Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Загрузочный блок | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС45С16160Д-7ТЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16320Б-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 54 | 54 | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 255 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16640А-15ГБЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,5 В | 96 | Нет СВХК | 96 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | РЕЖИМ АВТОМАТИЧЕСКОГО ОБНОВЛЕНИЯ, ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,35 В. | 8542.32.00.32 | 1 | 190 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 96 | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Не квалифицирован | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 0,015А | 2 КБ | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43LR32200B-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 90 | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Э-7БЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 90 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49FL004T-33JCE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 3,56 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is49fl004t33vce-datasheets-2213.pdf | 32-LCC (J-вывод) | 13,97 мм | 3,3 В | 32 | 32 | Параллельный, последовательный | 4 Мб | Нет | 1 | 15 мА | 3В~3,6В | КВАД | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 120 нс | 33 МГц | 11б | ВСПЫШКА | Параллельно | 512X8 | 8 | 0,0005А | 8б | синхронный | ДА | ДА | 128 | 4К | ВЕРШИНА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640А-125ДЖБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК36800-25БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 400 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,99 мА | Не квалифицирован | 288Мб 8М х 36 | Неустойчивый | 36б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 8MX36 | 36 | 301989888 бит | ОБЩИЙ | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС93200-33БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 9б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛС18320-33БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТФБГА | 18,5 мм | 144 | 144 | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 300 МГц | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 144 | 1,9 В | 1,7 В | 1,5/1,81,82,5 В | 0,819 мА | Не квалифицирован | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 18б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | 0,048А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ22М18-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 165 | 36 Мб | да | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 550 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 10 | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 350 пс | 250 МГц | 21б | СРАМ | Параллельно | 18 | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ25636А-7.5Б2И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 22 мм | 3,3 В | 119 | 119 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 117 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ2568Л-8ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lv2568l8tl-datasheets-7624.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 44 | 44 | 2 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 65 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,63 В | 10 | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 8нс | 0,003А | 8б | 8 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 36-ТФБГА | 36 | 2,4 В~3,6 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б2И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 119 | 119 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 1,27 мм | 2,5/3,33,3 В | 0,28 мА | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,05 А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV102416BLL-10MA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 48 | 2,4 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV6416DBLL-45BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 48 | 2,3 В~3,6 В | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 45нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР85120АЛ-15ХБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 78-ТФБГА | 10,5 мм | 1,35 В | 78 | 78 | 4ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 78 | 1,45 В | 1,283 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 512MX8 | 8 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25CQ032-JFLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 8 | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 4 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV6416DBLL-45TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | Параллельно | 2,3 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 45нс | СРАМ | Параллельно | 45нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС29ЛВ032Б-70ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 3В | 48 | 48 | 32 Мб | НИЖНИЙ БОТИНОК | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LD040-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 15 мА | 8 | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | Не квалифицирован | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 2,7 В | 100 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 5 мс | 0,00001А | СПИ | 200000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ25616ДБЛЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 4,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv25616dbll45tli-datasheets-9826.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,54 мм | 1,05 мм | 10,29 мм | 3мА | 44 | Нет СВХК | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 18 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,3 В | 40 | 2,5/3,3 В | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 45нс | 0,000007А | 16б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32320А-3БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32320А-3БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 134 | 134 | 1 ГБ | да | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ080B-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3В | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | 2,3 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 512КХ1 | 1 | 800 мкс | 524288 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS71LD32160WP128-25BPLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $8,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА - NOR, DRAM - LPDDR2 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is71ld32160wp12825bpli-datasheets-4844.pdf | БГА | 1,2 В 1,8 В | 168-БГА | 128 МБ флэш-памяти, 512 МБ оперативной памяти | Энергонезависимый | 133 МГц | ФЛЕШ, ОЗУ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ080-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 15 мА | 8 | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | 1 мс | 1 | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25WQ020-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 1 | ДА | 1,65 В~1,95 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1,27 мм | 1,95 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 1 мс | 2097152 бит | СЕРИАЛ |
