Fujitsu Electronics America, Inc.

Fujitsu Electronics America, Inc.(526)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Рабочее напряжение питания Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Пол Количество контактов Количество портов Контактный материал Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Оценочный комплект Приложения Напряжение питания Количество цепей Пакет устройств поставщика Размер памяти Количество битов Количество каналов АЦП Выходное напряжение Выходной ток Тип генератора Количество входов/выходов Тип памяти Периферийные устройства Размер оперативной памяти Ширина шины данных Тип выхода Тип поставки Функция Частота (макс.) Количество выходов Количество строк Длина продукта (мм) Высота продукта (мм) Сторожевой таймер Количество таймеров/счетчиков Количество программируемых входов/выходов Конфигурация выхода Перезагрузить Сбросить тайм-аут Количество контролируемых напряжений Топология Синхронный выпрямитель Синхронизация часов Количество каналов ШИМ Время доступа Тактовая частота Ширина адресной шины Формат памяти Интерфейс памяти Количество конвертеров Напряжение – пороговое значение Функции управления Вход ФАПЧ Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Поставляемый контент Частота — переключение Изоляция выхода Рабочий цикл (макс.) Выходные фазы Количество терминалов
FCN-747B014-AU/0 FCN-747B014-AU/0 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Разъем IDC СКТ 14 2 22.35 10,5
FCN235D020G/E FCN235D020G/Е Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Высокая плотность РКП 20 1 Медный сплав Золото 33,4 10,5 20
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Не соответствует требованиям RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rq4mlpfgbcere1-datasheets-3848.pdf 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 10 недель 1,7 В~1,95 В 16-СОП 4Мб 512К х 8 Энергонезависимый 108 МГц ФРАМ SPI — четырехканальный ввод-вывод
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs2mtaphgjne2-datasheets-3877.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 1,8 В~3,6 В 8-СОП 2Мб 256К х 8 Энергонезависимый 40 МГц ФРАМ СПИ
MB85RC128PNF-G-JNE1 MB85RC128PNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 400 кГц Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc128pnfgjne1-datasheets-4174.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 3,3 В Неизвестный 3,6 В 2,7 В 8 2-проводной, I2C, последовательный 128 КБ Нет 400 кГц 2,7 В~3,6 В 8-СОП 128Кб 16К х 8 Энергонезависимый 900 нс 400 кГц 17б ФРАМ I2C
MB85RS128BPNF-G-JNE1 MB85RS128BPNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs128bpnfgjne1-datasheets-5326.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 20 недель Неизвестный 3,6 В 2,7 В 8 СПИ 2,7 В~3,6 В 8-СОП 128Кб 16К х 8 Энергонезависимый 33 МГц ФРАМ СПИ
MB86296SPB-GS-JXE1 MB86296SPB-GS-JXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Видео, графический контроллер Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Поднос 3 (168 часов) 85°С -40°С 33 МГц Соответствует RoHS 2007 год /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb86296spbgsjxe1-datasheets-7404.pdf 256-ББГА Неизвестный 1,95 В 1,65 В 256 Автомобильная, Промышленная 256-ПБГА (27x27)
MB86L12A-RFSS-P1US1 MB86L12A-RFSS-P1US1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год 8 недель Да Совет(ы)
MB39A136PFT-G-JN-ERE1 MB39A136PFT-G-JN-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует RoHS 1999 год /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb39a136pftgjnere1-datasheets-0093.pdf 24-TFSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) 8 недель 24 1 МГц Транзисторный драйвер Понижение 2 Позитивный Бак Да Нет Ограничение тока, плавный пуск 4,5 В~25 В 500 кГц 80%
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc512tpnfgjnere1-datasheets-4942.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 1,8 В~3,6 В 8-СОП 512Кб 64К х 8 Энергонезависимый 130 нс 3,4 МГц ФРАМ I2C
MB9AF314MPMC-GE1 MB9AF314MPMC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
MB88151APNF-G-200-JNE1 MB88151APNF-G-200-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS СОИК 1 66,8 МГц Кристалл Да
MB88155PFT-G-100-XXE1 MB88155PFT-G-100-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЦСОП 1 25 МГц Кристалл
MB96F356RSBPMC-GSE2 MB96F356RSBPMC-GSE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

