Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Имя	Производитель	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Упаковка	Размер / Размер	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Длина	Высота	Ширина	Цвет	Время выполнения заказа на заводе	Код Pbfree	Достичь кода соответствия	Код HTS	Максимальный текущий рейтинг	Особенность	Прямое напряжение	Угол обзора	Стиль объектива	Конфигурация	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	ЦКТ (К)	Люмен/Ватт @ ток — тест	Температура - Тест	Поток при токе/температуре — испытание	Текущий — Тест	Ток - Макс.	Тип объектива	CRI (индекс цветопередачи)	Светоизлучающая поверхность (LES)
SPHWHAHDND27YZT2D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D		13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf		1,50 мм		Белый, Нейтральный	6 недель			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	127 лм/Вт	85°С	1580 лм тип.	360 мА	920 мА	Плоский	90	Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNE25YZW3H9	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	1,15 А			115°		Квадрат	34,6 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	133 лм/Вт	85°С	2065 лм Тип	450 мА		Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDND27YZT3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	4000K 3-ступенчатый эллипс Макадама	143 лм/Вт	85°С	1745 лм Тип.	360 мА	920 мА	Плоский	90	Диаметр 9,80 мм
SPHWW1HDN945YHV3KG	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC008B Gen2	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphww1hdn945yhu3kg-datasheets-0350.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	430 мА			115°		Квадрат	36,5 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	135 лм/Вт	25°С	1186лм 1108лм~1263лм	240 мА		Плоский	80	Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNE25YZU3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC016D		19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый								115°		Квадрат	34,6 В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	153 лм/Вт	85°С	2376lm Тип	450 мА	1,15 А	Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN947YHV3FG	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC008B	Коробка	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS	2015 год			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	430 мА			115°		Квадрат	36,5 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	120 лм/Вт	25°С	1050лм 929~1171лм	240 мА		Плоский	90	Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNC25YZQ3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	5700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	170 лм/Вт	85°С	1563lm Тип	270 мА	690 мА	Плоский	80	Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC25YZT3D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Нейтральный	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	4000K 3-ступенчатый эллипс Макадама	169 лм/Вт	85°С	1550 лм тип.	270 мА	690 мА	Плоский	80	Диаметр 9,80 мм
SPHCW1HDN825YHRTEE	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006B	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00	320 мА			115°		Квадрат	35,5 В	5000К	149 лм/Вт	25°С	949 лм 887 лм~1011 лм	180 мА		Плоский	80	Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDND27YZU2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC013D Gen2	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели	да						115°		Квадрат	34,6 В	3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	131 лм/Вт	85°С	1635 лм Тип.	360 мА	920 мА	Плоский	90	Диаметр 9,80 мм
SL-B8T2N70LAWW	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	H приток	Поднос	281,00 мм Д x 41,00 мм Ш	1 (без ограничений)			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf		5,20 мм		Белый, Нейтральный	4 недели							118°		Линейная световая полоса	22,3 В	4000К	192 лм/Вт	55°С	4280 лм Тип.	1А	1,6А	Плоский	80
СИ-Б8В341Б2001	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	ЛТ-МБ22С		1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш	1 (без ограничений)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf		5,20 мм		Белый, Теплый	4 недели							115°		Линейная световая полоса	24В	3000К	151 лм/Вт		5070лм	1,4 А	2.16А	Плоский	80
СИ-B8U171560WW	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Светодиодный модуль	ЛТ-М562С	Поднос	560,00 мм Д x 18,00 мм Ш	1 (без ограничений)	Соответствует RoHS	2008 год		560 мм	5,80 мм	18 мм	Белый, Теплый					900 мА	С разъемом	24В	115°	Плоский	Линейная световая полоса	24В	3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	142 лм/Вт	50°С	2390 лм Тип.	700 мА	900 мА	Плоский	80
