Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС41ЛВ16105Б-50КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | Соответствует RoHS | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 42 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-60КЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 3,75 мм | Соответствует RoHS | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 3,3 В | 42 | 42 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 1 | 170 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100К1-5Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16100c15t-datasheets-5980.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 50 | 50 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,17 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-7БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 10,1 мм | 60 | 60 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 60 | 3,6 В | 3В | 40 | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 67108864 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Д-6Т | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16800d75etl-datasheets-2922.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Д-7ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16800d75etl-datasheets-2922.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 4,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,42 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 110 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Б-7Т-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | Параллельно | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Д-7БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,45 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Б-6Б-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s32800b6tli-datasheets-3007.pdf | 90-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8x13) | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С83200Б-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42s16160b7tlitr-datasheets-1376.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 143 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 8б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К1024АЛ-12КИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3,76 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 5В | 32 | 32 | 1 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | 40 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 32 | 5В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 12нс | 0,00045А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200К1-7Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ЛФБГА | 13 мм | 90 | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | не_совместимо | 8542.32.00.02 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,15 В~3,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Ф-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 54 | 54 | 64 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 110 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WD020-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует RoHS | 8-WDFN Открытая площадка | 1,8 В | 5мА | 10,886217мг | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 1,65 В~1,95 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 80 МГц | 18б | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41К16100К-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода | 5В | 44 | 44 | 128 Мб | Олово | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,8 мм | 5В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41К16100К-50КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | СИНХРОННЫЙ | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is41c16100c50kli-datasheets-9939.pdf | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 42 | 42 | 1 | CAS ПЕРЕД RAS/САМООБНОВЛЕНИЕ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | Олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 5,5 В | 4,5 В | 10 | 5В | 0,09 мА | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 160 мА | 60 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Э-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 60-ТФБГА | 60 | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Ф-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 21,08 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 3,3 В | 50 | 50 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 100 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 50 | 3,6 В | 3В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 2048 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Б-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 54 | неизвестный | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Е-5ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 86 | 86 | 64 Мб | Нет | 200 мА | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 200 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32200К-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 90 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,075 мА | Не квалифицирован | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32800Е-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 80 мА | 90 | 90 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 95 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Не квалифицирован | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16800Г-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 54 | 54 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,105 мА | Не квалифицирован | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32800Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 90 | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128АЛ-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM-DDR3L | 667 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is46tr16128a15hbla1tr-datasheets-2271.pdf | 96-ТФБГА | 1,45 В | 1,283 В | 96 | Параллельно | 666 МГц | 1,283 В~1,45 В | 96-TWBGA (9х13) | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32400F-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 90 | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32800F-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 90 | 1,7 В~1,95 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16400ДЖ-6ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно |
