Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешётчатая полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Тип логической ИС | Размер памяти | Количество входов/выходов | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Архитектура | Частота (макс.) | Количество выходов | Количество программируемых входов/выходов | Выход | Тактовая частота | Организация | Количество ворот | Количество макроячеек | fмакс-мин | Выходная функция | Same Edge Skew-Max (tskwd) | Вход | ФАПЧ | Количество логических элементов/ячеек | Количество логических блоков (LAB) | Тип программируемой логики | Количество логических ячеек | Количество CLB | Соотношение – Вход:Выход | Дифференциал — Вход:Выход | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Всего бит ОЗУ | Количество LAB/CLB | Комбинаторная задержка CLB-Max | Источник напряжения — внутренний | Количество логических элементов/блоков | Делитель/Множитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE2-50SE-6F672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-50 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 60,4 КБ | 500 | 48,4 КБ | 500 | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 396288 | 6000 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-6SE-6T144C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 1,2 В | Без свинца | 144 | 144 | нет | EAR99 | 357 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | ЛФЭ2-6 | 144 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,4 КБ | 90 | 6,9 КБ | 90 | 6000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 56320 | 750 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2-70E-5F672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЕСП2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 311 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2-70 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 146 КБ | 500 | 129 КБ | 500 | 68000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 1056768 | 8500 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35SE-5F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 140 | 262,6 КБ | 140 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M35SE-6F672I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 672-ББГА | 27 мм | 27 мм | 1,2 В | Без свинца | 672 | 672 | нет | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М35 | 672 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 271,5кБ | 410 | 262,6 КБ | 410 | 34000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 35000 | 2151424 | 4250 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-6F484C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 357 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,331 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M50SE-6F484I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 484-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 484 | 484 | нет | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М50 | 484 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 531 КБ | 270 | 518,4 КБ | 270 | 357 МГц | 48000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 50000 | 4246528 | 6000 | 0,331 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE2M70SE-5F900I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ЭЦП2М | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | 900-ББГА | 31 мм | 31 мм | 1,2 В | Без свинца | 900 | 900 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | ЛФЭ2М70 | 900 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 584,9 КБ | 416 | 566,8 КБ | 416 | 311 МГц | 67000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 70000 | 4642816 | 8375 | 0,358 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA115E-6FF1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | 35 мм | 35 мм | 1152 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 660 | 975КБ | 660 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 424 | 7987200 | 28750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA80E-5FF1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,25 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-ББГА, ФКБГА | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 г. | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA80 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 904 | 710КБ | 904 | 1000 МГц | 80000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 80100 | 308 | 5816320 | 20000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA115EP1-5FF1704I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,25 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1704-ББГА, ФКБГА | 42,5 мм | 42,5 мм | 1704 г. | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA115 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 942 | 975КБ | 942 | 1000 МГц | 115000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 115200 | 424 | 7987200 | 28750 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA15EP1-6F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | $163,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | Без свинца | 256 | 10 недель | 256 | нет | EAR99 | Нет | 700 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFSCM3GA15 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | 139 | 126 КБ | 139 | 15000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 15200 | 56 | 1054720 | 3750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA40EP1-5FF1152I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C, ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА, ФКБГА | 1152 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSCM3GA40 | 604 | 497,5 КБ | 40000 | 4075520 | 10000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSCM3GA80EP1-7FF1152C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СКМ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1152-ББГА | Без свинца | 1152 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | LFSCM3GA80 | 660 | 710КБ | 80000 | 5816320 | 20000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP10C-3F256I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 320 МГц | 2,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,8 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,71 В~3,465 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | LFXP10 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | 1,8/2,5/3,3 В | 31,9 КБ | 188 | 27КБ | 188 | 1216 КЛБС | 4 | 10000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1216 | 1216 | 221184 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-5F388C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 388 | нет | EAR99 | 400 МГц | не_совместимо | 1,14 В~1,26 В | LFXP15 | 388 | 48,1 КБ | 268 | 40,5 КБ | 4 | 15000 | 1875 г. | 331776 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP10C-4F388I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 1,8 В | Без свинца | 388 | нет | EAR99 | 360 МГц | не_совместимо | 1,71 В~3,465 В | LFXP10 | 388 | 31,9 КБ | 244 | 27КБ | 4 | 10000 | 1250 | 221184 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-40E-5F672C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP2 