Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактSamsung Semiconductor, Inc.(9858)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Время выполнения заказа на заводе | Достичь кода соответствия | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Термическое сопротивление упаковки | Люмен/Ватт @ ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Поток при 25°C, ток — испытание | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPMWH3326MD5WAP0SA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM301Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md5waq0sa-datasheets-0478.pdf | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Холодный | совместимый | 8541.40.20.00 | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 2,75 В | 6500К | 12°С/Вт | 185 лм/Вт | 65 мА | 200 мА | 80 | 33лм 31лм~34лм | ||||||||||||||||||||
| SPMWH3326FD5GBW3SA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM302Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326fd5gbv3sa-datasheets-0574.pdf | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Теплый | 6 недель | совместимый | 8541.40.20.00 | ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД | 120° | 6,3 В | 2700К | 12°С/Вт | 134 лм/Вт | 150 мА | 200 мА | 80 | 127 лм 122 лм~132 лм | |||||||||||||||||||
| SPMWH3326MD7WAT3SA | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | LM301Z | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм | 2А (4 недели) | 0,024 0,60 мм | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md7wapysa-datasheets-9011.pdf | 1212 (3030 метрических единиц) | Белый, Нейтральный | 6 недель | 120° | 2,75 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 12°С/Вт | 157 лм/Вт | 65 мА | 400 мА | 90 | 28лм 26~29лм | |||||||||||||||||||||||
| SL-B8T4N90LAWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | 25,95 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | H приток | Поднос | 560,00 мм Д x 41,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,20 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 118° | Линейная световая полоса | 44,6 В | 4000К | 192 лм/Вт | 55°С | 8570 лм Тип | 1А | 1,6 А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||
| СИ-B8T301B2CUS | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-ВБ22Б | Поднос | 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 1,12 м | 5,50 мм | 18 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | 1,44А | 25,4 В | 115° | Линейная световая полоса | 25,4 В | 4000К | 135 лм/Вт | 4310 лм Тип | 1,26А | 1,44А | 80 | |||||||||||||||||||
| SL-B8V3N80L1WW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | inFlux_L04 | Поднос | 559,50 мм Д x 23,70 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-slb8u1n40l1ww-datasheets-5817.pdf | 559,5 мм | 5,90 мм | 23,7 мм | Белый, Теплый | 8 недель | 1,38А | С разъемом | 24,1 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,1 В | 3000К | 126 лм/Вт | 65°С | 4190 лм Тип. | 1,38А | 1,38А | Плоский | 80 | ||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZR3B3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 230 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 85°С | 462 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SI-B8R06128CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-В282А | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 12,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 50°С | 769 лм тип. | 450 мА | 540 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZT3H0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 8541.40.20.00 | 690мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 85°С | 1147 лм Тип | 270 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC25YZW2H1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 690мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 85°С | 1209 лм Тип | 270 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC009D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 129 лм/Вт | 85°С | Тип 1206 лм | 270 мА | 690мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZP3H6 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 140 лм/Вт | 85°С | 1746lm Тип | 360 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZU3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 145 лм/Вт | 85°С | 1812lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZV3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 130 лм/Вт | 85°С | Тип 406 лм | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA27YZR3D2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D Gen2 | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 138 лм/Вт | 85°С | 430 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZP3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 171 лм/Вт | 85°С | 524 лм тип. | 90 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNA25YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC003D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | 457 лм тип. | 90 мА | 230 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB25YZR3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 85°С | 975 лм тип. | 180 мА | 460 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZU2E0 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3500K 2-ступенчатый эллипс Макадама | 123 лм/Вт | 85°С | Тип: 768 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZT2E4 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 460 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 126 лм/Вт | 85°С | Тип: 784 лм | 180 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNC27YZR3C2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | C-серия Gen2 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzu3c2-datasheets-9040.pdf | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 35В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 110 лм/Вт | 85°С | Тип: 1156 лм | 300 мА | 380 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,00 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHHAHDNB27YZR3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | Тип 902lm | 180 мА | 460 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZV2D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 3000K 2-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | 1494lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND25YZU3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 163 лм/Вт | 85°С | 1996lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 80 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZV3D3 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | УДАРА D Gen3 | Лента и катушка (TR) | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | совместимый | 115° | Квадрат | 34В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 136 лм/Вт | 85°С | 1661lm Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | |||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN82VYHU3CF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 320 мА | 115° | Квадрат | 35,5 В | 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 25°С | 776лм 683~869лм | Плоский | Диаметр 8,00 мм | ||||||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDNE25YZT3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC016D | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdne25yzp3j1-datasheets-0130.pdf | 1,50 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 115° | Квадрат | 34,6 В | 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 155 лм/Вт | 85°С | 2419lm Тип | 450 мА | 1,15 А | Плоский | 80 | Диаметр 14,50 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZW3H2 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 8541.40.20.00 | 920 мА | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 109 лм/Вт | 85°С | 1359 лм Тип. | 360 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||
| SPHWHAHDND27YZW3D1 | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC013D | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | 115° | Квадрат | 34,6 В | 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | 1427 лм Тип | 360 мА | 920 мА | Плоский | 90 | Диаметр 9,80 мм | ||||||||||||||||||||||
| SPHWW1HDN827YHV3CF | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Чип на плате (COB) | LC006B | Коробка | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 2А (4 недели) | Соответствует RoHS | 2015 год | 13,5 мм | 1,50 мм | 13,5 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 320 мА | 35,5 В | 115° | Плоский | Квадрат | 35,5 В | 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 123 лм/Вт | 25°С | 786лм 695~876лм | 180 мА | 320 мА | Плоский | 90 | Диаметр 8,00 мм |
