90 | ИКСИС | 1,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh13n90-datasheets-4489.pdf | 900В | 12А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 900мОм | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 3 | Одинокий | 300 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12нс | 18 нс | 51 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 300 Вт Тс | ТО-247АД | 48А | 900В | N-канал | 4200пФ при 25В | 900 мОм при 6 А, 10 В | 4,5 В при 4 мА | 12А Тс | 155 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXFH44N50Q3 | ИКСИС | $16,78 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfh44n50q3-datasheets-0657.pdf | ТО-247-3 | 16,26 мм | 16,26 мм | 5,3 мм | 3 | 20 недель | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 3 | Одинокий | 830 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 30 нс | 250 нс | 37 нс | 44А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 830 Вт Тс | 0,14 Ом | 1500 мДж | 500В | N-канал | 4800пФ при 25В | 140 мОм при 22 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 44А Тк | 93 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTD5N100A | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | умереть | 5 | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | Не квалифицирован | Р-XUUC-N5 | 5А | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | 1000В | 1000В | 2Ом | N-канал | 5А Тс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFT70N30Q3 | ИКСИС | $46,30 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 16,05 мм | 5,1 мм | 14 мм | 2 | 26 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 830 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 33 нс | 250 нс | 38 нс | 70А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 830 Вт Тс | 210А | 0,054 Ом | 1500 мДж | 300В | N-канал | 4735пФ при 25 В | 54 мОм при 35 А, 10 В | 6,5 В @ 4 мА | 70А Тс | 98 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXKH47N60C | ИКСИС | 0,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixkh47n60c-datasheets-0779.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 61 неделя | 70МОм | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3 | Одинокий | 290 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 27нс | 10 нс | 111 нс | 47А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-247АД | 600В | N-канал | 70 мОм при 30 А, 10 В | 4 В при 2 мА | 47А ТЦ | 650 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXTT140N075L2HV | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-268-3, Д3Пак (2 отведения + вкладка), ТО-268АА | 24 недели | совместимый | 75В | 540 Вт Тс | N-канал | 9300пФ при 25 В | 11 мОм при 70 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 140А Тс | 275 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX32N90P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfk32n90p-datasheets-0702.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 30 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСИП-Т3 | 32А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 900В | 900В | 960 Вт Тс | 80А | 0,3 Ом | 2000 мДж | N-канал | 10600пФ при 25В | 300 мОм при 16 А, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 32А Тк | 215 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFN80N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Крепление на шасси, панель, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfn80n60p3-datasheets-0905.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 38,23 мм | 9,6 мм | 25,07 мм | Без свинца | 4 | 30 недель | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 960 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 48 нс | 87 нс | 66А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 960 Вт Тс | 200А | 0,07 Ом | 2000 мДж | N-канал | 13100пФ при 25В | 70 мОм при 40 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 66А Тк | 190 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXTR120P20T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtr120p20t-datasheets-0935.pdf | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, ПРИЗНАННЫЙ UL | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСИП-Т3 | 90А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | 595 Вт Тс | 400А | 0,032Ом | 3000 мДж | P-канал | 73000пФ при 25В | 32 мОм при 60 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 90А Тс | 740 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFX30N110P | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfx30n110p-datasheets-0978.pdf | ТО-247-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 960 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 48нс | 52 нс | 83 нс | 30А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1100В | 960 Вт Тс | 75А | 1500 мДж | 1,1 кВ | N-канал | 13600пФ при 25В | 360 мОм при 15 А, 10 В | 6,5 В @ 1 мА | 30А Тс | 235 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXFL80N50Q2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfl80n50q2-datasheets-1017.pdf | ISOPLUS264™ | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 380 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 25нс | 11 нс | 60 нс | 64А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 625 Вт Тс | 55А | 0,066Ом | 5000 мДж | 500В | N-канал | 10500пФ при 25В | 66 мОм при 40 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 55А Тс | 260 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||
| MKE38RK600DFEL-ВАННА | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mke38rk600dfeltrr-datasheets-1018.pdf | Модуль 9-СМД | 600В | N-канал | 6800пФ при 100В | 45 мОм при 44 А, 10 В | 3,5 В при 3 мА | 50А Тс | 190 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFZ520N075T2 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГигаМОС™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfz520n075t2-datasheets-1082.pdf | DE475 | 6 | 26 недель | 475 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДФП-Ф6 | 465А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | 600 Вт Тс | 1560А | 0,0013Ом | 3000 мДж | N-канал | 41000пФ при 25В | 1,3 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 465А Тк | 545 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММИКС1Ф180Н25Т | ИКСИС | $38,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-mmix1f180n25t-datasheets-1119.pdf | 24-PowerSMD, 21 вывод | 25,25 мм | 5,7 мм | 23,25 мм | 21 | 30 недель | 24 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 21 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-G21 | 35 нс | 88 нс | 132А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 250 В | 570 Вт Тс | 130А | 500А | 0,013Ом | 3000 мДж | N-канал | 23800пФ при 25В | 13 мОм при 90 А, 10 В | 5 В @ 8 мА | 132А Тс | 364 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| ИКСТН17Н120Л | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtn17n120l-datasheets-1163.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | Без свинца | 4 | 24 недели | 900МОм | 4 | да | неизвестный | НИКЕЛЬ | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 540 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 31 нс | 83 нс | 110 нс | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 1200В | 540 Вт Тс | 17А | 30А | 1500 мДж | 1,2 кВ | N-канал | 8300пФ при 25 В | 900 мОм при 8,5 А, 20 В | 5 В @ 250 мкА | 15А Тс | 155 нК при 15 В | 20 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||
| IXTP8N65X2M | ИКСИС | 2,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtp8n65x2m-datasheets-1333.pdf | ТО-220-3 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4А | 650В | 32 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 25В | 550 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 12 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA05N100-ТРЛ | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 28 недель | 1000В | 40 Вт Тс | N-канал | 260пФ при 25В | 17 Ом при 375 мА, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 750 мА Тс | 7,8 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY1N80 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta1n80-datasheets-1682.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 40 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 19нс | 28 нс | 40 нс | 750 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40 Вт Тс | ТО-252АА | 0,75 А | 3А | 100 мДж | 800В | N-канал | 220пФ при 25В | 11 Ом при 500 мА, 10 В | 4,5 В @ 25 мкА | 750 мА Тс | 8,5 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFP4N100P | ИКСИС | 15,55 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™, PolarP2™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp4n100p-datasheets-2051.pdf | ТО-220-3 | 3 | 26 недель | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 4А | 8А | 200 мДж | N-канал | 1456пФ при 25В | 3,3 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 26 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXFP12N65X2M | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | HiPerFET™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp12n65x2m-datasheets-2173.pdf | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 19 недель | 650В | 40 Вт Тс | N-канал | 1134пФ при 25В | 310 мОм при 6 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 12А Тс | 18,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА36Н20Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 36А | 200В | N-канал | 36А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА10П15Т | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 2 (1 год) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 83 Вт Та | 10А | 30А | 0,35 Ом | 200 мДж | P-канал | 2210пФ при 25 В | 350 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Тс | 36 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА48P05T | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТренчП™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixty48p05t-datasheets-2147.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 28 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 48А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | 50В | 150 Вт Тс | 150А | 0,03 Ом | 300 мДж | P-канал | 3660пФ при 25 В | 30 мОм при 24 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 48А ТЦ | 53 нК при 10 В | 10 В | ±15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTA380N036T4-7-TR | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 24 недели | 36В | 480 Вт Тс | N-канал | 13400пФ при 25В | 1 мОм при 100 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 380А Тк | 260 нК при 10 В | 10 В | ±15 В |