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfc2pevn-datasheets-7997.pdf | 672-ББГА | 1,2 В | Без свинца | 672 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | LFXP2-40 | 672 | 121 КБ | 540 | 110,6 КБ | 40000 | 906240 | 5000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3E-3Q208C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,1 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 208-БФКФП | 1,2 В | 208 | 208 | нет | EAR99 | 320 МГц | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP3 | 208 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 136 | 6,8 КБ | 136 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,63 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP3E-4T100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 1,2 В | 100 | 100 | нет | EAR99 | 360 МГц | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 1,2 В | 0,5 мм | LFXP3 | 100 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 8,3 КБ | 62 | 6,8 КБ | 62 | 384 КЛБС | 2 | 3000 | 375 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 384 | 384 | 55296 | 0,53 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP6E-4F256C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 256-БГА | 17 мм | 17 мм | 1,2 В | Без свинца | 256 | 256 | нет | EAR99 | 360 МГц | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFXP6 | 256 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 11,9 КБ | 188 | 9 КБ | 188 | 2 | 6000 | 750 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 720 | 720 | 73728 | 0,53 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP15E-3F388I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | XP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~100°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp3c3tn100c-datasheets-8108.pdf | 388-ББГА | 23 мм | 23 мм | 1,2 В | Без свинца | 388 | 388 | нет | EAR99 | 320 МГц | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,2 В | 1 мм | LFXP15 | 388 | 30 | Программируемые вентильные матрицы | Не квалифицирован | 48,1 КБ | 268 | 40,5 КБ | 268 | 1932 КЛБС | 4 | 15000 | 1875 г. | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 1932 год | 1932 год | 331776 | 0,63 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFSC3GA40E-5FFA1020C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | СК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 3,82 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfsc3ga25e5ffn1020c-datasheets-4959.pdf | 1020-ББГА, ФКБГА | 33 мм | 33 мм | Без свинца | 1020 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 0,95 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 1 мм | LFSC3GA40 | Программируемые вентильные матрицы | 1,21,2/3,32,5 В | Не квалифицирован | 562 | 497,5 КБ | 562 | 1000 МГц | 40000 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 40400 | 216 | 4075520 | 10000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-4300E-5UWG81CTR50 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МахаХО3 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~85°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 0,567 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 81-УФБГА, ВЛЦП | 3,797 мм | 3,693 мм | 81 | 13 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В~1,26 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б81 | 63 | 11,5 КБ | 4320 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ22В10Д-20ЛПИ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®22В10 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 50 МГц | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal22v10d15qp-datasheets-1713.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | нет | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 130 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДВОЙНОЙ | 225 | 5В | 2,54 мм | ГАЛ22В10 | 24 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 20 нс | 20 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 11 | 132 | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC4256V-3T100C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispMACH® 4000В | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~90°C ТДж | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 384,6 МГц | 12,5 мА | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc4256ze7tn100c-datasheets-8581.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 3,6 В | 3В | 100 | нет | EAR99 | ДА | Нет | 8542.39.00.01 | 12,5 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | LC4256 | 100 | 30 | Программируемые логические устройства | 64 | ЭСППЗУ | 3 нс | 3 нс | 128 | 256 | МАКРОКЛЕТКА | 36 | В системном программировании | 10 | ДА | 3В~3,6В | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М5ЛВ-128/74-5ВЦ | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАШ® 5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1995 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m51286810yc1-datasheets-1323.pdf | 100-LQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | 100 | 3,6 В | 3В | 100 | EAR99 | ДА | Нет | 133 МГц | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,5 мм | М5ЛВ-128 | 100 | Программируемые логические устройства | 74 | ЭСППЗУ | 5,5 нс | 208 | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5320S-01TN64I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тактовый генератор, разветвленное распределение, буфер с нулевой задержкой | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5308s01tn48i-datasheets-0437.pdf | 64-LQFP | 64 | 8 недель | 64 | да | EAR99 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK53 | 64 | 3,6 В | 3В | 40 | Драйверы часов | 3,3 В | 1 | Не квалифицирован | 5320 | 267 МГц | eHSTL, HSTL, LVCMOS, LVTTL, SSTL | 267 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:20 | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5304S-01T48I | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тактовый генератор, разветвленное распределение, буфер с нулевой задержкой | ispClock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5308s01tn48i-datasheets-0437.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | 48 | 48 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 150 мА | е0 | Оловянный свинец | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK53 | 48 | 3,6 В | 3В | 30 | Драйверы часов | 1 | 5304 | 267 МГц | eHSTL, HSTL, LVCMOS, LVTTL, SSTL | 267 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 2:4 | Да/Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСППАК-CLK5510V-01T48C | Решётчатая полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispClock™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isppacclk5520v01tn100c-datasheets-8146.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | 48 | 48 | нет | EAR99 | 1 | 150 мА | е0 | Оловянный свинец | ДА | 3В~3,6В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | ИСППАК-CLK5510 | 48 | 3,6 В | 3В | 30 | Драйверы часов | 1 | Не квалифицирован | 5500 | ДРАЙВЕР ТАКТОВ НА ОСНОВЕ ФАПЧ | 320 МГц | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | 320 МГц | 0,05 нс | HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL, SSTL | Да, с обходом | 1:10 | Да/Да | Да/Нет |
