Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактАналоговые оптические датчики(318)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | Рейтинги | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Материал корпуса | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Расстояние внедрения | Диапазон измерения-Макс. | Диапазон измерения-мин. | Тип датчиков/преобразователей | Выходной диапазон | Размер зазора | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Выходной ток-Макс. | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПР5005ТР | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5005tr-datasheets-5323.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 12 недель | 20 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 890 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КУ163С-ТР | Стэнли Электрик | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | /files/stanleyelectricco-ku163ctr-datasheets-5328.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 10 мкс | Фототранзистор | 0,039 (1 мм) | 20 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC50CNR10RP | Карло Гавацци Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -20°К~60°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/carlogavazziinc-pc50cnr10rp-datasheets-5330.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 10 недель | 25 мс | 393 701 (10 м) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПР5005 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Масса | 4 (72 часа) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5005tr-datasheets-5323.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 20 мА | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 75мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,050 (1,27 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMP12RI | Карло Гавацци Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/carlogavazziinc-pmp12ri-datasheets-5339.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 5 недель | IP67 | ПК | 20 мс, 30 мс | 472,4 (12 м) 39,4 ' | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY110 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy110-datasheets-5358.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 50 мА | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | да | 1,5 В | 30 мкс, 30 мкс | 30 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 30 мкс | 12 мм | ПАЙКА | 0,197 (5 мм) | 5 мм | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,20–2 мА | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМР10РИ | Карло Гавацци Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/carlogavazziinc-pmr10ri-datasheets-5370.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 7 недель | 20 мс, 30 мс | 393 701 (10 м) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SF5-B | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesf5b-datasheets-5243.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 30 мА | 13 мм | Без свинца | 10 недель | UL | Неизвестный | 4 | да | 30 В ВЦЭ, 2НА ТЕМНОВЫЙ ТОК | 1 | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мА | 30 мкс | 30 мкс | АБС | 8 мм | 0,197 (5 мм) | 5 мм | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,20–2 мА | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ743WZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 40 мА | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 30 В | 40 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 30 В | 40 мА | 2В | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЦНТ2020 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vcnt2020-datasheets-5256.pdf | Модуль 4-СМД | Светоотражающий | 900 мкм | 6 недель | неизвестный | 170 мВт | 85°С | 100 мА | 1,5 В | Фототранзистор | 10 мкс | 15 мкс | 0,02 (0,5 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 20 В | 20 мА | 1нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTRS7010C | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~80°К | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | /files/marktechoptoelectronics-mtrs7010c-datasheets-5383.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 6 недель | Фотодиод | 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SY1200 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy1200-datasheets-5088.pdf | 4-СМД, без свинца | Светоотражающий | 3,2 мм | 50 мА | 1,9 мм | 1,1 мм | 12 недель | Неизвестный | 4 | Нет | е4 | Золото (Ау) | 50мВт | 1 | 30 мкс, 30 мкс | 30 В | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мкс | 30 мкс | 4 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 30 В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ710Ф | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb730f-datasheets-5069.pdf | 30 В | ТО-72 | Светоотражающий | 50 мА | 1,5 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 150 мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,5 В | Фототранзистор | 50 мА | 0,250 (6,35 мм) | 3В | 30 В | 3В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 3В | 935 нм | 935 нм | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ708 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 40 мА | 1,7 В | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 1 | 30 В | 40 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 40 мА | 2В | 935 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 9206 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh9206-datasheets-5291.pdf | 6-SOIC (ширина 0,126, 3,20 мм) | Светоотражающий | 8 недель | Фототранзистор | 0,039 ~ 0,197 (1 мм ~ 5 мм) | 50 мА | 16 В | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТРС1070 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/marktechoptoelectronics-mtrs1070-datasheets-5126.