SPHWHAHDNG25YZW3K0	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdng25yzv3k2-datasheets-0725.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	1,84А			115°		Квадрат	34,6 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	129 лм/Вт	85°С	3225 лм Тип	720 мА		Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNE2VYZVVD2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	101 лм/Вт	85°С	1745 лм Тип.	450 мА	1,15 А	Плоский		Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNF27YZR3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019D Gen2		19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Холодный	4 недели			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	139 лм/Вт	85°С	2596 лм Тип	540 мА	1,38А	Плоский	90	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNB27YHT22K	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019B Gen2	Поднос	17,00 мм Д x 17,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Нейтральный					980 мА			115°		Квадрат	35,5 В	4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	128 лм/Вт	25°С	2455лм 2245лм~2665лм	540 мА		Плоский	90	Диаметр 12,40 мм
SPHWHHAHDNH28YZW3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen2	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34,6 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	98 лм/Вт	85°С	Тип 3057lm	900 мА	2,3А	Плоский	95 (тип.)	Диаметр 14,50 мм
SPHCW1HDNC25YHRT2F	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS			21,5 мм	1,50 мм	21,5 мм	Белый, Холодный					1,3А		35,5 В	115°	Плоский	Квадрат	35,5 В	5000К	154 лм/Вт	25°С	3934лм 3462лм~4406лм	720 мА	1,3А	Плоский	80	Диаметр 17,00 мм
SPHCW1HDNC23YHRT3F	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Холодный				8541.40.20.00	1,3А			115°		Квадрат	35,5 В	5000К	154 лм/Вт	25°С	3934лм 3462лм~4406лм	720 мА		Плоский	70	Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDND28YZW3D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen2	Лента и катушка (TR)	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый	8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	98 лм/Вт	85°С	1223 лм Тип	360 мА	920 мА	Плоский	95 (тип.)	Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNF25YZV3J4	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	1,38А			115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	139 лм/Вт	85°С	2592lm Тип	540 мА		Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN828YHW2CC	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC006B	Коробка	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS	2015 год			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	320 мА			115°		Квадрат	35,5 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	105 лм/Вт	25°С	668лм 601лм~734лм	180 мА		Плоский	95	Диаметр 8,00 мм
SPHWHAHDNF27YZV3J0	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC019D	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnf25yzw2d1-datasheets-0165.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый	7 недель			8541.40.20.00	1,38А			115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	118 лм/Вт	85°С	2207lm Тип	540 мА		Плоский	90	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDN947YHV2FH	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC008B Gen2	Поднос	13,50 мм Д x 13,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphcw1hdn945yhrtkg-datasheets-0358.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый				8541.40.20.00	430 мА			115°		Квадрат	36,5 В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	117 лм/Вт	25°С	1029лм 952~1105лм	240 мА		Плоский	90	Диаметр 8,00 мм
SPHWHHAHDNH25YZV2D3	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen3	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	158 лм/Вт	85°С	4847lm Тип	900 мА	2,3А	Плоский	80	Диаметр 14,50 мм
SPHWHAHDNK27YZV3D1	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC040D		28,00 мм Д x 28,00 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnk27yzu2m4-datasheets-2125.pdf		1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00				115°		Квадрат	34,6 В	3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама	127 лм/Вт	85°С	4751lm Тип	1,08А	2,76А	Плоский	90	Диаметр 22,00 мм
SPHWHHAHDNH28YZW2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB D Gen2	Поднос	19,00 мм Д x 19,00 мм Ш		Соответствует RoHS				1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели		совместимый					115°		Квадрат	34,6 В	2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	98 лм/Вт	85°С	Тип 3057lm	900 мА	2,3А	Плоский	95 (тип.)	Диаметр 14,50 мм
SPHWW1HDNC27YHW32F	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	LC026B	Поднос	21,50 мм Д x 21,50 мм Ш	2А (4 недели)	Соответствует RoHS	2014 год			1,50 мм		Белый, Теплый	6 недель			8541.40.20.00	1,3А			115°		Квадрат	35,5 В	2700К	101 лм/Вт	25°С	2580лм 2110лм~3050лм	720 мА		Плоский	90	Диаметр 17,00 мм
SPHWHAHDNK2VYZV2D2	Самсунг Полупроводник, Инк.	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Чип на плате (COB)	COB R-серия	Поднос	28,00 мм Д x 28,00 мм Ш						1,50 мм		Белый, Теплый	4 недели							115°		Квадрат	34,6 В	3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама	111 лм/Вт	85°С	4150 лм Тип.	1,08А	2,76А	Плоский		Диаметр 22,00 мм

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии