Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КАИ-08670-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 12 | 3600 х 2400 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-08670-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 82 ДБ; ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 И 9,7 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 47,24 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70 дБ | 12 | 3600 х 2400 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| CMV8000ES-1E5M1PN | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv8000es1e5m1pa-datasheets-6349.pdf | 1,8 В 3,3 В | 107-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 104 | 3360 х 2496 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CHR71000ES-1E5M1PN | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | 0°С~60°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-chr71000es1e5c1pa-datasheets-6460.pdf | 65-ПГА | 3,3 В | 65-ПГА | 3,1 мкмx3,1 мкм | 3 | 10000В х 7096В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JP-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ12000-2Е12М1ПА | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-ne2drgbv90f27led-datasheets-2742.pdf | 1,8 В 3,3 В | 237-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 300 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-29050-AXA-JR-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai29050aaajpb1-datasheets-3231.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 1 | 6576Г х 4408В | 4/2,99 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E5C1PN | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 1,8 В~3,3 В | 0503/СОД-723Ф | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAC-12040-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kac12040cbajdaa-datasheets-0310.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 1,71 ДО 1,89 В, ГЛОБАЛЬНЫЕ ЗАТВОРИ, РУЛЕТНЫЕ ЗАТВОРИ. | НЕТ | 80°С | -20°С | 2,1 В | 1,9 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 42,5 мм | 38,1 мм | ПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | СПИ-ИНТЕРФЕЙС | 0,45-1,55 В | 4,70x4,70 мкм | 73 дБ | 4000 | 3000 | 4/3 дюйма | 50 МГц | 70 кадров в секунду | РАМКА | ||||||||||||||||||||
| CMV4000-3E5M0PP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08051-AXA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 39 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| КЛИ-8023-САА-ЭД-АА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kli8023saaedaa-datasheets-1905.pdf | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ТАКЖЕ ЕСТЬ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 82 ДБ. | НЕТ | 70°С | 15,5 В | 14,5 В | 6 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 6,1 мм | 93,98 мм | 15,24 мм | ПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица | 9x9 мкм | 87 дБ | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08051-AXA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 39 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2020-АБА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 60 ДБ. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,44 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 68 дБ | 35 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-ФБА-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CMV2000-3E5C1LP | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 1,8 В 3,3 В | 95-ЛГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NOIP1SE012KA-GDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПИТОН | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn012kagdi-datasheets-1408.pdf | Без свинца | 20 недель | 355 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-47051-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai47051qxajdb2-datasheets-2761.pdf | 201-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 38 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 69,96 мм | 44,55 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 66 дБ | 7 | 8856Г х 5280В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-ФБА-CD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5,97 мм | 44,45 мм | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 66 дБ | 3 | 4008Г х 2672В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ4000-3Е12М1ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv40003e12m1lp-datasheets-6356.pdf | 1,8 В~3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 180 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16000-FXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000aaajdb2-datasheets-1371.pdf | 40-BCPGA | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦМВ2000-3Е5М1ПН | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 1,8 В 3,3 В | 95-МикроПГА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-CBA-CB-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2093aaacpae-datasheets-3048.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 15 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMV2000-3E5C1PA | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/ams-cmv20003e12m1pp-datasheets-4642.pdf | 1,8 В 3,3 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 340 | 2048Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08670-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 12 | 3600 х 2400 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-08051-FXA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 39 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-08670-QXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08670fxajdb1-datasheets-1728.pdf | 72-БКПГА | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 12 | 3600 х 2400 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-47051-AXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai47051qxajdb2-datasheets-2761.pdf | 201-БПГА | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 38 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 69,96 мм | 44,55 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 66 дБ | 7 | 8856Г х 5280В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-16070-QXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,61 мм | 45,34 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 2 | 4864Г х 3232В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-ФБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai1020abbjbba-datasheets-0984.pdf | 64-ВФКФН | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 21 час назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,92 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 58 дБ | 30 | 1000Г х 1000В |
