Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Выносливость | Время хранения данных-мин | Время доступа (макс.) | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Обратная распиновка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT48LC4M32B2TG-6A:L | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc4m32b2tg6al-datasheets-8490.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 1 недели | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt48lc64m8a2p75ctr-datasheets-4036.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3В~3,6В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 133 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3А-12БИН | Альянс Память, Инк. | $5,61 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12bin-datasheets-5155.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | Без свинца | 96 | 8 недель | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3А-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m8d3a12bintr-datasheets-5214.pdf | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3ЛА-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12bcn-datasheets-1891.pdf | 96-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C128M16D3A-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3a12bcn-datasheets-5138.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16Д3А-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3a12bantr-datasheets-5693.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 10 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | Р-ПБГА-В96 | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX16 | 16 | 15 нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M32MD2-25BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md225bcn-datasheets-5873.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,95 В | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М32МД2-18БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m32md218bin-datasheets-3495.pdf | 134-ВФБГА | 8 недель | 1,2 В 1,8 В | 134-ФБГА (11,5х11,5) | 8Гб 256М х 32 | Неустойчивый | 533 МГц | ДРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К16М16МД1-6БЦН | Альянс Память, Инк. | 3,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1,025 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c16m16md16bcntr-datasheets-0189.pdf | 60-ТФБГА | 9 мм | 1,8 В | Без свинца | 60 | 8 недель | 60 | 256 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 6,5 нс | 166 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М16Д3Л-12БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c1g8md3l12bcn-datasheets-7492.pdf | 96-ТФБГА | 14 мм | 9 мм | Без свинца | 96 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | 1,35 В | 0,22 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-В96 | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX16 | 16 | 15 нс | 8589934592 бит | 0,011А | ОБЩИЙ | 8192 | 8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д3-12БКН | Альянс Память, Инк. | $4,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d312bcn-datasheets-3079.pdf | 96-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В96 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М32МД1-5БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m32md15bcn-datasheets-4235.pdf | 90-ВФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 90 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.36 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | 2Гб 64М х 32 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX32 | 32 | 15 нс | 2147483648 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16МСА-6БИН | Альянс Память, Инк. | $7,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильная SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16msa6bin-datasheets-6941.pdf | 54-ВФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,7 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,95 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 5,5 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16Д1А-5ТИН | Альянс Память, Инк. | $4,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16d1a5tin-datasheets-3963.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 15 нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1608-55ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c160855tin-datasheets-4957.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 16Мб 2М х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 2MX8 | 8 | 55нс | 16777216 бит | 55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS29CF010-55CCIN | Альянс Память, Инк. | $4,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as29cf01055ccin-datasheets-5448.pdf | 32-LCC (J-вывод) | 8 недель | 4,5 В~5,5 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 55нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М8Д3ЛБ-12БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 256MX8 | 8 | 15 нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32SA-7TCN | Альянс Память, Инк. | $4,00 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32sa6tin-datasheets-4402.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 86 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г86 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 2нс | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ41К512М16ХА-125:А | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt41k512m16ha107ita-datasheets-7919.pdf | 96-ТФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9х14) | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 13,75 нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М16СА-7ТЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m16sa7tcn-datasheets-5119.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,2 мм | 1 мм | 10,16 мм | Без свинца | 54 | 8 недель | 54 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 40 | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 2нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC8M16A2TG-6A:L | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt48lc8m16a2p6altr-datasheets-3908.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 2 недели | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1008-55СТИН | Альянс Память, Инк. | 2,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 32-LFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 11,8 мм | 1 мм | 8 мм | 3В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 0,06 мА | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-10ДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 10 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-СОЮ | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS29CF160T-55TIN | Альянс Память, Инк. | $8,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as29cf160t55tin-datasheets-5836.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | 5,5 В | 4,5 В | Р-ПДСО-Г48 | 16Мб 2М х 8 1М х 16 | Энергонезависимый | 5В | ВСПЫШКА | Параллельно | 1MX16 | 16 | 55нс | 16777216 бит | 8 | 0,00015А | 100000 циклов записи/стирания | 20 | 55 нс | ДА | ДА | 1131 | 16К32К64К | ДА | НИЗ/ВЕРХ | ДА | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М8Д1-5ТИН | Альянс Память, Инк. | $4,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d15tin-datasheets-2278.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 536870912 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1024B-12JINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7084 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024b12jcn-datasheets-7073.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,995 мм | 10,16 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 12нс | 1048576 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1026C-15TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1026c15tintr-datasheets-6221.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 15 нс | 1048576 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31025B-15TJCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31025b12jintr-datasheets-6044.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 3,3 В | 8 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 15 нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-20TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 8 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 3В~3,6В | 32-ЦОП I | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 20 нс | СРАМ | Параллельно | 20 нс |