СМД/СМТ 125°С -40°С 56 МГц Соответствует RoHS ЛКФП Неизвестный 5,5 В 64 CAN, EBI/EMI, I2C, LIN, SCI, UART, USART 2,3 Мб 288КБ 15 Внутренний 51 ВСПЫШКА DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT 12 КБ 7 20
MB95F274KPF-G-SNE2 MB95F274KPF-G-SNE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

85°С -40°С 16 МГц Соответствует RoHS СОП Неизвестный 5,5 В 2,4 В 8 УАРТ Нет 20 КБ Внешний 5 ВСПЫШКА НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ 496Б 16,25 МГц Да 2 5 1
MB86060PMCR-G-BNDE1 MB86060PMCR-G-BNDE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЛКФП Серийный 12 Аналоговый, Цифровой 1
MB88162PVB-G-ERE1 MB88162PVB-G-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS 18 1 168 МГц КМОП
FCN-235PO20G/MA ФЦН-235ПО20Г/МА Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Заголовок эжектора HDR 20 2 30,4 7,8
FCN-747J026-AU/0 FCN-747J026-AU/0 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Разъем IDC СКТ 26 2 37,59 10,5
MB85RS2MTAPH-G-JNE2 MB85RS2MTAPH-G-JNE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs2mtaphgjne2-datasheets-3877.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 1,8 В~3,6 В 8-ДИП 2Мб 256К х 8 Энергонезависимый 40 МГц ФРАМ СПИ
MB85RS64TPN-G-AMEWE1 MB85RS64TPN-G-AMEWE1 Fujitsu Electronics America, Inc. 1,58 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs64tpnfgjnere2-datasheets-0746.pdf 8-WFDFN Открытая площадка 10 недель 1,8 В~3,6 В 8-СОН 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 10 МГц ФРАМ СПИ
MB85RS128APNF-G-JNE1 MB85RS128APNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 25 МГц Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs128apnfgjne1-datasheets-4181.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 17 недель Неизвестный 3,6 В 8 SPI, серийный 3В~3,6В 8-СОП 128Кб 16К х 8 Энергонезависимый 25 МГц ФРАМ СПИ
MB85RC16VPNF-G-JNERE1 MB85RC16VPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamemericainc-mb85rc16vpnfgjnn1ere1-datasheets-4057.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 3В~5,5В 8-СОП 16Кб 2К х 8 Энергонезависимый 550 нс 1 МГц ФРАМ I2C
MB88F332ABPMC-GSE1 MB88F332ABPMC-GSE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Видео, графический контроллер Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Поднос 3 (168 часов) Соответствует RoHS 2011 г. /files/fujitsuelectronicsamericainc-mb88f332abpmcgse1-datasheets-7608.pdf 208-LQFP Автомобильные системы 208-LQFP
MB3759PF-G-BND-JNE1 MB3759PF-G-BND-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТА Трубка 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2012 год 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) Без свинца 8 недель 7В~32В 1 кГц~300 кГц Или
MB39A214APFT-G-JNERE1 MB39A214APFT-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -30°С Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb39a214apftgjnere1-datasheets-0200.pdf 24-TFSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) Без свинца 24 24-ЦСОП 5,3 В 1,2А Транзисторный драйвер Понижение 2 Позитивный Бак Да Нет Ограничение тока, включение, контроль частоты, плавный пуск 6В~28В 310 кГц 620 кГц 1 МГц 1
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 30 МГц Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs1mtphgjne1-datasheets-6808.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 3,3 В 10 недель 8 SPI, серийный 1 Мб 1,8 В~3,6 В 8-СОП 1Мб 128К х 8 Энергонезависимый 40 МГц ФРАМ СПИ
MB3793-27APFV-G-JN-6E1 MB3793-27APFV-G-JN-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Простой сброс/сброс при включении питания Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb379327apfvgjn6e1-datasheets-9130.pdf ЛСОП Активный низкий 30 мс 1 2,7 В
MB88151APNF-G-400-JNE1 MB88151APNF-G-400-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS СОИК 1 133,6 МГц Кристалл Да
MB88155PFT-G-101-XXE1 MB88155PFT-G-101-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЦСОП 1 50 МГц Кристалл

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.