Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС62ВВ25616БЛЛ-55ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv25616bll55tlitr-datasheets-0272.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 8 недель | 44 | 4 Мб | 1 | Нет | 1 | 15 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,8 мм | 3,6 В | 2,5 В | 10 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 16б | 55 нс | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Х-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 6 недель | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | 1 | 120 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16100Х-7ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 50 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г50 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16400ДЖ-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 8 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 90 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС65ЛВ256АЛ-45ТЛА3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 28-ТССОП (ширина 0,465, 11,80 мм) | 10 недель | 28 | 3В~3,6В | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ12816ДБЛЛ-10ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,02 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61wv12816dbll10tlitr-datasheets-6956.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 8 недель | 44 | 2 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 65 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,00007А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВС2568ФБЛЛ-20НЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,27 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 20 МГц | СРАМ | SPI — четыре ввода-вывода, SDI, DTR | 256КХ8 | 8 | 2097152 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 6 недель | 54 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 120 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-7Б2ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 3,3 В | 60 | 6 недель | 60 | 64 Мб | Нет | 90 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,635 мм | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-5ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 8 недель | 66 | 256 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV12816BLL-45TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv12816bll45tli-datasheets-5479.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 8 недель | 44 | 2 Мб | да | 1 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | Не квалифицирован | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 16 | 55нс | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16640Б-25ДБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 84 | 8 недель | 84 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,27 мА | Не квалифицирован | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЕБЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 70нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32100D-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 32Мб 1М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX32 | 32 | 15 нс | 33554432 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Г-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 256 Мб | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 0,16 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP128F-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WP128F-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16100Х-7ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 50 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г50 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP128F-JLLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 8 недель | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 800 мкс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32100Д-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 12 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 32Мб 1М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX32 | 32 | 33554432 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-5ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $5,78 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 66 | 8 недель | 66 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 430 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,5 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,6 В | 0,65 мм | 66 | 2,7 В | 2,5 В | 40 | 2,6 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16160Ф-6ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 10 недель | 66 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р83200Д-5ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 66 | 66 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 0,635 мм | 2,5 В | 0,48 мА | Не квалифицирован | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 15 нс | 268435456 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV51216GBLL-45TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 45нс | 8388608 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV25616EDALL-20BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,75 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 20 нс | 4194304 бит | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV2568EDBLL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | 36-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 23,49 мм | 36 | 8 недель | 36 | 2 Мб | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 35 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 36 | 3,6 В | 2,4 В | 10 | 2,5/3,3 В | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 10 нс | 0,006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р32400Е-5БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ЛФБГА | 12 мм | 144 | 8 недель | 144 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,8 мм | 2,7 В | 2,3 В | 2,5 В | 0,32 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15 нс | 134217728 бит | 0,005А | ОБЩИЙ | 4096 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16320Ф-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16640С-3ДБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит |
