Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W25Q16FWSNIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16fwsnigtr-datasheets-9309.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSSIM | Винбонд Электроникс | 0,82 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 10 недель | да | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8MX8 | 8 | 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40CLZPIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x40clsnig-datasheets-9270.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,3 В~3,6 В | 8-ВСОН (6x5) | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32JWBYIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32jwzpiq-datasheets-2144.pdf | 12-УФБГА, ВЛЦП | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JWBYIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | /files/winbondelectronics-w25q64jwssimtr-datasheets-2235.pdf | 12-УФБГА, ВЛЦП | 12 недель | 1,7 В~1,95 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X20CLSNIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20cluxigtr-datasheets-9031.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q256JVBIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q256jvfiq-datasheets-0788.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W949D6DBHX5E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w949d6dbhx5i-datasheets-2990.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D2FBJX6E | Винбонд Электроникс | 2,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d2fbjx5e-datasheets-6682.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 90 | 10 недель | 90 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 50 мА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 90 | 1,95 В | 1,7 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 15 нс | 0,00001А | ОБЩИЙ | 4096 | 24816 | 24816 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6NB-15 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6nb12-datasheets-8478.pdf | 96-ВФБГА | 10 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9864G2JH-6 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9864g2jh6tr-datasheets-9274.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 10 недель | 3В~3,6В | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6KBHX5I | Винбонд Электроникс | 2,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w948d6kbhx5etr-datasheets-9019.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 8 мм | 60 | 10 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N01HVSINF | Винбонд Электроникс | 2,02 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29n01hvdina-datasheets-1882.pdf | 48-TFSOP (ширина 0,488, 12,40 мм) | 18,4 мм | 3,3 В | 48 | 10 недель | 48 | 1 ГБ | да | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 28б | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX8 | 8 | 25нс | 2,1 КБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG6SB-18 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w971gg6sb25-datasheets-3241.pdf | 84-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,9 В | 84-ШБГА (8x12,5) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 350пс | 533 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q257JVFIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q257jvfiq-datasheets-7543.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W97AH2KBVX2E | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w97ah6kbvx2i-datasheets-7246.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 134 | 10 недель | 134 | 1 ГБ | 1 | САМОБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ 1,8 В НОМ. | 1 | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 32б | 2,5 нс | 400 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9812G2KB-6I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9812g2kb6-datasheets-1679.pdf | 90-ТФБГА | 10 недель | 3В~3,6В | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q512JVBIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q512jvbim-datasheets-5648.pdf | 24-ТБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 512Мб 64М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9825G2JB-6I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9825g6jb6tr-datasheets-8893.pdf | 90-ТФБГА | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FWZPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fwxgigtr-datasheets-2607.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9464G6KH-5I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9464g6kh5-datasheets-5803.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г66 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 55нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 15 нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80DVSSIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80dvsnigtr-datasheets-9191.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицирован | С-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8MX1 | 1 | 3 мс | 8388608 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVBIM | Винбонд Электроникс | 1,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpimtr-datasheets-0693.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 10 недель | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б24 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W9816G6JB-6 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w9816g6jb6itr-datasheets-9673.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 3В~3,6В | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W967D6HBGX7I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w967d6hbgx7itr-datasheets-7044.pdf | 54-ВФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 70нс | 133 МГц | ПСРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W94AD6KBHX5E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w94ad6kbhx5i-datasheets-8200.pdf | 60-ТФБГА | 10 недель | 1,7 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8NB11I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8nb11-datasheets-8483.pdf | 78-ВФБГА | 10 недель | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20 нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X32VSSIG | Винбонд Электроникс | 0,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x16vsfigtr-datasheets-1665.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | да | 3A991.B.1.A | ОРГАНИЗОВАННО В 16 КБ СТРАНИЦ ПО 256 БАЙТОВ. | Нет | 1 | 18 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 75 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 1 | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||
| W25X40AVСНИГ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 1,72 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x80avzpig-datasheets-1100.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 100 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q20CLZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q20clsnig-datasheets-8342.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | SPI, серийный | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | 0,016 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 800 мкс | 2097152 бит | 0,000005А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ |
