Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV51216EDALL-20TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | 1 | ДА | 1,65 В~2,2 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 2,2 В | 1,65 В | 1,8/2 В | 0,04 мА | Не квалифицирован | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 20нс | 8388608 бит | 0,015А | 20 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-75ЭТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | 86 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25618А-200ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,21 мА | Не квалифицирован | 4,5Мб 256К х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 256КХ18 | 18 | 4718592 бит | 0,035А | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64К25616АЛ-12КТЛА3-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 125°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 55 мА | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП II | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV20488EBLL-45BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 3,6 В | 2,2 В | 2,5/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 45нс | 16777216 бит | 0,000025А | 45 нс | ОБЩИЙ | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛВ12824-8ТК-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 100 | 3,135 В~3,6 В | 3Мб 128К х 24 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 8нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16640ЭД-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $9,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64К25616АЛ-12КТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 44 | 10 недель | 44 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 55 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 10 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 18б | СРАМ | Параллельно | 16 | 12нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ102416ГБЛЛ-45ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,2 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 45нс | 16777216 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16320Д-75БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 54 | 12 недель | 54 | 512 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 100 мА | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 40 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 6нс | 133 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,00001А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16256А-107МБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 4294967296 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16128КЛ-125КБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 10 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 3,3 В | 8 недель | 48 | 2 Мб | 1 | 3мА | 2,5 В~3,6 В | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16160Б-25ДВЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 84 | 8 недель | 84 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,33 мА | Не квалифицирован | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 0,025А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К1024АЛ-12КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3,76 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61c1024al12klitr-datasheets-8141.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 5В | 32 | 32 | 1 Мб | 1 | Нет | 1 | 40 мА | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 5В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 12нс | 0,00045А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61К3216АЛ-12ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 512 КБ | 1 | 45 мА | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП II | 512Кб 32К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 15б | СРАМ | Параллельно | 12нс | 16б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32200Л-6Б | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 13 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61C5128AS-25QLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 3,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 5В | 8 недель | 32 | 4 Мб | 1 | Нет | 15 мА | 4,5 В~5,5 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 19б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ВФБГА | 8 мм | 6 мм | 54 | 10 недель | 54 | да | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Ф-7ТЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 8 недель | 86 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 100 мА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | АЭК-Q100 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16128К-125КБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $6,73 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 6 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 10 | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200ТКИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is61nlp25636a200tqi-datasheets-8410.pdf | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 100 | 9 Мб | нет | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 280 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 30 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS102418B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $22,98 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-6БИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-250Б3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512А-15ХБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $26,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 1,5 В | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1,333 ГГц | 1,425 В~1,575 В | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 667 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV102416BLL-10CTLA3-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 10 недель | 48 | 2,4 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS49NLC93200-33WBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 288Мб 32М х 9 | Неустойчивый | 20нс | 300 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX9 | 9 | 301989888 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС49НЛК18320А-25ВБЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 144-ТБГА | 18,5 мм | 11 мм | 144 | 14 недель | 1 | EAR99 | АВТООБНОВЛЕНИЕ | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 1 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б144 | 576Мб 32М х 18 | Неустойчивый | 20нс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX18 | 18 | 603979776 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДПБ42М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 1,8 В | 165 | 12 недель | 165 | 36 Мб | 1 | 1 | 750 мА | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | НЕ УКАЗАН | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 450 пс | 400 МГц | 19б | СРАМ | Параллельно | 18 | 18б | синхронный |
