Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV102416EDBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,4 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 10 нс | 16777216 бит | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16640Б-3ДБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 1,8 В | Без свинца | 84 | 8 недель | 84 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | 220 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | АЭК-Q100 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 450пс | 333 МГц | 16б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 0,015А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р86400Д-5БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 60 | 8 недель | 60 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | 430 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,6 В | 1 мм | 60 | 2,7 В | 2,5 В | 40 | 2,6 В | Не квалифицирован | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ32160Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 12 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43LR32320B-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | 90-ЛФБГА | 14 недель | 90 | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ЛД32320С-18БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $10,53 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 14 недель | 1 | EAR99 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46Р16320Д-6ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 2,5 В | 66 | 10 недель | 66 | 512 Мб | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 370 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | 225 | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128Б-15ХБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16320Е-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 12 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Ф-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 6 недель | 54 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ16320Е-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 12 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | С-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064A-JLLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 3В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 64 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV6416BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv6416bll55tlitr-datasheets-3289.pdf | 48-ТФБГА | 8 мм | 600 мкм | 6 мм | 3,3 В | 48 | 8 недель | 48 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,5 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 0,000005А | 16б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 1,96 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | Нет | 100 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP128-JKLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,18 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 3В | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 128 Мб | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,014 мА | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8 | 1 мс | 1 | 0,000065А | 4-ПРОВОДНОЙ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR16320C-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | 0°С | SDRAM-DDR2 | 333 МГц | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 1,8 В | 8 недель | 1,9 В | 1,7 В | 84 | Параллельно | 512 Мб | 333 МГц | 250 мА | 1,7 В~1,9 В | 84-TWBGA (8x12,5) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 450пс | 333 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128К-125КБЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ВВ1024БЛЛ-12БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 3,3 В | 8 недель | 48 | 1 Мб | 1 | Нет | 45 мА | 3В~3,6В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128БЛЛ-55БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 36-ТФБГА | 3,3 В | 8 недель | 3,6 В | 2,5 В | 36 | Параллельно | 4 Мб | 1 | 45 мА | 2,5 В~3,6 В | 36-ТФБГА (6х8) | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 55нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К5128АС-25ХЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $3,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-TFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 5В | 32 | 8 недель | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 15 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | 32 | 40 | 5В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 25нс | 0,0009А | 8б | 25 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS51218A-200TQI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61lps51218a200tqi-datasheets-8405.pdf | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 100 | 9 Мб | нет | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 275 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 18 | 0,105А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NVP51236B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 1 | ДА | 2,375 В~2,625 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НВФ51236Б-6.5ТКЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 100 | ПОТОК ЧЕРЕЗ | 8542.32.00.41 | 1 | 2,375 В~2,625 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,625 В | 2,375 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ51232БЛЛ-10БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $19,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 90 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 16Мб 512К х 32 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 32 | 10 нс | 32б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛПД51236А-250Б3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 3,3 В | 165 | 12 недель | 165 | 18 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 500 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 165 | 3,135 В | 10 | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,6 нс | 250 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 0,075А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М18К-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б165 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC36800-25EWBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 8М х 36 | Неустойчивый | 15 нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX36 | 36 | 301989888 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ251236А-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 1,5/1,81,8 В | 0,55 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,27 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102436Б-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ24М18А-300М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 1,8 В | 165 | 12 недель | 165 | 72 Мб | 2 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 750 мА | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 72Мб 4М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1,48 нс | 300 МГц | 21б | СРАМ | Параллельно | 4MX18 | 18 | 18б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В |
