Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS25CD512-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,3 В | 15 мА | 8 | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 512 КБ | 1 | 15 мА | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Не квалифицирован | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 100 МГц | 16б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 5 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 200000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ080-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 15 мА | 8 | 10,886217мг | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | 1 | 12 мА | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 20б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1 | 1 мс | 0,00003А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45Т2ЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dbll45tlitr-datasheets-2461.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 32 | 32 | 4 Мб | 1 | Нет | 1 | 20 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 32 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 8 | 45нс | 0,000007А | 8б | 45 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JMLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,49 мм | 16 | 16 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1 | 1 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ102418Б-7.5ТК | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 100-LQFP | 20 мм | 14 мм | 100 | 1 | ДА | 3,135 В~3,465 В | КВАД | 3,3 В | 0,65 мм | 3,465 В | 3,135 В | Р-PQFP-G100 | 18Мб 1М х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ080B-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 | SPI, серийный | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1 | 1 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ1М16ЕБЛЛ-55БЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 6 мм | 48 | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 60 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ020B-JDLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | SPI, серийный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,65 мм | 3,6 В | 2,3 В | Р-ПДСО-Г8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 2MX1 | 1 | 800 мкс | 2097152 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Д-50КЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ-ФП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 10,16 мм | 44 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 16777216 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV102416DALL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 1,65 В~2,2 В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42СМ32160Е-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42ВМ16160Д-8ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM – мобильная версия | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is42vm16160d8tli-datasheets-4423.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 1,8 В | 54 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 125 МГц | 1 | 115 мА | 1,7 В~1,95 В | 1,8 В | 0,8 мм | 54 | 1,95 В | 1,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 6нс | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42Р32800ДЖ-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД16640А-25БЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 1,14 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43QR16256A-083RBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR4 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43qr16256a093pbli-datasheets-4639.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,8 мм | 1,26 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 1,2 ГГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX16 | 16 | 4294967296 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ЛД32320А-3БЛА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 | СИНХРОННЫЙ | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 134-ТФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | Р-ПБГА-Б134 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС65ВВ25616ДБЛЛ-55КТЛА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv25616dall55bitr-datasheets-5647.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,3 В | 2,53,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | АЭК-Q100 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 55нс | 4194304 бит | 0,00002А | 55 нс | ОБЩИЙ | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV5128DALL-55T2LI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62wv5128dall55tli-datasheets-5717.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 32 | 1,65 В~2,2 В | 32-ЦОП II | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 55нс | СРАМ | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ДДБ21М36К-300М3Л | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — синхронный, DDR II | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 165-ЛБГА | 17 мм | 15 мм | 165 | 8542.32.00.41 | 1 | ДА | 1,71 В~1,89 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 1 мм | 1,89 В | 1,71 В | Р-ПБГА-Б165 | 36Мб 1М х 36 | Неустойчивый | 8,4 нс | 300 МГц | СРАМ | Параллельно | 1MX36 | 36 | 37748736 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS46TR16640BL-125JBLA2-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 96-ТФБГА | 13 мм | 1,35 В | 96 | 96 | 1 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62C1024AL-35QLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $2,22 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c1024al35qlitr-datasheets-9891.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,445 мм | 5В | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 32 | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 35 нс | 8б | 35 нс | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР16320К-3ДБА2 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is43dr86400c25dbi-datasheets-1394.pdf | 84-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 84 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б84 | 512М 32М х 16 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ102416БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,6 мм | 1,05 мм | 12,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Ф-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 54-ТФБГА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС66ВВЭ2М16ЕБЛЛ-70БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 48 | 10 недель | 48 | 32 Мб | 1 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,75 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 32Мб 2М х 16 | Неустойчивый | 21б | ПСРАМ | Параллельно | 16 | 70нс | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100К-50ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДРАМ - ЭДО | Соответствует ROHS3 | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм), 44 вывода | 44 | ДА | 2,97 В~3,63 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,3 В | 0,09 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 85нс | 16777216 бит | 0,001А | ОБЩИЙ | 1024 | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Ф-6БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $4,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 13 мм | 2,5 В | 60 | 8 недель | 60 | 256 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР81280Б-25ДБЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 60 | 400 МГц | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,8 В | 0,29 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б60 | АЭК-Q100 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15 нс | 1073741824 бит | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43ДР16320Е-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 84-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 84 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б84 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 450 нс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС46ДР81280С-3ДБЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 60-ТФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 60 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 450пс | 333 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15 нс | 1073741824 бит |
