Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPHCW1HDND25YHQT3H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 5700К | 155 лм/Вт | 25°С | 4949лм 4792~5105лм | 900 мА | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL251ZW2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 52В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 144 лм/Вт | 85°С | 8107lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZU2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 168 лм/Вт | 85°С | 2570 лм Тип. | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D Gen2 | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 164 лм/Вт | 85°С | 2558 лм Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF25YZV2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | да | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 85°С | 2877lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZT3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 171 лм/Вт | 85°С | 2622lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF2VYZT2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 127 лм/Вт | 85°С | 2376lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWH2HDNA07YHV3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 405 мА | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 92 лм/Вт | 85°С | 860 лм тип. | 270 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 116 лм/Вт | 85°С | 2898lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNF2VYZUVD2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB R-серия | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 119 лм/Вт | 85°С | 2222lm Тип | 540 мА | 1,38А | Плоский | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWH2HDNA08YHU3C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 93 лм/Вт | 85°С | 890 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 92 | Диаметр 6,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZV2J7 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,84А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 117 лм/Вт | 85°С | 2903lm Тип | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||
| SPHWH2HDNA05YHT2C1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC010C | Поднос | 15,00 мм Д x 12,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 115° | Прямоугольник | 34,5 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 85°С | 1190 лм тип. | 270 мА | 405 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG25YZT2D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 168 лм/Вт | 85°С | 4112lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC026D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 137 лм/Вт | 85°С | 3416lm Тип | 720 мА | 1,84А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWHAHDNG27YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen3 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 141 лм/Вт | 85°С | 3455 лм Тип. | 720 мА | 1,84А | Плоский | 90 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||
| СИ-N8V1856B0WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | Диаметр 130,00 мм | 1 (без ограничений) | 5,20 мм | Белый, Теплый | 8 недель | С разъемом | 120° | Круглый | 27,9 В | 3000К | 178 лм/Вт | 25°С | 3170 лм Тип. | 640 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDND27YHV23P | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033B | Коробка | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,62А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 25°С | 3663лм 3205лм~4121лм | 900 мА | Плоский | 90 | Диаметр 17,00 мм | ||||||||||||||
| SPHWW1HDNE25YHT34H | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 152 лм/Вт | 25°С | 5830 лм 5635 лм~6025 лм | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWW1HDNE23YHVT4J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040B Gen2 | Поднос | 21,50 мм Д x 21,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 1,9 А | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000К | 142 лм/Вт | 25°С | 5428лм 4776лм~6079лм | 1,08А | Плоский | 70 | Диаметр 17,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNL271ZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC060D Gen2 | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 52В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 131 лм/Вт | 85°С | 7352lm Тип | 1,08А | 2,76А | Плоский | 90 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||
| СИ-B8P115280WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ФИН-РТ30 | Коробка | 216,00 мм Д x 273,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t115280ww-datasheets-6671.pdf | 216 мм | 5,80 мм | 273 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 450 мА | С разъемом | 30,2 В | 115° | Плоский | Прямоугольник | 30,2 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 152 лм/Вт | 50°С | 1610 лм тип. | 350 мА | 450 мА | Плоский | 80 | |||||||||
| SPHWHAHDNG28YZW3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | COB D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 99 лм/Вт | 85°С | 2470 лм Тип. | 720 мА | 1,84А | Плоский | 95 (тип.) | Диаметр 14,50 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDNA27YHV21G | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013B Gen2 | Поднос | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,60 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 1575лм 1440лм~1710лм | 360 мА | 660 мА | Плоский | 90 | Диаметр 11,00 мм | ||||||||||||||||
| SPHWHAHDNK25YZT3N2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC040D | Поднос | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 2,76А | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 5535lm Тип | 1,08А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||
| SPHWW1HDNB25YHT32J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 142 лм/Вт | 25°С | 2713лм 2438лм~2988лм | 540 мА | Плоский | 80 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||
| SPHWW1HDNB27YHU22J | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC019B | Коробка | 17,00 мм Д x 17,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdnb28yhu31f-datasheets-1709.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 980 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 113 лм/Вт | 25°С | 2165 лм 1894 лм~2435 лм | 540 мА | Плоский | 90 | Диаметр 12,40 мм | |||||||||||||
| SPHWHHAHDNH23YZT3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC033D Gen2 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 166 лм/Вт | 85°С | 5175 лм Тип | 900 мА | 2,3А | Плоский | 70 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM251ZU2D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 52В | 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 85°С | 12852lm Тип | 1,62А | 4.14А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм | |||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNM251ZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC080D Gen2 | 28,00 мм Д x 28,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 52В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 12468lm Тип | 1,62А | 4.14А | Плоский | 80 | Диаметр 22,00 мм |
