Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАльянс Память, Инк.(2556)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Время доступа (макс.) | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС4К256М8Д3А-12БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3a12bin-datasheets-5251.pdf | 78-ВФБГА | 8 недель | 1,425 В~1,575 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C256M8D3LA-12BCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c256m8d3la12bcntr-datasheets-5227.pdf | 78-ВФБГА | 1,283 В~1,45 В | 2Гб 256М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3ЛА-12БИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3la12bintr-datasheets-5167.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | да | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,283 В~1,45 В | НИЖНИЙ | 1,35 В | 0,8 мм | 1,45 В | 1,283 В | Р-ПБГА-Б78 | 1 ГБ 128 М x 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15 нс | 1073741824 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C64M16D3LA-12BANTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16d3la12ban-datasheets-5273.pdf | 96-ВФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М32МД3-15БЦН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c512m32md315bcn-datasheets-5962.pdf | 178-ВФБГА | 11,5 мм | 11 мм | 178 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | совместимый | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,8 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В178 | 16Гб 512М х 32 | Неустойчивый | 667 МГц | ДРАМ | Параллельно | 512MX32 | 32 | 15 нс | 17179869184 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К512М8Д3Б-12БАН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | Соответствует ROHS3 | 78-ВФБГА | 1,425 В~1,575 В | 4Гб 512М х 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М16МД1-5БИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m16md16bintr-datasheets-2903.pdf | 60-ТФБГА | 1,7 В~1,95 В | 1Гб 64М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C8M16SA-6TAN | Альянс Память, Инк. | $3,95 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m16sa6ban-datasheets-4192.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 5нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 12нс | 134217728 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31024B-12JCN | Альянс Память, Инк. | 3,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31024b12jcn-datasheets-2725.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | Нет | 83 МГц | 3В~3,6В | 32-СОЮ | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 12нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-6БИН | Альянс Память, Инк. | $5,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6bin-datasheets-3666.pdf | 90-ТФБГА | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 90 | 8 недель | 90 | 64 Мб | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 0,1 мА | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 10б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 2нс | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К4М16Д1А-5ТЦН | Альянс Память, Инк. | 2,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c4m16d1a5tcn-datasheets-6300.pdf | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 66 | 8 недель | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,65 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G66 | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 15 нс | 67108864 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1008-55ПКН | Альянс Память, Инк. | $6,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 41,91 мм | 3,81 мм | 13,818 мм | 3В | Без свинца | 60 мА | 32 | 8 недель | 2,214806г | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 2,54 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 3/5 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К64М8Д2-25БИН | Альянс Память, Инк. | 4,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c64m8d225bin-datasheets-4341.pdf | 60-ТФБГА | 10 мм | 8 мм | 60 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 1,7 В~1,9 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | 512Мб 64М х 8 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 64MX8 | 8 | 15 нс | 536870912 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К8М32МД2А-25БЦН | Альянс Память, Инк. | $4,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1,02 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c8m32md2a25bcn-datasheets-5239.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 10 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | Р-ПБГА-В134 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 32 | 15 нс | 268435456 бит | ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К32М32МД2А-25БИН | Альянс Память, Инк. | $7,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m32md2a25bin-datasheets-5754.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 1Гб 32М х 32 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX32 | 32 | 15 нс | 1073741824 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М16МД2А-25БИН | Альянс Память, Инк. | $9,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM — мобильный LPDDR2 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m16md2a25bin-datasheets-6063.pdf | 134-ВФБГА | 11,5 мм | 10 мм | 134 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ НОМИНАЛЬНОЕ ПИТАНИЕ 1,8 В. | 1 | ДА | 1,14 В~1,95 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,65 мм | 1,3 В | 1,14 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-В134 | 2 ГБ 128 М x 16 | Неустойчивый | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX16 | 16 | 15 нс | 2147483648 бит | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К128М8Д3Б-12БКН | Альянс Память, Инк. | $4,97 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~95°С ТК | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR3 | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c128m8d3b12bcn-datasheets-8073.pdf | 78-ВФБГА | 10,5 мм | 8 мм | 78 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 1,425 В~1,575 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,8 мм | 1,575 В | 1,425 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б78 | 1 ГБ 128 М x 8 | Неустойчивый | 20нс | 800 МГц | ДРАМ | Параллельно | 128MX8 | 8 | 15 нс | 1073741824 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС1К1М16П-70БИН | Альянс Память, Инк. | $3,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | PSRAM (псевдо SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | 0,97 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as1c1m16p70bin-datasheets-2297.pdf | 48-ВФБГА | 7 мм | 6 мм | 48 | 10 недель | 1 | ДА | 2,6 В~3,3 В | НИЖНИЙ | 3В | 0,75 мм | 3,3 В | 2,6 В | Р-ПБГА-Б48 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | ПСРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 70нс | 16777216 бит | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32С-6ТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32s6tin-datasheets-9684.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | Без свинца | 180 мА | 86 | 86 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 3В | 40 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,5 нс | 166 МГц | 11б | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 2нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS4C32M8SA-7TCN | Альянс Память, Инк. | $3,56 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c32m8sa7tcn-datasheets-6180.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 10,16 мм | 54 | 8 недель | 1 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | совместимый | 1 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г54 | 256Мб 32М х 8 | Неустойчивый | 5,5 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 32MX8 | 8 | 268435456 бит | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС4К2М32Д1А-5БКН | Альянс Память, Инк. | $3,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as4c2m32d1a5bin-datasheets-8988.pdf | 144-ЛФБГА | 12 мм | 12 мм | 144 | 8 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | 2,3 В~2,7 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | 2,7 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б144 | 64Мб 2М х 32 | Неустойчивый | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 2MX32 | 32 | 15 нс | 67108864 бит | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К1008-55ТИН | Альянс Память, Инк. | $4,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c100855pcn-datasheets-2988.pdf | 32-TFSOP (0,724, ширина 18,40 мм) | 8 мм | 1 мм | 18,4 мм | 3В | Без свинца | 32 | 8 недель | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | 5,5 В | 2,7 В | 40 | 0,06 мА | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ41К512М16ХА-107:А | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | SDRAM-DDR3L | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-mt41k512m16ha107ita-datasheets-7919.pdf | 96-ТФБГА | 8 недель | 1,283 В~1,45 В | 96-ФБГА (9х14) | 8Гб 512М х 16 | Неустойчивый | 20нс | 933 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026B-15JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026b12tcn-datasheets-2660.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 15 нс | 1048576 бит | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К62256А-70СИНТР | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c62256a70sintr-datasheets-6081.pdf | 28-SOIC (ширина 0,330, 8,38 мм) | 6 недель | 28 | да | неизвестный | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 70нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C31026C-12TINTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c31026c12tin-datasheets-2933.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18,415 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Р-ПДСО-Г44 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 12нс | 1048576 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К2008-55СИН | Альянс Память, Инк. | $3,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 2,997 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c200855bin-datasheets-6006.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 3В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | 2 Мб | да | 1 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 32 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 0,035 мА | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АС6К2008-55СТИН | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as6c200855bin-datasheets-6006.pdf | 32-LFSOP (ширина 0,465, 11,80 мм) | 3В | Без свинца | 32 | 8 недель | 32 | 2 Мб | да | 1 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 0,035 мА | Не квалифицирован | 2Мб 256К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18б | СРАМ | Параллельно | 256КХ8 | 8 | 55нс | 55 нс | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C3513B-12JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 1993 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c3513b15tcntr-datasheets-6384.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | 512Кб 32К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 32КХ16 | 16 | 12нс | 524288 бит | 12 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C1026B-20JCNTR | Альянс Память, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3,7592 мм | Соответствует ROHS3 | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c1026b12jcntr-datasheets-5571.pdf | 44-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 28,575 мм | 10,16 мм | 44 | 8 недель | 44 | да | 1 | е3/е6 | ЧИСТОЕ МАТОВОЕ ОЛОВО / ОЛОВО ВИСМУТ | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 1,27 мм | 44 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 1Мб 64К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 64КХ16 | 16 | 20нс | 1048576 бит | 20 нс |
