Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 30КП54А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | 30КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 60,3 В | 331,5А | 91,4 В | 54В | 1 | 30000Вт (30кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| РТ100КП144А | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | РТ100КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 160,8 В | 361А | 267В | 144В | 1 | 100000Вт (100кВт) | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| МРТ100КП198СА | MDE Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | МРТ100КП | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | P600, Осевой | - | Общего назначения | Р600 | Нет | 221,2 В | 267А | 382В | 198В | 100000Вт (100кВт) | 1 | MDE Semiconductor Inc. | ||||
| JANS1N6121US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6133US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| ESD0571P6-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 125°С (ТДж) | 0603 (1610 Метрическая единица) | 650 пФ @ 1 МГц (макс.) | Общего назначения | DFN1610-2 | Нет | 6В | 125 А (8/20 мкс) | 15 В | 5 В (макс.) | 1 | 1875 Вт (1875 кВт) | Микро Коммерческая Компания | ||||
| VCAN36A2-03G-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | СК-70, СОТ-323 | 8пФ @ 1МГц | МОЖЕТ | СОТ-323 | Нет | 39В | 2,4 А (8/20 мкс) | 63В | 36 В (макс.) | 150 Вт | 2 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | ||||
| JANS1N6118US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| RESD1CANYFHT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 30 пФ @ 1 МГц (макс.) | МОЖЕТ | СОТ-23 | Нет | 26,2 В | 8А (8/20 мкс) | 44В | 24 В (макс.) | 350 Вт | 2 | Ром Полупроводник | ||||
| MMBZ6V8ALYFHT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | - | Общего назначения | СОТ-23 | Нет | 6,46 В | 2,5 А | 9,6 В | 4,5 В (макс.) | 2 | 24 Вт | Ром Полупроводник | ||||
| MMBZ16VALYFHT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | - | Автомобильная промышленность | СОТ-23 | Нет | 15,2 В | 1,7 А | 23В | 13 В (макс.) | 2 | 40 Вт | Ром Полупроводник | ||||
| ESD16VHYFHT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | - | Автомобильная промышленность | СОТ-23 | Нет | 15,96 В | - | - | 12 В (макс.) | 100 Вт | 2 | Ром Полупроводник | ||||
| ММБЗ6В8АЛИТ116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | - | Общего назначения | СОТ-23 | Нет | 6,46 В | 2,5 А | 9,6 В | 4,5 В (макс.) | 2 | 24 Вт | Ром Полупроводник | ||||
| MMBZ5V6ALYFHT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | - | Общего назначения | СОТ-23 | Нет | 5,32 В | 3А | 8В | 3 В (макс.) | 2 | 24 Вт | Ром Полупроводник | ||||
| JANS1N6134US | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANS1N6153AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Микрочиповая технология | ||||||||||||||||||
| JANTX1N6167AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 104,5 В | 9,9А | 151,3 В | 86,6 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N8166США/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, А | - | Общего назначения | А, SQ-MELF | Нет | 40,9 В | 2,54А | 59,1 В | 36В | 150 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6161AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 58,9 В | 17,6А | 85,3 В | 47,1 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ГГ0603052Р542П | КЬОЦЕРА AVX | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | ГиГАРД | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 125°С (ТА) | 0603 (1608 Метрическая единица) | - | Ethernet, HDMI, USB | 0603 | Нет | 6,7 В | 3А | 16 В | 5В | 45 Вт | 1 | КЬОЦЕРА AVX | ||||
| ПЕСД24ВС1УЛСИЛ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТА) | СОД-882 | 23пФ при 1 МГц | Автомобильная промышленность, Телекоммуникации | DFN1006BD-2 | Нет | 26,5 В | 4,5 А (8/20 мкс) | 60В | 24 В (макс.) | 1 | - | Нексперия США Инк. | ||||
| 1N5629A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 6,45 В | 143А | 10,5 В | 5,8 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| МАПЛАД30КП33СА/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Общего назначения | ПЛАД | Нет | 36,7 В | 564А | 53,3 В | 33В | 30000Вт (30кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6150A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Г, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 20,9 В | 49,2А | 30,5 В | 16,7 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н6037А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 7,79 В | 124А | 12,1 В | 7В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6126AUS/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 64,6 В | 5,1А | 97,1 В | 51,7 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6364/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 52,9 В | 19А | 70В | 45В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| ДЛТС-30 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТА) | 16-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 220 пФ @ 1 МГц (макс.) | Общего назначения | 16-КДИП | Нет | 33,3 В | 10 А (8/20 мкс) | 65В | 30 В | 15 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| ТВС315Е3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | Осевой | - | Общего назначения | А, Осевой | Нет | 16,7 В | 5,9А | 25В | 15 В | 1 | 150 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG85CA/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 94,4 В | 10,4А | 137В | 85В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология |
