Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV1288FBLL-45QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,05 мм | Соответствует ROHS3 | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,495 мм | 11,305 мм | 36 | 8 недель | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 2,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,2 В | Р-ПДСО-Г36 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 45нс | 1048576 бит | 45 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32200М-75БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 6нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32200М-6БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 12 недель | 2,7 В~3,6 В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЭКЛЛ-70БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | да | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 2MX16 | 16 | 70нс | 33554432 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128BLL-55QLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $12,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128bll55t2li-datasheets-3032.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,445 мм | 3,3 В | 32 | 8 недель | Нет СВХК | 32 | 4 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 45 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,8 В | 3,6 В | 2,5 В | 40 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 55нс | 8б | 55 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32200М-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 12 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б90 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV102416BLL-25TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 8 недель | 48 | 16 Мб | 1 | 30 мА | 1,65 В~3,6 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 20б | СРАМ | Параллельно | 25нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ51232БЛЛ-10БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 3,3 В | 8 недель | 3,6 В | 2,4 В | 90 | Параллельно | 16 Мб | 1 | 90 мА | 1,65 В~3,6 В | 90-ТФБГА (8x13) | 16Мб 512К х 32 | Неустойчивый | 10 нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 32б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256АЛ-15ХБЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 240 мА | 96 | 10 недель | 96 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1,35 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 0,016А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ20488БЛЛ-25ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62wv20488bll25tli-datasheets-8447.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 44 | 8 недель | 44 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 21б | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 25нс | 8б | 25 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-250Б3ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ТР16512А-125КБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $22,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ЛФБГА | 14 мм | 1,5 В | 96 | 12 недель | 96 | 8 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1,6 ГГц | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPD51236A-200TQI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 100 | нет | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 30 | 2,5/3,33,3 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,075А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М18А-300М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 1,5/1,81,8 В | 0,55 мА | Не квалифицирован | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,28 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | Р-ПДСО-Н8 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 512KX1 | 1 | 800 мкс | 524288 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДПБ22М18А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR IIP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 260 | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 40 | 1,8 В | 0,75 мА | Не квалифицирован | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,32 А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДБ22М36А-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, QUAD | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,5/1,81,8 В | 1 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPS102436B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 36 Мб | 4 | 3A991.B.2.A | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 10 | 0,36 мА | Не квалифицирован | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 20б | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 0,12 А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС102436Б-250Б3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | 10 | 2,5 В | 0,36 мА | Не квалифицирован | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | 0,115А | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А-400М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 165 | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 400 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,32 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61КДПБ42М36А1-500Б4Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, QUADP | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | 1,8 В | 1,2 мА | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8,4 нс | 500 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | 0,36 А | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,71 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВПС204836Б-250М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 12 недель | 165 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,375 В~2,625 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,5 В | 1 мм | 165 | 2,625 В | 2,375 В | 10 | 2,5 В | Не квалифицирован | 72Мб 2М х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2,8 нс | 250 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX36 | 36 | 75497472 бит | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64LPS204818B-166TQLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 10 | 2,5/3,33,3 В | 0,32 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | АЭК-Q100 | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 166 МГц | СРАМ | Параллельно | 2MX18 | 18 | 37748736 бит | 0,115А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $11,75 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 86 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,245 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП25636А-200Б3ЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует ROHS3 | 165-ТФБГА | 3,3 В | 165 | 12 недель | 165 | 9 Мб | 4 | 280 мА | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | 1 мм | Не квалифицирован | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,05 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛП102418Б-200Б3Л-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ТБГА | 15 мм | 13 мм | 165 | 12 недель | 165 | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP102418B-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 12 недель | да | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 3нс | 200 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ТР16256А-15ХБЛА1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 267 мА | 96 | 10 недель | 96 | 1 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | 1,5 В | Не квалифицирован | АЭК-Q100 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 15 нс | 0,018А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Д-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 | 8 недель | Нет СВХК | 90 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.28 | 1 | 230 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 90 | 3,6 В | 3В | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LPD25636A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 12 недель | 100 | 9 Мб | да | 4 | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | 3,135 В | 40 | 9Мб 256К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,1 нс | 200 МГц | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ36 | 36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ |
