| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Выносливость | Время доступа (макс.) | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС6К2016-55ЗИН | Альянс Память, Инк. | 3,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c201655zin-datasheets-2781.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,6 мм | 1,05 мм | 10,3 мм | 3В | Без свинца | 44 | 8 недель | 44 | 2 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 0,06 мА | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 0,00002А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М32С-6БИН | Альянс Память, Инк. | $6,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32s6bin-datasheets-3672.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | 90 | 8 недель | 90 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 0,2 мА | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 2нс | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT46V64M8CV-5B ИТ:J | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt46v64m8cv5bitj-datasheets-6396.pdf | 60-ТФБГА | 12 недель | 2,5 В~2,7 В | 60-ФБГА (8х12,5) | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16SA-7TCN | Альянс Память, Инк. | $6,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16sa6tcn-datasheets-2639.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | Без свинца | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 14 нс | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К8008-55ЗИН | Альянс Память, Инк. | $6,36 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c800855bin-datasheets-3785.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,42 мм | 1 мм | 10,16 мм | 3В | Без свинца | 60 мА | 44 | 8 недель | Нет СВХК | 44 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 0,00005А | 55 нс | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M4SA-7TCN | Альянс Память, Инк. | $3,74 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m4sa7tcn-datasheets-5295.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 64М х 4 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX4 | 4 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16Д3ЛБ-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16d3lb12bin-datasheets-5813.pdf | 96-ТФБГА | 13 мм | 9 мм | 96 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б96 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15нс | 2147483648 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К256М16Д3ЛБ-10БКН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m16d3lb12bin-datasheets-4938.pdf | 96-ТФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 4 ГБ 256 М x 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д2-25БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d225bin-datasheets-3699.pdf | 60-ТФБГА | 10 мм | 1,8 В | Без свинца | 60 | 8 недель | 60 | 1 ГБ | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.32 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | 1Гб 128М х 8 | Неустойчивый | 8б | 400пс | 400 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16D1-5BCN | Альянс Память, Инк. | $3,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16d15bin-datasheets-1916.pdf | 60-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 1 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 15нс | 134217728 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT48LC8M16A2TG-6A:LTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt48lc8m16a2p6altr-datasheets-3908.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 12 недель | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 167 МГц | ДРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16SA-7BCN | Альянс Память, Инк. | 2,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa7bcn-datasheets-6182.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б54 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1025C-15ДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7084 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025c15jin-datasheets-7232.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,955 мм | 5В | 32 | 10 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 32 | 40 | Не квалифицирован | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4096A-12TCN | Альянс Память, Инк. | 4,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4096a12tcn-datasheets-9684.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | 83 МГц | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП2 | 4Мб 512К х 8 | Неустойчивый | 12нс | 19б | СРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS29CF800B-55ТИН | Альянс Память, Инк. | 7,50 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as29cf800t55tin-datasheets-5916.pdf | 48-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 48 | 8 недель | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 0,5 мм | 5,5 В | 4,5 В | 0,05 мА | Р-ПДСО-Г48 | 8Мб 1М х 8 512К х 16 | Энергонезависимый | 5В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 55нс | 8388608 бит | 8 | 0,00015А | 1000000 циклов записи/стирания | 55 нс | ДА | ДА | НЕТ | 12115 | 8К4К16К32К | ДА | НИЖНИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1026B-15JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1026b12jcntr-datasheets-5571.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 44 | Параллельно | 4,5 В~5,5 В | 44-СОЮ | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 15нс | СРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1026B-15JINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1026b12jcntr-datasheets-5571.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 15нс | 1048576 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1025B-12TJCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 5В | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 12нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026B-12JCN | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 83 МГц | 3В~3,6В | 44-СОЮ | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 12нс | 16б | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1025B-15JINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7084 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 15нс | 1048576 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1026B-20TCN | Альянс Память, Инк. | $3,21 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1026b12jcntr-datasheets-5571.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 5В | Без свинца | 8 недель | 5,5 В | 4,5 В | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 4,5 В~5,5 В | 44-ЦОП2 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 20нс | 16б | СРАМ | Параллельно | 20нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1024B-20TJCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,683 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1024b12jcn-datasheets-7073.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 20,995 мм | 7,62 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 20нс | 1048576 бит | 20 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026C-12ДЖИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026c12tin-datasheets-2933.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,7 мм | 2,92 мм | 10,29 мм | 3,3 В | 44 | 8 недель | 44 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | 16б | СРАМ | Параллельно | 12нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M8D3-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~95°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d312bcn-datasheets-6627.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M32SA-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m32sa6tin-datasheets-4402.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 8 недель | да | неизвестный | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16SA-7TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16sa6tcn-datasheets-2639.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 8 недель | неизвестный | 3В~3,6В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 14 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C4M16SA-6BINTR | Альянс Память, Инк. | $3,12 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16sa6tin-datasheets-2524.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 8 мм | 54 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | С-ПБГА-Б54 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 2нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-12TCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 8 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 3В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 12нс | 1048576 бит | 12 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1025B-12TJCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,683 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1025b12jcntr-datasheets-6223.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,300, 7,62 мм) | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 8 недель | 32 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 128КХ8 | 8 | 12нс | 1048576 бит | 12 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C4098A-20JINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c4098a12jin-datasheets-3517.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО/ОЛЕВОСТЬ ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 256КХ16 | 16 | 20нс | 4194304 бит | 20 нс |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.