Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Эмкость на частотах | Приложения | Поставщик пакета оборудования | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV1N6124US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 50,54 В | 6,18А | 80,85 В | 42,6 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N5631A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 7,79 В | 124А | 12,1 В | 7,02 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JAN1N6108AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 11,4 В | 29,6А | 16,9 В | 9,1 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ДЛТС-5А | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 150°С (ТА) | 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 880 пФ @ 1 МГц (макс.) | Общего назначения | 16-ДИП | Нет | 6В | 10 А (8/20 мкс) | 10,6 В | 5В | 15 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6054A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 40,9 В | 25,3А | 59,3 В | 36В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6108США/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 10,83 В | 28.12А | 17,75 В | 9,1 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н5634А | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 10,5 В | 96А | 15,6 В | 9,4 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6121AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 40,9 В | 8,5 А | 59,1 В | 32,7 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6049A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 25,7 В | 40А | 37,5 В | 22В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЛК70/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 90пФ при 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 77,8 В | 12А | 125 В | 70В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N5655AE3 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 77,9 В | 13,3А | 113В | 70,1 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6113AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 19В | 18А | 27,7 В | 15,2 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| 1N6055A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 44,7 В | 23,2А | 64,8 В | 40В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6108US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 10,83 В | 28.12А | 17,75 В | 9,1 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| ЯН1Н5633А | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТА) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 9,5 В | 103А | 14,5 В | 8,55 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6169AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, C | - | Общего назначения | C, SQ-MELF | Нет | 123,5 В | 8,4А | 178,8 В | 98,8 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| LC22/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 24,4 В | 38А | 39,4 В | 22В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| 1N5660A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 | Нет | 124 В | 8,4А | 179В | 111В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6103AUS/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 7,13 В | 44,6А | 11,2 В | 5,7 В | 500 Вт | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG51A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 56,7 В | 18,2А | 82,4 В | 51В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MXP4KE9.1A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой | - | Общего назначения | ДО-204АЛ (ДО-41) | Нет | 8,65 В | 30А | 13,4 В | 7,78 В | 1 | 400 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| МПЛАД6.5КП17А/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Общего назначения | ПЛАД | Нет | 18,9 В | 236А | 27,6 В | 17В | 1 | 6500 Вт (6,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MXPLAD30KP33A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Нестандартный SMD | - | Общего назначения | ПЛАД | Нет | 36,7 В | 564А | 53,3 В | 33В | 1 | 30000Вт (30кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| MSMCG40AE3/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | -65°С ~ 150°С (ТДж) | ДО-215АБ, СМК «Крыло чайки» | - | Общего назначения | СМГК (ДО-215АБ) | Нет | 44,4 В | 23,2А | 64,5 В | 40В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANS1N6154A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/516 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | С, Осевой | - | Общего назначения | С, Осевой | Нет | 31,4 В | 32,8А | 45,7 В | 25,1 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6463US/TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/551 | Поверхностный монтаж | -55°С ~ 175°С (ТДж) | SQ-MELF, Б | - | Общего назначения | Б, SQ-MELF | Нет | 13,6 В | 125 А (8/20 мкс) | 22,6 В | 12 В | 1 | 500 Вт | Микрочиповая технология | ||||
| LC54A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 60В | 17,2А | 87,1 В | 54В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| LC48A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | - | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | 100пФ на 1 МГц | Общего назначения | ДО-202АА (ДО-13) | Нет | 53,3 В | 19,4А | 77,4 В | 48В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTXV1N5646A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/500 | Сквозное отверстие | -65°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 34,2 В | 30А | 49,9 В | 30,8 В | 1 | 1500 Вт (1,5 кВт) | Микрочиповая технология | ||||
| JANTX1N6068A/ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Зенер | Военный, MIL-PRF-19500/507 | Сквозное отверстие | -55°С ~ 175°С (ТДж) | ДО-13 | - | Общего назначения | ДО-13 (ДО-202АА) | Нет | 162В | 6,1А | 245В | 145 В | 1500 Вт (1,5 кВт) | 1 | Микрочиповая технология |