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 20 мкс, 30 мкс | Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики | Фототранзистор | 1,5 мм | 1 мм | 20 В | 0,25 мА | 50 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ741WZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 10 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 40 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 40 мА | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ700Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на корпус, панель, винт | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb700alz-datasheets-4971.pdf | 25 В | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 50 мА | 15,24 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | 102 мм | 1 | 80мВт | 1 | 25 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 50 мА | 0,200 (5,08 мм) | 2В | 2В | 24В | 25 В | 2,5 мА | 100 мА | 2В | 890 нм | 890 нм | 24В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ701АЛЗ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на кузов, панель | Крепление на шасси | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb700alz-datasheets-4971.pdf | 15 В | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 50 мА | 15,24 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | 457 мм | 1 | 80мВт | 1 | 15 В | 50 мА | 1,7 В | Фотодарлингтон | 50 мА | 0,200 (5,08 мм) | 2В | 2В | 15 В | 15 В | 43 мА | 100 мА | 2В | 890 нм | 890 нм | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCND5000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | СМД/СМТ | 85°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcnd5000-datasheets-5043.pdf | Модуль | Светоотражающий | 6 мм | 50 мА | 3,75 мм | 3,7 мм | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 190мВт | 1 | 190мВт | 800 нс, 800 нс | 1 | 60В | 110нА | 100 мА | 1,2 В | PIN-фотодиод | 800 нс | 800 нс | 0,079 ~ 0,984 (2 мм ~ 25 мм) РЕГУЛИРОВКА | 5В | 60В | 100 мА | 5В | 940 нм | 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ740WZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Светоотражающий | 40 мА | 10 недель | 4 | 1 | 30 В | 20 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 40 мА | 2В | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SB5-B | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~80°К | Масса | Непригодный | Припой | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesb5b-datasheets-5190.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 30 мА | 25,4 мм | Без свинца | 7 недель | UL | Нет СВХК | 4 | да | неизвестный | 1 | 100мВт | 30 мкс, 30 мкс | 10 В | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,2 В | Фототранзистор | 30 мА | 30 мкс | 30 мкс | АБС | 6,35 мм | 0,197 (5 мм) | 5 мм | 5 мм | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 0,20–2 мА | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ732 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb732-datasheets-5208.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 12,19 мм | 50 мА | 12,7 мм | 5,08 мм | 1,8 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | 50 мА | 50 мА | 1,8 В | Фототранзистор | 3 (76,2 мм) | 3В | 30 В | 3В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 3В | 850 нм | 850 нм | 30 В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ70DWZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb703wz-datasheets-5004.pdf | Модуль, выводы проводов | Светоотражающий | 10 недель | 40 мА | 1,7 В | Транзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 30 В | 25 мА | 40 мА | 640 нм | 30 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ710 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb730f-datasheets-5069.pdf | 30 В | ТО-72 | Светоотражающий | 50 мА | 5В | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 2 | 1 | 150 мВт | 1 | 30 В | 50 мА | 1,5 В | Фототранзистор | 50 мА | 0,250 (6,35 мм) | 3В | 3В | 30 В | 30 В | 25 мА | 50 мА | 3В | 935 нм | 935 нм | 30 В | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 7072 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИОФИ® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh7072-datasheets-5184.pdf | 6-СМД, без свинца | Светоотражающий | 8 недель | Фотодиод | ИНФРАКРАСНЫЙ СВЕТОДИОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ730Ф | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb730f-datasheets-5069.pdf | 15 В | ТО-72 | Светоотражающий | 50 мА | 1,5 В | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 2 | Нет | НПН | 150 мВт | 1 | 15 В | 50 мА | 1,5 В | Фотодарлингтон | 0,250 (6,35 мм) | 3В | 15 В | 3В | 15 В | 15 В | 25 мА | 50 мА | 3В | 935 нм | 15 В | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QRD1113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-qrd1114-datasheets-4994.pdf | 30 В | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 20 мА | 1,7 В | Без свинца | 22 недели | 0г | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 | 100мВт | 10 мкс, 50 мкс | Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики | 30 В | 50 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 10 мкс | 50 мкс | ПАЙКА | ПЛАСТИК | 0,050 (1,27 мм) | ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ | 5В | 30 В | 30 В | 300 мкА | 5В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ702 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb702-datasheets-5075.pdf | Монтаж на печатной плате | Светоотражающий | 17,78 мм | 40 мА | 8,89 мм | 4,78 мм | 1,7 В | 12 недель | 4 | 1 | 100мВт | 1 | 30 В | 20 мА | 1,7 В | Фототранзистор | 0,150 (3,81 мм) | 2В | 30 В | 2В | 30 В | 30 В | 1 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТРС9520 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Масса | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/marktechoptoelectronics-mtrs9520-datasheets-5081.pdf | Радиальный – 4 отведения | Светоотражающий | 12 недель | неизвестный | 20 мкс, 30 мкс | Фототранзистор | 3 мм | 4 мм | ПАЙКА | 1,5 мм | 1,5 мм | 0,5 мм | 20 В | 50 мА | 60 мА | 50 мА |
