Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Тип логической ИС | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Задержка распространения | Функция | Частота (макс.) | Количество выходов | Количество входов | Содержание | Выход | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | fмакс-мин | Макс I(ол) | Задержка распространения (tpd) | Выходная функция | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | ФАПЧ | Количество логических элементов/ячеек | Тип программируемой логики | Первичные атрибуты | Количество логических ячеек | Количество CLB | Поставляемый контент | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход | Программируемый тип | Количество выделенных входов | JTAG BST | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков | Делитель/Множитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE5LP4K-UWG20ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 20-УФБГА, ВЛЦП | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | ICE5LP4K | 12 | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP1K-CM36ITR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40 Ультра™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-ВФБГА | 7 недель | 36 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | 26 | 8КБ | 1100 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 65536 | 138 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 5384ВЭ-80ЛФ256И | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 5000VE | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi5384ve100lb272-datasheets-3965.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 256 | нет | EAR99 | ДА | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | ИСПЛСИ 5384 | 256 | 3,6 В | 3В | 30 | Программируемые логические устройства | 2,5/3,33,3 В | Не квалифицирован | С-ПБГА-Б256 | 192 | 15 нс | 56 МГц | 18000 | 384 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 12нс | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М5-256/160-7ЙИ/1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАШ® 5 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1995 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m51286810yc1-datasheets-1323.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 208 | 5,5 В | 4,5 В | EAR99 | ДА | 167 МГц | неизвестный | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 0,5 мм | М5-256 | 208 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQFP-G208 | 160 | ЭСППЗУ | 7,5 нс | 10000 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 4,5 В~5,5 В | 7,5 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5610AV-01TN48C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5610av01tn48c-datasheets-1800.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | да | EAR99 | Нет | 1 | 7мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK5610A | 48 | 3,6 В | 3В | 40 | Драйверы часов | 1 | 5600 | ДРАЙВЕР ТАКТОВ НА ОСНОВЕ ФАПЧ | 400 МГц | 10 | EHSTL, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | 400 МГц | 8,8 нс | 0,05 нс | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 1:10 | Да/Да | Да/Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5308S-01T48C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тактовый генератор, разветвленное распределение, буфер с нулевой задержкой | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5308s01tn48i-datasheets-0437.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 48 | нет | EAR99 | 1 | е0 | Оловянный свинец | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK53 | 48 | 3,6 В | 3В | 30 | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 5308 | 267 МГц | eHSTL, HSTL, LVCMOS, LVTTL, SSTL | 267 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:8 | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5410D-01SN64C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5410d01sn64i-datasheets-0492.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 3,3 В | Без свинца | 64 | 8 недель | 64 | EAR99 | 1 | 99 мА | 3В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK54 | 64 | 3,6 В | 3В | Драйверы часов | 1 | Не квалифицирован | С | ДРАЙВЕР ТАКТОВ НА ОСНОВЕ ФАПЧ | 400 МГц | HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, MLVDS, SSTL | 400 МГц | 0,009 А | 0,075 нс | HCSL, HSTL, LVDS, LVPECL, MLVDS, SSTL | Да, с обходом | 2:10 | Да/Да | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФ-81АГГ-ЭВН | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Аудио | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lf81aggevn-datasheets-4369.pdf | 8 недель | Микрофон | 8-канальный (восьмеричный) | Совет(ы) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-50E-ВИД-ЕВ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЕСП2 | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | Да | Плата(ы), кабель(и), блок питания | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МЕД-ФИЛЬТ-X2-UT1 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-medfiltx2ut1-datasheets-4383.pdf | 1 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-8BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 256-ЛФБГА | 8 недель | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,045 В~1,155 В | 197 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM5G-25F-8BG381C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП5-5G | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 197 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-17E-6QN208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 208-БФКФП | 28 мм | 28 мм | 1,2 В | Без свинца | 208 | 8 недель | 208 | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP2-17 | 208 | Программируемые вентильные матрицы | 1.21.2/3.33.3В | Не квалифицирован | 38,9 КБ | 146 | 34,5 КБ | 146 | 357 МГц | 17000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 282624 | 2125 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-1300E-5UWG36CTR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,576 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 36-УФБГА, ВЛЦП | 2,541 мм | 2,487 мм | 36 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | LCMXO3L-1300 | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б36 | 28 | 8КБ | 1280 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 160 | 65536 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-9400E-6BG484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 484-ЛФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 384 | 9400 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100E-5MG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ВФБГА | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO256E-5TN100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | MachXO | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 10 мА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 100 | да | EAR99 | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 10 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | LCMXO256 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 256Б | 78 | СРАМ | 0Б | 3,5 нс | 78 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | 256 | ФЛЕШ ПЛД | 256 | 7 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LIF-MD6000-6UMG64ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | КроссЛинк™ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lifmd60006uwg36itr1k-datasheets-3858.pdf | 64-ВФБГА | 8 недель | 1,14 В~1,26 В | 64-ucfBGA (3,5x3,5) | 29 | 5936 | 184320 | 1484 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LM4K-CM49TR1K | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | iCE40™ ЛМ | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40lm4kcm49tr1k-datasheets-5836.pdf | 49-ВФБГА | 3 мм | 3 мм | 1,2 В | 49 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | ICE40LM4K | С-ПБГА-Б49 | 37 | 10 КБ | 3520 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 440 | 81920 | 440 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-12F-8BG381C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | 1,045 В~1,155 В | 381-КАБГА (17х17) | 197 | 12000 | 589824 | 3000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-6MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 118 | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 49-УФБГА, ВЛЦП | 3,185 мм | 3,106 мм | 49 | 8 недель | да | EAR99 | 8542.39.00.01 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В | 0,4 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,2 В | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б49 | 40 | 9,3 КБ | 40 | 40 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-6900E-5MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 281 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100C-6BG256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-ЛФБГА | 14 мм | 14 мм | Без свинца | 256 | 8 недель | 256 | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 206 | 9,3 КБ | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-8MG285C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 3000 КЛБС | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3000 | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640UHC-6TG144I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 28 мкА | 1,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 2,5 В | Без свинца | 144 | 8 недель | 144 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,375 В~3,465 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | LCMXO2-640 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16,6 КБ | 107 | 108 | 320 | 640 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 640 | 65536 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-2000HC-6MG132C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 82 мкА | 1,35 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-ЛФБГА, КСПБГА | 8 мм | 8 мм | 2,5 В | Без свинца | 132 | 8 недель | 132 | да | EAR99 | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2,375 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 2,5 В | 0,5 мм | ЛКМСО2-2000 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 21,3 КБ | 104 | ВСПЫШКА | 9,3 КБ | 105 | 1056 | 2112 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 75776 | 264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-25F-6BG381I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-ФБГА | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В~1,155 В | 260 | НЕ УКАЗАН | 197 | 126 КБ | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-25F-8MG285I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСР5 | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-ТФБГА | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В~1,155 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б285 | 118 | 3000 КЛБС | 24000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 3000 | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-6900E-6MG324C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-ВФБГА | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 281 | 30 КБ | 6864 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 858 | 245760 | 858 |
