Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВинбонд Электроникс(2816)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температур окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W631GG8KB-15 ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg8kb12tr-datasheets-3791.pdf | 78-ТФБГА | 1,425 В~1,575 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CLSVIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16clssig-datasheets-3517.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,3 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 50 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W98AD2KBJX6E ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q32FWSTIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q32fwzpigtr-datasheets-9969.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 14 недель | 1,65 В~1,95 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BWBYIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bwsnig-datasheets-5509.pdf | 8-УФБГА, ВЛЦП | 1,65 В~1,95 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BLZPIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80blzpigtr-datasheets-6358.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 8 | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | EAR99 | 1 | 18 мА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | 3/3,3 В | Не квалифицирован | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 9 нс | 3В | 80 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 800 мкс | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80BVSSIG | Винбонд Электроникс | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80bvsnig-datasheets-5321.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,16 мм | 3,3 В | 8 | 8 | 8 Мб | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 18 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 85°С | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 8,5 нс | 2,7 В | 104 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 3 мс | СЕРИАЛ | 0,000005А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | Асинхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X40BVSSIG | Винбонд Электроникс | 0,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20bvsnig-datasheets-6541.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 16,5 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 3 мс | 0,000005А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL032CH7B | Винбонд Электроникс | 2,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl032cb7a-datasheets-5403.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 14 недель | 64 | да | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 64 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 32MX1 | 1 | 70нс | 33554432 бит | 8 | 0,000005А | 70 нс | ДА | ДА | ДА | 64 | 64К | ДА | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL128CH9B ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl128ch9t-datasheets-5439.pdf | 64-ЛБГА | 14 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 8М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL032CB7B | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29gl032cb7a-datasheets-5403.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 11 мм | 64 | 14 недель | 64 | да | 3A991.B.1.A | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | 8542.32.00.51 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1 мм | 64 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,055 мА | Не квалифицирован | 32Мб 4М х 8 2М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 32MX1 | 1 | 70нс | 33554432 бит | 8 | 0,000005А | 70 нс | ДА | ДА | ДА | 863 | ДА | НИЖНИЙ | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16DVSSIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16dvzpiq-datasheets-3576.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W972GG6JB25I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w972gg6jb3i-datasheets-5367.pdf | 84-ТФБГА | 13 мм | 1,8 В | 84 | 84 | 2 ГБ | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 800 МГц | 1 | 170 мА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 400пс | 200 МГц | 17б | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 0,012А | ОБЩИЙ | 8192 | 48 | 48 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CVSSIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16cvssig-datasheets-5341.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16FWSVIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16fwssiq-datasheets-9129.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 1,65 В~1,95 В | 8-ВСОП | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 60 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29GL128PH9B ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 64-ЛБГА | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 8М х 16 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 90 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVDAIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 5,33 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvsf00-datasheets-5430.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,27 мм | 7,62 мм | 8 | 1 | НЕТ | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 2,54 мм | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 1 | 0,00005А | СПИ | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64FVZPIF | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64fvsf00-datasheets-5430.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 8MX8 | 8 | 50 мкс, 3 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 1 | 0,00005А | СПИ | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128FVBIG | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128fvsig-datasheets-5561.pdf | 24-ТБГА | 8 мм | 6 мм | 24 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 24 | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б24 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четыре ввода-вывода, QPI | 128MX1 | 1 | 50 мкс, 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6MB-09 | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6mb12tr-datasheets-7422.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 1066 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6MB11I | Винбонд Электроникс | $8,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6mb12-datasheets-1593.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 7,5 мм | 96 | 20 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU8MB12I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu8mb12tr-datasheets-7505.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GU6MB15I ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gu6mb12-datasheets-1593.pdf | 96-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W948D6DBHX5I | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W631GG6KB15J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w631gg6kb12tr-datasheets-9274.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16CVSNJP ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q16cvssig-datasheets-5341.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2,7 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128BVBJG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128bveig-datasheets-5396.pdf | 24-ТБГА | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16JWUUIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ВСПЫШКА – НО | 8-UDFN Открытая площадка | 1,65 В~1,95 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W74M12FVZPIQ | Винбонд Электроникс | 1,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w74m12fvssiqtr-datasheets-4411.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 14 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 80 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX8 | 8 | 134217728 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W632GG6NB15J | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w632gg6nb12-datasheets-8478.pdf | 96-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс |
